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利用高频C-V特性评价CMOS工艺
被引量：
1
1
作者
熊海
孔学东
+1 位作者
章晓文
汪顺婷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期383-387,共5页
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容...
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。
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关键词
MOS电容
界面态
高频
c
-
v
测试
下载PDF
职称材料
题名
利用高频C-V特性评价CMOS工艺
被引量：
1
1
作者
熊海
孔学东
章晓文
汪顺婷
机构
广东工业大学材料学院
工业和信息化部电子第五研究所
广州圣大电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期383-387,共5页
文摘
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。
关键词
MOS电容
界面态
高频
c
-
v
测试
Keywords
MOS
c
apa
c
itor
interfa
c
e
state
high
freqency
c
-
v
test
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用高频C-V特性评价CMOS工艺
熊海
孔学东
章晓文
汪顺婷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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