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MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究 被引量：4
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作者 张进城 郝跃 朱志炜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1585-1589,共5页
深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应 ,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨 .通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较 ,给出了满意的物理解释 .
关键词 MOS结构 薄栅氧化层 高场退火 退陷阱 MOS器件
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