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940nm20%占空比InGaAs/AlGaAs大功率LD线阵 被引量：2
1
作者 赵卫青 安振峰 +3 位作者 陈国鹰 辛国锋 牛健 沈牧 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期914-916,共3页
采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术,制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20%占空比半导体激光器。采用良好的封装方式,激光器直接封装在高效导热载体上,对载体水冷散热,在脉冲频率500Hz,脉冲宽度400μs下,驱动电流105A时输出功率高达90... 采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术,制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20%占空比半导体激光器。采用良好的封装方式,激光器直接封装在高效导热载体上,对载体水冷散热,在脉冲频率500Hz,脉冲宽度400μs下,驱动电流105A时输出功率高达90.6W,最高电 光转换效率42.3%,斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm,光谱半高全宽3.3nm。 展开更多
关键词 线阵 大功率 LD 占空比 InGaAs/GaAs 金属有机化合物气相淀积 斜率效率 水冷散热 封装方式 驱动电流
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