-
题名高共模输入电平的迟滞比较器设计
被引量：2
- 1
-
-
作者
鞠家欣
张晋芳
廖永波
鲍嘉明
杨兵
-
机构
北方工业大学信息工程学院
北京交通大学电子信息工程学院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期623-626,共4页
-
文摘
提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并对该电路的稳定性进行了仿真,其仿真结果保证了60°的相位裕度。该迟滞比较器的电路使用华润上华1μm双极晶体管工艺实现,芯片测试结果表明,其上阈值点为7.4 V,下阈值点为6.92 V,迟滞电压约为0.48 V,输出高电平约为0.76 V,电路工作稳定。
-
关键词
迟滞比较器
双极工艺
高共模输入电平
低功耗
频率稳定性
-
Keywords
hysteresis comparator
bipolar technology
high common mode level
low power dissipation
frequency stability
-
分类号
TN710
[电子电信—电路与系统]
-
