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多壁碳纳米管/金属异质结的热电效应和红外光电效应
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作者 孙家林 《黑龙江大学工程学报》 2011年第3期102-106,共5页
在无序多壁碳纳米管(MWCNT)压片的上表面涂敷金属薄层,构成"无序多壁碳纳米管/金属"异质结。通过实验测试,详细研究了该异质结的热电效应和红外光电效应。作为参比实验,同时对前期设计的"有序多壁碳纳米管/金属"异... 在无序多壁碳纳米管(MWCNT)压片的上表面涂敷金属薄层,构成"无序多壁碳纳米管/金属"异质结。通过实验测试,详细研究了该异质结的热电效应和红外光电效应。作为参比实验,同时对前期设计的"有序多壁碳纳米管/金属"异质结的热电效应和红外光电效应进行了同样测量。结果表明:在两种异质结中,其热致电流和红外光致电流都具有相同的流向。当采用CO2激光(λ=10.6μm)辐照异质结时,"无序多壁碳纳米管/金属"异质结的光致电流强度与光功率呈非线性关系,而在"有序多壁碳纳米管/金属"异质结器件中,光致电流强度与光功率几乎是线性相关的。对于两种异质结,其红外光致电流响应曲线均具有两个特征时间,说明红外光电效应中包含光响应和热响应两种物理过程。此外,基于热电效应和红外光电效应,设计并构建了红外光电传感器和热电传感器原型,为拓展"多壁碳纳米管/金属"异质结的应用奠定了实验基础。 展开更多
关键词 多壁碳纳米管(MWCNT) 异质结 热电效应 红外光电效应
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Ab initio Calculation of Valence-band Offsets for Lattice-matched Heterojunctions
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作者 王仁智 黄美纯 柯三黄 《Science China Mathematics》 SCIE 1993年第3期319-325,共7页
In the light of our previous result that the average bond energy E_h valuelines up across heterojunction interfaces,in this paper,the valence-band offsets in ten hete-rojunctions have been calculated using the E_h as ... In the light of our previous result that the average bond energy E_h valuelines up across heterojunction interfaces,in this paper,the valence-band offsets in ten hete-rojunctions have been calculated using the E_h as a reference level with the LMTO-ASAband-structure method.The calculated results are in excellent agreement with those fromthe more elaborate first-principles self-consistent interface calculations.As the presentmethod requires by far the smaller computational effort,it is very convenient for usingon medium-sized computers. 展开更多
关键词 semiconductor heterojunetion VALENCE-BAND OFFSETS ab INITIO calculation
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微晶硅/晶体硅HIT结构异质结太阳电池的模拟计算与分析 被引量:3
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作者 韩兵 周炳卿 +2 位作者 郝丽媛 王立娟 那日苏 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2010年第3期257-262,共6页
运用AFORS-HET程序模拟分析μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)HIT结构异质结太阳电池的光伏特性,并研究发射层厚度、本征层厚度、本征层能隙宽度、界面态密度以及能带失配等参数对太阳能电池光伏特性的影响.计算结果表明:插入5 nm较薄微晶硅... 运用AFORS-HET程序模拟分析μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)HIT结构异质结太阳电池的光伏特性,并研究发射层厚度、本征层厚度、本征层能隙宽度、界面态密度以及能带失配等参数对太阳能电池光伏特性的影响.计算结果表明:插入5 nm较薄微晶硅本征层,电池的转换效率最佳;随着微晶硅本征层厚度增加,电池性能降低,电池的界面缺陷态显著影响电池的开路电压和填充因子.对能带补偿情况进行模拟分析,结果显示,随着价带补偿(ΔEV)的增大,由界面态所带来的电池性能的降低逐渐被消除,当ΔEV=0.25eV时,界面态带来的影响几乎完全消除.通过优化各参数,获得微晶硅/晶体硅HIT结构异质结太阳能电池的最佳转换效率为19.86%. 展开更多
关键词 微晶硅/晶体硅 异质结 太阳电池 模拟计算
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SiGe缓冲层对β-SiC(n)/c-Si(p)异质结特性的影响 被引量:1
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作者 张彩珍 刘肃 +2 位作者 陈永刚 吴蓉 刘春娟 《兰州交通大学学报》 CAS 2008年第4期141-144,共4页
SiC/Si的界面特性严重影响着SiC/Si异质结的电学特性及光学特性.在β-SiC(n)/c-Si(p)异质结中引入Si Ge缓冲层,构造了Al/β-SiC(n)/Si Ge/c-Si(p)/Al典型的三明治异质结结构.对带有和不带Si Ge缓冲层的β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面SE... SiC/Si的界面特性严重影响着SiC/Si异质结的电学特性及光学特性.在β-SiC(n)/c-Si(p)异质结中引入Si Ge缓冲层,构造了Al/β-SiC(n)/Si Ge/c-Si(p)/Al典型的三明治异质结结构.对带有和不带Si Ge缓冲层的β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面SEM图像,正反向I-V特性曲线及QE作了对比研究,理论和实验均表明,Si Ge缓冲层的引入可以有效地改善β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面特性,减少界面缺陷,从而提高异质结的反向击穿电压及整流比,展宽异质结光谱响应范围,提高量子效率QE,且使QE的峰值点发生明显红移. 展开更多
关键词 异质结 SiGe缓冲层 SEM QE
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量子点在低价太阳电池中的应用及研究状况
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作者 岳文瑾 王命泰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期130-137,共8页
太阳电池的发展包括3个阶段,已商业化生产的第一代单晶硅电池成本较高,而薄膜化的第二代太阳电池虽大幅降低了成本,但效率不理想。因此,期待比第一代太阳电池有更高转换效率的同时,保持第二代太阳电池低成本优势的第三代太阳电池的诞生... 太阳电池的发展包括3个阶段,已商业化生产的第一代单晶硅电池成本较高,而薄膜化的第二代太阳电池虽大幅降低了成本,但效率不理想。因此,期待比第一代太阳电池有更高转换效率的同时,保持第二代太阳电池低成本优势的第三代太阳电池的诞生。其中,半导体量子点太阳电池因具有高达66%的热力学转换效率备受关注。介绍了基于量子点的几种低价太阳电池,包括全无机纳米结构太阳电池、染料敏化电池及聚合物太阳电池等,重点介绍了由有机聚合物和无机半导体量子点组成的杂化聚合物/量子点电池的结构及影响器件效率的关键因素。 展开更多
关键词 量子点 聚合物 太阳电池 体型异质结
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p型晶体硅异质结太阳电池光电特性模拟研究 被引量:8
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作者 程雪梅 孟凡英 +2 位作者 汪建强 李祥 黄建华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1474-1479,共6页
利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电... 利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电极的电池在短波光和可见光波段光谱响应更强,短路电流密度和电池效率更高。此外,在所建立的电池模型中,限定掺杂型非晶硅层的厚度为10nm,改变本征非晶硅层厚度,模拟研究找到了电池的短路电流、开路电压、填充因子及光电转换效率随本征层厚度变化的规律和最优值,通过模拟研究发现有背场的双面电池比无背场电池的开路电压增加4.8%,最高转换效率达21.25%。 展开更多
关键词 透明导电氧化物薄膜(TCO) 本征非晶硅 异质结太阳电池 AFORS—HET模拟仿真
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SnS_2/BiOBr复合光催化剂的制备及其光催化性能研究 被引量:5
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作者 丁世环 徐聪聪 鹿媛铮 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期205-208,共4页
结合水热法和沉淀法成功制备了核壳结构的SnS_2/BiOBr复合光催化剂。通过X射线衍射仪、红外光谱仪、扫描电镜、能谱和荧光光谱等手段对样品的物相组成、形貌和光吸收性质等进行表征,并在可见光下催化降解甲基橙作为探针来评价所合成样... 结合水热法和沉淀法成功制备了核壳结构的SnS_2/BiOBr复合光催化剂。通过X射线衍射仪、红外光谱仪、扫描电镜、能谱和荧光光谱等手段对样品的物相组成、形貌和光吸收性质等进行表征,并在可见光下催化降解甲基橙作为探针来评价所合成样品的光催化活性。结果表明:SnS_2能有效提高BiOBr光催化性能,SnS_2/BiOBr在可见光下光照100min降解率达到77%,活性优于BiOBr或SnS_2。此外,SnS_2/BiOBr复合光催化剂稳定性高,重复使用性能良好。 展开更多
关键词 SnS2/BiOBr复合光催化剂 可见光 p-n异质结 甲基橙
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硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响 被引量:3
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作者 柳琴 刘成 +3 位作者 叶晓军 郭群超 李红波 陈鸣波 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期40-45,共6页
研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT... 研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。 展开更多
关键词 晶体硅/非晶硅异质结(HIT) 太阳电池 表面钝化 少子寿命
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光学方法研究Nd_xY_(1-x)Al_3(BO_3)_4晶体的缺陷 被引量:1
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作者 张吉果 潘恒福 +1 位作者 陆宝生 薛旌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期34-37,共4页
本文报告了用光学方法研究高增益、低阈值的新型自激活自倍频的四硼酸铝钇钕(NYAB)晶体的缺陷。这些缺陷包括位错、异质结构夹层、双晶、云层、包裹体、开裂等。分析了这些缺陷的成因,提出了减少缺陷的措施。
关键词 晶体 缺陷 光学法 位错 双晶
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加入NPB提高P3HT:PCBM聚合物太阳能电池光伏性能 被引量:1
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作者 李贵芳 全威 +4 位作者 刘金锁 陈磊 张吉东 闫东航 秦大山 《高分子通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期92-97,共6页
研究了在聚3-己基噻吩(P3HT)和[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜中加入第三组分N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)对器件性能的影响。实验发现:加入NPB可以促进P3HT:PCBM本体异质结的生长,进... 研究了在聚3-己基噻吩(P3HT)和[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜中加入第三组分N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)对器件性能的影响。实验发现:加入NPB可以促进P3HT:PCBM本体异质结的生长,进而提高器件的光伏性能,当NPB浓度为0.4mg/mL时,能量转换效率(PCE)从1.05%提高到1.64%。NPB的加入使P3HT在可见光范围内吸收增强,特别是在560nm和610nm处的吸收强度明显增大;扫描电子显微镜(SEM)研究结果表明,NPB的加入增大了P3HT与PCBM的相分离程度,提高了激子分离的几率;空穴单极性电流-电压曲线证明适量NPB的加入改善了薄膜空穴传输性能。 展开更多
关键词 聚合物太阳能电池 本体异质结 NPB 三组分共混薄膜
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