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题名p型晶体硅异质结太阳电池光电特性模拟研究
被引量：8
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作者
程雪梅
孟凡英
汪建强
李祥
黄建华
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机构
上海交通大学物理系太阳能研究所
江苏林洋新能源有限公司上海研发中心
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出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期1474-1479,共6页
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基金
上海市-应用材料国际科技合作基金(08520741400)
教育部留学回国人员科研启动基金
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文摘
利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电极的电池在短波光和可见光波段光谱响应更强,短路电流密度和电池效率更高。此外,在所建立的电池模型中,限定掺杂型非晶硅层的厚度为10nm,改变本征非晶硅层厚度,模拟研究找到了电池的短路电流、开路电压、填充因子及光电转换效率随本征层厚度变化的规律和最优值,通过模拟研究发现有背场的双面电池比无背场电池的开路电压增加4.8%,最高转换效率达21.25%。
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关键词
透明导电氧化物薄膜(TCO)
本征非晶硅
异质结太阳电池
AFORS—HET模拟仿真
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Keywords
Transparent Conducting Oxide （TCO）
intrinsic amorphous silicon film
heterojunetion solar cells
AFORS-HET simulation
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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