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室温下Si/Si_(1-x)Ge_x共振隧穿二极管的数值模拟
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作者 李涛 余志平 +2 位作者 王燕 黄雷 向采兰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期869-873,共5页
采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nmSi/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入secondupwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不... 采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nmSi/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入secondupwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0·23时,模拟结果的峰谷电流比为1·14,与实验结果相吻合. 展开更多
关键词 Si/Si1-xGex共振隧穿二极管 量子水动力学模型 离散方法 轻重空穴 峰谷电流比
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