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新器件结构SGOI低场迁移率模型及数值分析
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作者 李斌 陈安生 +3 位作者 刘红侠 温才 魏岚 唐金龙 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期77-82,187,共7页
为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅... 为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅器件的低场迁移率模型并嵌入到器件模拟器Sentaurus Device中.在不同的沟道应变情况下,分析自加热效应随埋氧层的厚度以及短沟道效应随栅长的变化关系.模拟结果表明,相对于Ge组分为0的情况下,Ge组分为0.4的SGOI器件的输出电流提升了至少50%.随着沟道下方埋氧厚度从100nm减小到10nm,自加热温度减小超过60℃;当引入接地层后,DIBL效应减小超过25%,泄漏电流在很大程度上得到抑制. 展开更多
关键词 低场迁移率 台阶式埋氧 接地层(gp) 自加热效应 绝缘层上硅锗(SGOI)
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一种短波GP天线遥控匹配系统设计
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作者 薛继华 吴佩文 《南通职业大学学报》 2019年第4期82-85,共4页
为防止过大的反射波能量损坏电台设备,电台与天馈系统阻抗应当匹配。探讨了一种短波GP天线遥控匹配装置,借助“蓝牙+单片机”技术,接收处理手机APP的控制信息,实现短波电台的快速架设与调试,可服务于构建可靠的应急通信体系。
关键词 短波通信 gp天线 短波电台 遥控 阻抗匹配
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