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溶胶-凝胶法制备巨介电常数材料CaCu_3Ti_4O_(12) 被引量:21
1
作者 杨昌辉 周小莉 +3 位作者 徐刚 韩高荣 翁文剑 杜丕一 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期753-756,共4页
通过溶胶-凝胶法制备CaCu3TiO12干凝胶,再经700-900℃,6-10h预烧和950-1100℃,16-20h烧结,成功制备了CaCu3Ti4O12粉体和CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷材料。用X射线衍射、扫描电镜分别确定了样品的结晶性能和形貌。用阻抗分析仪在10~106H... 通过溶胶-凝胶法制备CaCu3TiO12干凝胶,再经700-900℃,6-10h预烧和950-1100℃,16-20h烧结,成功制备了CaCu3Ti4O12粉体和CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷材料。用X射线衍射、扫描电镜分别确定了样品的结晶性能和形貌。用阻抗分析仪在10~106Hz范围内测试了陶瓷样品的介电性能。结果表明:粉体的结晶性能与煅烧温度有关,陶瓷介电性能与其晶粒大小有关。相对于传统固相反应合成法制备的粉体和陶瓷,粉体的预烧和陶瓷的烧结温度都有明显降低,烧成温度至少降低100℃。在800℃预烧的CaCu3Ti4O12粉体并在1 100℃温度下烧结制备的陶瓷,其介电常数可达194753。 展开更多
关键词 钛酸铜钙 溶胶—凝胶 巨介电常数
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添加Nb对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响 被引量:14
2
作者 刘鹏 贺颖 +2 位作者 李俊 朱刚强 边小兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5489-5493,共5页
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4-xNbxO12(x=0,0.01,0.04,0.08,0.2)陶瓷,样品在x取值范围内形成了连续固溶体.在40Hz—110MHz频率范围对样品进行了介电频谱分析,实验结果表明,与纯CaCu3Ti4O12不同,含Nb试样除了在频率大于10kHz范围内出现... 采用固相反应法制备了CaCu3Ti4-xNbxO12(x=0,0.01,0.04,0.08,0.2)陶瓷,样品在x取值范围内形成了连续固溶体.在40Hz—110MHz频率范围对样品进行了介电频谱分析,实验结果表明,与纯CaCu3Ti4O12不同,含Nb试样除了在频率大于10kHz范围内出现的德拜弛豫行为外,室温下在40Hz—10kHz低频率范围内还存在一个新的德拜弛豫峰,低于该弛豫特征频率时介电常数达106以上,该峰的特征频率随着Nb含量的增大向高频方向移动.根据阻抗谱中观察到的三个半圆弧,采用阻挡层电容模型,利用含有三个RC的等效电路对上述实验现象作了合理解释. 展开更多
关键词 巨介电常数 德拜弛豫 阻挡层电容 等效电路
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CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理 被引量:7
3
作者 郑兴华 张程 +2 位作者 刘馨 汤德平 肖娟 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期630-635,共6页
针对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12(x=0~0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(y=0~0.1)的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论C... 针对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12(x=0~0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(y=0~0.1)的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明:加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方(BCC)类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器(IBLC)所致。在较低温度下(〈1 100℃)烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12陶瓷 巨介电常数 内部阻挡层电容器(IBLC) 低介电损耗
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电极对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响 被引量:6
4
作者 杨静 沈明荣 方亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期234-237,共4页
通过研究在不同气氛(氮气和氧气),Ca-Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题。我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品... 通过研究在不同气氛(氮气和氧气),Ca-Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题。我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品表面呈现绝缘态,此时不同功函数电极以及不同电极制备方法对其介电性质几乎没有影响,说明CC-TO的巨介电常数是由孪晶界或半导体晶粒与绝缘晶界所产生的内部阻挡电容(IBLC)所引起。但当样品在高温氮气中后处理后,样品表面电阻率明显下降,以较大功函数的金属作为电极的样品,其介电常数有了明显的提高,而以功函数小的金属作为电极的样品,其介电常数变化不大。从而进一步说明当CCTO样品表面处于半导态,表面电极效应也是CCTO巨介电常数来源之一。 展开更多
关键词 CACU3TI4O12 巨介电性质 功函数 肖特基势垒
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巨介电陶瓷CaCu_3Ti_4O_(12)/聚合物复合材料研究进展 被引量:6
5
作者 苏艳丽 黄鹤 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期94-98,共5页
介绍了具有巨介电常数的CaCu3Ti4O12陶瓷与聚合物形成复合材料的制备工艺,分析了复合材料介电性能的影响因素,展望了今后巨介电陶瓷CaCu3Ti4O12/聚合物复合材料的发展趋势。
关键词 CaCu3Ti4O12陶瓷 聚合物 复合材料 巨介电常数
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CaCu_3Ti_4O_(12)-MgTiO_3陶瓷的介电性能与I-V非线性特征 被引量:4
6
作者 曹蕾 刘鹏 +3 位作者 周剑平 王亚娟 苏丽娜 刘成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期683-688,共6页
采用固相反应法制备了一系列CaCu3Ti4O12-xMgTiO3(x=0,0.25,0.5,1.0)复相陶瓷,研究了MgTiO3掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷相结构、显微组织、介电性能和I-V非线性特征的影响.研究发现:MgTiO3掺杂不仅使CCTO低频介电损耗降低,压敏电压提高... 采用固相反应法制备了一系列CaCu3Ti4O12-xMgTiO3(x=0,0.25,0.5,1.0)复相陶瓷,研究了MgTiO3掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷相结构、显微组织、介电性能和I-V非线性特征的影响.研究发现:MgTiO3掺杂不仅使CCTO低频介电损耗降低,压敏电压提高,而且使I-V非线性系数显著增大.电学性能的改善与由MgTiO3掺杂后导致晶粒尺寸均匀化,晶界厚度减薄且绝缘性提高有关.其中,CaCu3Ti4O12-0.5MgTiO3陶瓷具有良好的综合电学性能:εr=53958,tanδ=0.06(1kHz),压敏电压Eb=295V/mm且非线性系数α=66.3. 展开更多
关键词 L-V非线性系数 巨介电常数 压敏电压
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烧结温度对CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电性能的影响研究 被引量:3
7
作者 周小莉 杜丕一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期40-42,47,共4页
制备CaCu3Ti4O12陶瓷,在50 K^300 K温区范围内测试试样介电性能。研究结果表明,CaCu3Ti4O12结晶完整性、晶界及缺陷对其巨介电常数的大小、出现低介电常数向高介电常数转变时对应温度的高低以及对极化粒子的温度活化响应弥散程度有直接... 制备CaCu3Ti4O12陶瓷,在50 K^300 K温区范围内测试试样介电性能。研究结果表明,CaCu3Ti4O12结晶完整性、晶界及缺陷对其巨介电常数的大小、出现低介电常数向高介电常数转变时对应温度的高低以及对极化粒子的温度活化响应弥散程度有直接的影响。随晶界和缺陷的下降,极化粒子受缺陷相互作用相应减弱,产生松弛时需要克服的势垒下降,对应的产生松弛的温度随之降低。材料的结晶越完整,极化粒子的温度活化响应弥散现象越小,由低到高介电常数的转变速度越快。 展开更多
关键词 CACU3TI4O12 烧结 巨介电系数
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CaCu_3Ti_4O_(12)-xZnO陶瓷介电性能研究 被引量:3
8
作者 闫妍 刘鹏 +1 位作者 杨锋莉 王亚娟 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期23-26,共4页
采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xZnO(x=0,0.05,0.20,0.60,1.00)陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌.利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,研究了ZnO对CCTO材料... 采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xZnO(x=0,0.05,0.20,0.60,1.00)陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌.利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,研究了ZnO对CCTO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明:添加ZnO可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,降低CCTO陶瓷样品高频范围的介电损耗.当x=1时,在1kHz~1MHz频率范围内,tanδ均小于1.1,并且可将陶瓷的压敏电压提高至100V/mm.这为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用,提供了一定的实验依据. 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12(CCTO) 巨介电常数 压敏电压
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简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究 被引量:3
9
作者 贾然 顾访 +2 位作者 吴珍华 赵学童 李建英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期466-472,共7页
具有巨介电常数的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=30为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析... 具有巨介电常数的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=30为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析和介电性能测量,发现在1040℃—1100℃范围内,随着烧结温度的提高,陶瓷的品粒尺寸增大,非线性系数上升,电位梯度和介电损耗下降,1100℃烧结的试样tanδ最低达到0.04.认为CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电损耗包含直流电导分量、低频松弛损耗和高频松弛损耗.低频松弛活化能为0.51 eV.,对应于晶界处的Maxwell-Wagner松弛极化;高频松弛过程活化能为0.10 eV,对应晶粒内部的氧空位缺陷.烧结温度的升高导致晶界电阻下降. 展开更多
关键词 巨介电常数 共沉淀法 松弛极化 CaCu_3Ti_4O_12陶瓷
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Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响 被引量:2
10
作者 李媛 付志粉 +2 位作者 曹蕾 王亚娟 刘鹏 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期39-42,46,共5页
采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlxO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,... 采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlxO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz^1 kHz频率范围内,tanδ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al3+取代Ti4+可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱. 展开更多
关键词 巨介电常数 介电弛豫 直流偏压
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CCTO/Cu巨介电陶瓷 被引量:2
11
作者 郑兴华 肖娟 +2 位作者 严容 黄旭 郑可炉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期304-308,共5页
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能。Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O。CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒... 采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能。Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O。CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒异常长大和层状晶界相。但是,当Cu添加量达到3wt%时,层状富铜晶界相大大减少且分布不均匀。CCTO/Cu陶瓷均具有巨介电常数(>104,1kHz)和较低的损耗(~10-1)。CCTO/Cu陶瓷的巨介电常数与其半导体部分密切相关。相对于CCTO陶瓷,CCTO/Cu陶瓷介电常数具有更强的温度依赖性。 展开更多
关键词 巨介电常数 烧结温度 CCTO/Cu陶瓷
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CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电常数多孔陶瓷的制备 被引量:2
12
作者 曾华 王聪 +3 位作者 周密 邓晓清 余冬冬 王升高 《武汉工程大学学报》 CAS 2010年第5期74-76,共3页
通过固相合成及常压烧结的方法,以淀粉为造孔剂制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)巨介电常数多孔陶瓷材料,采用XRD、SEM等测试手段对其合成与烧结过程中的物相变化进行了表征.结果表明,制备该CCTO多孔陶瓷的适宜烧结温度为1075℃,试样结晶完整,... 通过固相合成及常压烧结的方法,以淀粉为造孔剂制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)巨介电常数多孔陶瓷材料,采用XRD、SEM等测试手段对其合成与烧结过程中的物相变化进行了表征.结果表明,制备该CCTO多孔陶瓷的适宜烧结温度为1075℃,试样结晶完整,孔隙率大,大孔与小孔之间形成交错分布的开气孔结构,能够达到预期的效果. 展开更多
关键词 CACU3TI4O12 多孔陶瓷 巨介电常数
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CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷巨介电常数来源的研究 被引量:2
13
作者 张家祥 索娜 罗发 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2017年第2期90-94,共5页
采用固相反应法在1055~1095℃制备了CaCu_3Ti_4O_(12)电介质陶瓷材料(以下简称CCTO),并研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷介电性能的变化,优化出了最佳制备CCTO陶瓷的工艺参数。利用XRD技术研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷立方钙钛矿结构的晶... 采用固相反应法在1055~1095℃制备了CaCu_3Ti_4O_(12)电介质陶瓷材料(以下简称CCTO),并研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷介电性能的变化,优化出了最佳制备CCTO陶瓷的工艺参数。利用XRD技术研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷立方钙钛矿结构的晶格常数的演变过程,通过观察SEM证明了CCTO陶瓷的巨介电常数和晶粒尺寸大小成正比例,最后结合阻抗谱分析技术证明了CCTO陶瓷的低频介电损耗主要由晶界电阻决定,而晶粒电阻的大小直接影响着CCTO陶瓷的巨介电常数,因此推断出CCTO陶瓷的巨介电常数应该起源于晶粒。 展开更多
关键词 CCTO 烧结温度 巨介电常数 起源
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非化学计量比巨介电CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷研究 被引量:2
14
作者 梁桃华 胡永达 +3 位作者 杨邦朝 杨仕清 马嵩 赖玲庆 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期211-213,217,共4页
采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu3Ti4O12(简称CCTO)陶瓷。当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08∶3.00∶4.44时,获得了相对介电常数在1kHz下高达4×105(1kHz)的巨介电CCTO陶瓷,其介电常数比标准化学计量比CCTO陶瓷高约一个数... 采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu3Ti4O12(简称CCTO)陶瓷。当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08∶3.00∶4.44时,获得了相对介电常数在1kHz下高达4×105(1kHz)的巨介电CCTO陶瓷,其介电常数比标准化学计量比CCTO陶瓷高约一个数量级。结合XRD、SEM、EDX等分析表征结果,对巨介电常数的物理机理进行了探讨。 展开更多
关键词 CCTO 非化学计量比 巨介电常数 机理
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Analysis of Electrical Properties of Post-Annealed Polycrystalline CaCu3Ti4O12 Films by Impedance Spectroscopy
15
作者 方亮 沈明荣 +1 位作者 李振亚 曹文开 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第4期990-993,共4页
Impedance spectroscopy is performed to establish the electrical property and microstructure relations of the asdeposited and post-annealed polycrystalline CaCu3Ti4O12 (CCTO) films. Our results show that the resistan... Impedance spectroscopy is performed to establish the electrical property and microstructure relations of the asdeposited and post-annealed polycrystalline CaCu3Ti4O12 (CCTO) films. Our results show that the resistance and capacitance of the grains and grain boundaries could be tuned by changing the annealing atmosphere and temperature. The simple resistor-capacitor equivalent circuit and the modified constant phase element (CPE) circuit are used to describe the impedance spectroscopy, and excellent agreement between the calculated and measured curves is obtained in the CPE circuit. Based on the experimental results, it is suggested that the origin of the semiconductivity of the grains in CCTO polycrystalline films originates from their oxygen-loss, while the grain boundaries are close to oxygen- stoichiometry. 展开更多
关键词 giant dielectric-constant CERAMICS
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CaCu_3Ti_4O_(12)多晶块体的巨介电常数研究 被引量:1
16
作者 魏会贤 申海霞 《铸造技术》 CAS 北大核心 2014年第11期2519-2521,共3页
采用固相法制备了Ca Cu3Ti4O12多晶块体,研究了其介电常数随温度和频率的变化。结果表明,在温度为300 K、频率为1 k Hz时,多晶块的介电常数高达14 000;频率为1 k Hz时,介电常数基本不随温度的变化而改变。动态变化的极化弛豫使Ca Cu3Ti4... 采用固相法制备了Ca Cu3Ti4O12多晶块体,研究了其介电常数随温度和频率的变化。结果表明,在温度为300 K、频率为1 k Hz时,多晶块的介电常数高达14 000;频率为1 k Hz时,介电常数基本不随温度的变化而改变。动态变化的极化弛豫使Ca Cu3Ti4O12多晶块具有巨介电常数,混合价Ti离子导致极化子的热激活使Ca Cu3Ti4O12多晶块的介电特性出现反常效应。 展开更多
关键词 铁电体 CA Cu3Ti4O12多晶块 巨介电常数
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KBT CuW铁电陶瓷晶粒异常生长和巨介电性能研究
17
作者 张凯新 方频阳 +2 位作者 郅冲阳 宋刚刚 惠增哲 《西安工业大学学报》 CAS 2023年第4期315-322,共8页
为了探究Cu/W掺杂对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4)O_(15)(KBT)铁电陶瓷显微组织和介电性能的影响,文中采用固相反应法制备了K_(0.5)Bi_(4.5-x)Ti_(4-x)(Cu_(0.5)W_(0.5))_(2 x)O_(15)(KBT-CuW_(x),x分别为0.00,0.01,0.02,0.03)陶瓷。采用X射线... 为了探究Cu/W掺杂对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4)O_(15)(KBT)铁电陶瓷显微组织和介电性能的影响,文中采用固相反应法制备了K_(0.5)Bi_(4.5-x)Ti_(4-x)(Cu_(0.5)W_(0.5))_(2 x)O_(15)(KBT-CuW_(x),x分别为0.00,0.01,0.02,0.03)陶瓷。采用X射线衍射分析仪表征陶瓷的相结构,扫描电子显微镜分析陶瓷的显微组织形貌,利用精密阻抗分析仪测试室温下不同频率(100 Hz~107 Hz)的介电常数ε′和介电损耗tanδ,并测试不同温度(303~453 K)下的阻抗谱,最后利用Arrhenius公式计算得到KBT-CuW陶瓷电导率和温度关系。研究结果表明:KBT-CuW陶瓷为正交相结构并且伴有异常长大的晶粒出现;随着Cu^(2+)和W^(6+)含量的增加,陶瓷中大晶粒尺寸逐渐减小,数量逐渐增加,其介电常数显著提高,x=0.03陶瓷在100 Hz下介电常数达到了106;KBT-CuW陶瓷的低频巨介电响应与异常长大晶粒引起的缺陷偶极子和界面响应有关。 展开更多
关键词 KBT陶瓷 巨介电常数 Cu/W掺杂 异常生长晶粒
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化学计量比偏移对钛酸铜钙陶瓷微观结构和电性能的影响
18
作者 邓腾飞 卢振亚 +2 位作者 李晓明 欧润彬 陈志武 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期137-140,共4页
采用固相法制备了偏离化学计量的CCTO陶瓷样品(组成Ca Cu3+xTi4O12,x=–0.12^+0.12),研究发现Cu含量的改变对微观结构和介电性能影响显著。符合化学计量比的Ca Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷微观结构不均匀,部分晶粒发生异常生长,而CCTO晶粒间界... 采用固相法制备了偏离化学计量的CCTO陶瓷样品(组成Ca Cu3+xTi4O12,x=–0.12^+0.12),研究发现Cu含量的改变对微观结构和介电性能影响显著。符合化学计量比的Ca Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷微观结构不均匀,部分晶粒发生异常生长,而CCTO晶粒间界存在明显的富Cu相析出。随着Cu含量减少,晶粒平均粒径减小并趋于均匀。电性能测试结果表明,标准化学计量或Cu过量(x=0~0.12)的CCTO陶瓷样品,表观介电系数、压敏电压与样品厚度的关系符合体型或晶界型特征,即表观介电系数与样品厚度无关,压敏电压与样品厚度成正比;减少Cu含量(x=0~–0.12),这种体型或晶界型特征逐渐转变为表面型特征,当x<–0.08时,样品的表观介电系数与样品厚度成正比,压敏电压与样品厚度无关,表现出表面效应特征。 展开更多
关键词 钛酸铜钙 巨介电系数 CU含量 微观结构
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Ca_(0.85)Bi_(0.10)Cu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能研究
19
作者 徐玲芳 罗洋镇 陈德建 《湖北工程学院学报》 2014年第6期79-82,共4页
利用固相反应法制备了Ca0.85Bi0.10Cu3Ti4O12(BCCTO)高介电陶瓷材料。通过X射线衍射、介电频谱、阻抗谱和I-V特性曲线等测试,研究了不同烧结时间对BCCTO陶瓷结构和介电性能的影响。研究发现不同烧结温度的BCCTO陶瓷均为立方相钙钛矿结构... 利用固相反应法制备了Ca0.85Bi0.10Cu3Ti4O12(BCCTO)高介电陶瓷材料。通过X射线衍射、介电频谱、阻抗谱和I-V特性曲线等测试,研究了不同烧结时间对BCCTO陶瓷结构和介电性能的影响。研究发现不同烧结温度的BCCTO陶瓷均为立方相钙钛矿结构,随烧结时间的延长其介电常数和非线性特性均有明显提高,样品表现出明显的Maxwell-Wagner(M-W)弛豫特征,表明样品中包含半导型的晶粒和绝缘层,这种IBLC结构对其介电和I-V特性都有重要贡献,延长烧结时间可以显著增强M-W弛豫特性。 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12陶瓷 掺杂 固相反应法 巨介电常数
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CaCu_3Ti_4O_(12)-xMg_2TiO_4陶瓷的介电性能
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作者 杨锋莉 吴俊林 +1 位作者 闫妍 刘鹏 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期23-26,30,共5页
采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xMg2TiO4(x=0,0.2,0.4,0.6)陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCT... 采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xMg2TiO4(x=0,0.2,0.4,0.6)陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCTO材料微观结构和介电性能的影响.结果表明:添加Mg2TiO4可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低CCTO陶瓷样品低频范围的介电损耗.当x=0.2时,在50~150 Hz频率范围内,tanδ均在0.05附近.该实验结果为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用提供了实验依据. 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12(CCTO) 巨介电常数 电流-电压非线性
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