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基于门极阻容补偿网络的IGBT串联均压方法
被引量：
10
1
作者
梅桂芳
安昱
张建
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第4期35-47,共13页
针对IGBT串联应用中关断过程均压问题,对IGBT的关断过程进行了详细分析,总结出影响IGBT关断过程的核心等效电路和计算公式。在此基础上提出一种基于门极补偿阻容网络的IGBT串联均压方法,推导出增加门极阻容补偿网络后串联IGBT动态电压...
针对IGBT串联应用中关断过程均压问题,对IGBT的关断过程进行了详细分析,总结出影响IGBT关断过程的核心等效电路和计算公式。在此基础上提出一种基于门极补偿阻容网络的IGBT串联均压方法,推导出增加门极阻容补偿网络后串联IGBT动态电压不均衡度和关断时间影响的计算公式,并提出门极阻容网络参数的选取原则。建立基于Lumped Charge方法的IGBT半物理数值模型,对IGBT门极阻容补偿网络进行仿真验证。给出了实际测试工况下的补偿网络参数,建立IGBT串联均压实验系统,进行多种电压、电流工况下的实验验证。仿真和实验表明:该方法可以有效控制串联IGBT的延迟时间和动态电压上升速率的差异,在母线电压为2 000V和关断峰值电流为1 500A时,采用该控制方法可将串联IGBT的动态尖峰电压不均衡度由14.4%降至6.3%。
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关键词
IGBT串联
门极阻容网络
动态特性
关断特性
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职称材料
绝缘栅双极晶体管串联关键技术
被引量：
5
2
作者
余琳
黄康
+2 位作者
王海军
王剑平
盖玲
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期1315-1319,共5页
为实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的多级串联,以电阻/电容/二极管(RCD)缓冲电路为动态均压电路,通过数学分析及PSpice仿真验证,建立了RCD缓冲电路参数选择模型;设计了基于数字信号处理器(DSP)控制、光纤隔离传输,以M57962L为IGBT驱动器的...
为实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的多级串联,以电阻/电容/二极管(RCD)缓冲电路为动态均压电路,通过数学分析及PSpice仿真验证,建立了RCD缓冲电路参数选择模型;设计了基于数字信号处理器(DSP)控制、光纤隔离传输,以M57962L为IGBT驱动器的驱动电路及故障反馈电路,能驱动32只串联IGBT并对其进行过流和短路保护,32只IGBT的最大导通时间不超过90ns,短路保护响应时间约为6μs;设计了8路独立输出的50kV隔离的高压隔离电源,实现IGBT串联电路各部分的供电及电隔离。基于以上IGBT串联方法,实现了32只1200VIGBT的串联,串联电路可稳定工作在20kV电压下。
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关键词
IGBT串联
RCD缓冲电路
IGBT驱动
短路保护
高电压隔离
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职称材料
题名
基于门极阻容补偿网络的IGBT串联均压方法
被引量：
10
1
作者
梅桂芳
安昱
张建
机构
西安许继电力电子技术有限公司
许继集团有限公司
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第4期35-47,共13页
文摘
针对IGBT串联应用中关断过程均压问题,对IGBT的关断过程进行了详细分析,总结出影响IGBT关断过程的核心等效电路和计算公式。在此基础上提出一种基于门极补偿阻容网络的IGBT串联均压方法,推导出增加门极阻容补偿网络后串联IGBT动态电压不均衡度和关断时间影响的计算公式,并提出门极阻容网络参数的选取原则。建立基于Lumped Charge方法的IGBT半物理数值模型,对IGBT门极阻容补偿网络进行仿真验证。给出了实际测试工况下的补偿网络参数,建立IGBT串联均压实验系统,进行多种电压、电流工况下的实验验证。仿真和实验表明:该方法可以有效控制串联IGBT的延迟时间和动态电压上升速率的差异,在母线电压为2 000V和关断峰值电流为1 500A时,采用该控制方法可将串联IGBT的动态尖峰电压不均衡度由14.4%降至6.3%。
关键词
IGBT串联
门极阻容网络
动态特性
关断特性
Keywords
Series-connected
IGBT
gate
resistor
-
capacitor
circuit
switching
characteristics
turn-off
characteristics
分类号
TM46 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
绝缘栅双极晶体管串联关键技术
被引量：
5
2
作者
余琳
黄康
王海军
王剑平
盖玲
机构
浙江大学生物系统工程与食品科学学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期1315-1319,共5页
基金
国家高技术发展计划项目
文摘
为实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的多级串联,以电阻/电容/二极管(RCD)缓冲电路为动态均压电路,通过数学分析及PSpice仿真验证,建立了RCD缓冲电路参数选择模型;设计了基于数字信号处理器(DSP)控制、光纤隔离传输,以M57962L为IGBT驱动器的驱动电路及故障反馈电路,能驱动32只串联IGBT并对其进行过流和短路保护,32只IGBT的最大导通时间不超过90ns,短路保护响应时间约为6μs;设计了8路独立输出的50kV隔离的高压隔离电源,实现IGBT串联电路各部分的供电及电隔离。基于以上IGBT串联方法,实现了32只1200VIGBT的串联,串联电路可稳定工作在20kV电压下。
关键词
IGBT串联
RCD缓冲电路
IGBT驱动
短路保护
高电压隔离
Keywords
series
connection
of
insulated
gate
bipolar
transistors
resistor
-
capacitor
-diode
snubber
circuit
insulated
gate
bipolar
transistor
drivers
short
circuit
protection
high
voltage
isolation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于门极阻容补偿网络的IGBT串联均压方法
梅桂芳
安昱
张建
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017
10
下载PDF
职称材料
2
绝缘栅双极晶体管串联关键技术
余琳
黄康
王海军
王剑平
盖玲
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
5
下载PDF
职称材料
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