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LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流量的动力学研究
被引量：
2
1
作者
文尚胜
范广涵
+1 位作者
廖常俊
刘颂豪
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期410-413,共4页
分析了LP -MOCVD生长InGaAlP外延层时 ,气路系统中ⅢA族源气的输运和扩散过程 ,从理论上推导出源气流量的计算公式 ,讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响 ,为精确控制气相中ⅢA族源物质的百...
分析了LP -MOCVD生长InGaAlP外延层时 ,气路系统中ⅢA族源气的输运和扩散过程 ,从理论上推导出源气流量的计算公式 ,讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响 ,为精确控制气相中ⅢA族源物质的百分含量提供了理论依据。
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关键词
LP-MOCVD
INGAALP
外延生长
源气流量
下载PDF
职称材料
题名
LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流量的动力学研究
被引量：
2
1
作者
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
机构
华南师范大学MOCVD实验室
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期410-413,共4页
文摘
分析了LP -MOCVD生长InGaAlP外延层时 ,气路系统中ⅢA族源气的输运和扩散过程 ,从理论上推导出源气流量的计算公式 ,讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响 ,为精确控制气相中ⅢA族源物质的百分含量提供了理论依据。
关键词
LP-MOCVD
INGAALP
外延生长
源气流量
Keywords
MOCVD
transport
process
diffusion
process
gas
path
system
gas
reactant
flux
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流量的动力学研究
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
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职称材料
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