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SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化 被引量:7
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作者 聂瑞杰 徐智勇 +2 位作者 张启衡 王华闯 程华 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1661-1668,共8页
从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案。阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势。根据水下测深信号的回波... 从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案。阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势。根据水下测深信号的回波特性,设计了高速、高带宽的前置放大器,并对前置放大器进行了交流分析和瞬态分析。结果表明,该前置放大电路在带宽内具有很高的增益平坦度,相位裕度大于60°,基本保证了信号的完整性,同时保持了激光脉冲的波形。分析和测试结果表明,该探测器和电路设计方案完全能够满足水下三维测深的需要。 展开更多
关键词 硅光电倍增管(SiPM) 微等离子体 电子行为模型 三维测深仪 前置放大电路 最优设计
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