-
题名超低压CMOS混频器比较设计及特性分析
被引量：1
- 1
-
-
作者
魏莹辉
朱樟明
杨银堂
-
机构
西安电子科技大学微电子研究所
-
出处
《电子器件》
EI
CAS
2005年第1期114-117,121,共5页
-
文摘
讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的转换增益为-17.95 dB和-8.5 dB,三阶输入截止点的值为 33.2 dB和 28.4 dB;在0.6 V的单电源电压下,输入正弦信号分别为频率为20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz时,准浮栅混频器的转换增益为-14.23 dB和-21.8 dB,三阶输入截止点的值为35.9 dB和34.6 dB。仿真结果比较显示,衬底驱动混频器具有更高的转换增益,而准浮栅混频器具有更好的频域特性和低压特性。而且它们在频率较低时的性能更好。
-
关键词
超低压
准浮栅
衬底驱动
混频器
转换增益
频域特性
-
Keywords
low-voltage
bulk-driven
quasi-floating-gate
mixer
frequency domain specification
-
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN773
-
