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基于功率型LED散热技术的研究 被引量：45
1
作者 刘一兵 黄新民 刘国华 《照明工程学报》 2008年第1期69-73,共5页
散热制约了LED功率的进一步提高。本文在分析功率LED受热效应影响的基础上,从改进LED结构角度来解决散热问题。芯片采用倒装焊结构,可降低热阻,提高散热能力,对倒装焊结构的热能扩散途径进行了阐述,指出采用导热性能优良的封装材料是提... 散热制约了LED功率的进一步提高。本文在分析功率LED受热效应影响的基础上,从改进LED结构角度来解决散热问题。芯片采用倒装焊结构,可降低热阻,提高散热能力,对倒装焊结构的热能扩散途径进行了阐述,指出采用导热性能优良的封装材料是提高散热效率的重要途径。并对密封材料,键合材料,散热基板对散热的影响作了详细的分析,最后介绍了采用热沉散热的最新进展,并提出了今后的研究方向。 展开更多
关键词 功率LED 散热 倒装焊 封装材料
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迈向新世纪的微电子封装技术 被引量：18
2
作者 况延香 马莒生 《电子工艺技术》 2000年第1期1-6,共6页
论述了微电子封装技术的现状与未来，提出了跨世纪的微电子封装中几个值得注意的发展动向，展现了迈向新世纪的单级集成模块（ＳＬＩＭ） 封装的美好前景。同时，可以看出ＩＣ 芯片与微电子封装技术相互促进，协调发展密不可分的关系。
关键词 微电子封装 单级集成模块 集成电路
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BGA封装技术 被引量：25
3
作者 杨兵 刘颖 《电子与封装》 2003年第4期6-13,27,共9页
本文简述了BGA封装产品的特点、结构以及一些BGA产品的封装工艺流程,对BGA封装中芯片和基板两种互连方法——引线键合/倒装焊键合进行了比较以及对几种常规BGA封装的成本/性能的比较,并介绍了BGA产品的可靠性。另外,还对开发我国BGA封... 本文简述了BGA封装产品的特点、结构以及一些BGA产品的封装工艺流程,对BGA封装中芯片和基板两种互连方法——引线键合/倒装焊键合进行了比较以及对几种常规BGA封装的成本/性能的比较,并介绍了BGA产品的可靠性。另外,还对开发我国BGA封装技术提出了建议。 展开更多
关键词 BGA 结构 基板 引线键合 倒装焊键合
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倒装焊技术及应用 被引量：20
4
作者 任春岭 鲁凯 丁荣峥 《电子与封装》 2009年第3期15-20,共6页
随着集成电路封装密度的提高,传统引线键合技术已经无法满足要求,倒装焊技术的发展能够解决该问题,并且得到了广泛的应用。文章介绍了倒装焊中的4种关键工艺技术,即UBM制备技术、凸点制备方法、倒装和下填充技术。其中凸点制备技术直接... 随着集成电路封装密度的提高,传统引线键合技术已经无法满足要求,倒装焊技术的发展能够解决该问题,并且得到了广泛的应用。文章介绍了倒装焊中的4种关键工艺技术,即UBM制备技术、凸点制备方法、倒装和下填充技术。其中凸点制备技术直接决定着倒装焊技术的好坏,为满足不同产品的需求,出现了不同的凸点制备技术,使倒装焊技术具备了好的发展前景。文章对各工艺技术的应用特点进行了阐述,并对倒装焊技术的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 倒装芯片 凸点 UBM 底部填充 组装技术
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倒装芯片凸点制作方法 被引量：11
5
作者 李福泉 王春青 张晓东 《电子工艺技术》 2003年第2期62-66,共5页
倒装芯片技术正得到广泛应用 ,凸点形成是其工艺过程的关键。介绍了现有的凸点制作方法 ,包括蒸发沉积、印刷、电镀、微球法、黏点转移法、SB2 -Jet法、金属液滴喷射法等。每种方法都各有其优缺点 ,适用于不同的工艺要求。可以看到要使... 倒装芯片技术正得到广泛应用 ,凸点形成是其工艺过程的关键。介绍了现有的凸点制作方法 ,包括蒸发沉积、印刷、电镀、微球法、黏点转移法、SB2 -Jet法、金属液滴喷射法等。每种方法都各有其优缺点 ,适用于不同的工艺要求。可以看到要使倒装芯片技术得到更广泛的应用 。 展开更多
关键词 凸点制作方法 倒装芯片 钎料凸点 表面组装技术 蒸发沉积法 印刷法 电镀法 微球法
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先进的MEMS封装技术 被引量：10
6
作者 王海宁 王水弟 +1 位作者 蔡坚 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期7-10,共4页
从特殊的信号界面、立体结构、外壳、钝化和可靠性五个方面总结了MEMS封装的特殊性。介绍了几种当前先进的MEMS封装技术:倒装焊MEMS、多芯片 (MCP)和模块式封装(MOMEMS)。最后强调,必须加强MEMS封装的研究。
关键词 MEMS 封装技术 倒装焊 模块式封装 多芯片 微机电系统 集成电路制造工艺
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倒装芯片凸焊点的UBM 被引量：8
7
作者 郭江华 王水弟 +2 位作者 张忠会 胡涛 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期60-64,共5页
介绍了倒装芯片凸焊点的焊点下金属（ＵＢＭ）系统，讨论了电镀Ａｕ凸焊点用ＵＢＭ的溅射工艺和相应靶材、溅射气氛的选择，给出了凸焊点ＵＢＭ质量的考核试验方法和相关指标。
关键词 倒装芯片 凸焊点 UBM 微电子封装
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BGA/CSP和倒装焊芯片面积阵列封装技术 被引量：17
8
作者 罗伟承 刘大全 《中国集成电路》 2009年第2期49-55,共7页
随着表面安装技术的迅速发展,新的封装技术不断出现,面积阵列封装技术成了现代封装的热门话题,而BGA/CSP和倒装焊芯片(Flip Chip)是面积阵列封装主流类型。BGA/CSP和倒装焊芯片的出现,适应了表面安装技术的需要,解决了高密度、高性能、... 随着表面安装技术的迅速发展,新的封装技术不断出现,面积阵列封装技术成了现代封装的热门话题,而BGA/CSP和倒装焊芯片(Flip Chip)是面积阵列封装主流类型。BGA/CSP和倒装焊芯片的出现,适应了表面安装技术的需要,解决了高密度、高性能、多功能及高I/O数应用的封装难题。本文介绍了BGA/CSP和倒装焊芯片的封装理论和技术优势及制造流程,并阐述了植球机的基本构成和工作原理。 展开更多
关键词 面积阵列封装 BGA CSP 倒装焊芯片 植球机
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MEMS封装技术研究进展 被引量：8
9
作者 李金 郑小林 +1 位作者 张文献 陈默 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期26-31,共6页
介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。
关键词 MEMS 封装技术 多芯片组件 倒装芯片封装 准密封封装
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基于TSV倒装焊与芯片叠层的高密度组装及封装技术 被引量：12
10
作者 汤姝莉 赵国良 +2 位作者 薛亚慧 袁海 杨宇军 《电子与封装》 2022年第8期1-6,共6页
系统级封装(Si P)及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成,是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能、高可靠需求的关键技术。重点阐述了基于硅通孔(TSV)转接板的倒装焊立体组装及其过程质量控制、基于... 系统级封装(Si P)及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成,是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能、高可靠需求的关键技术。重点阐述了基于硅通孔(TSV)转接板的倒装焊立体组装及其过程质量控制、基于键合工艺的芯片叠层、基于倒装焊的双通道散热封装等高密度模块涉及的组装及封装技术,同时对利用TSV转接板实现多芯片倒装焊的模组化、一体化集成方案进行了研究。基于以上技术实现了信息处理Si P模块的高密度、气密性封装,以及满足多倒装芯片散热与CMOS图像传感器(CIS)采光需求的双面三腔体微系统模块封装。 展开更多
关键词 硅通孔 倒装芯片 芯片叠层 高效散热 高密度组装
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大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析 被引量：12
11
作者 王立彬 陈宇 +4 位作者 刘志强 伊晓燕 马龙 潘领峰 王良臣 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期769-773,共5页
对功率型倒装结构发光二极管(LED)温度场分布进行了有限元模拟,与实测结果进行了比较,并结合传热学基本原理对模拟结果进行了分析。结果表明,凸点的形状及分布与芯片内部温差有着密切的关系,蓝宝石的厚度对芯片内部温差也有一定的影响... 对功率型倒装结构发光二极管(LED)温度场分布进行了有限元模拟,与实测结果进行了比较,并结合传热学基本原理对模拟结果进行了分析。结果表明,凸点的形状及分布与芯片内部温差有着密切的关系,蓝宝石的厚度对芯片内部温差也有一定的影响。同时,对倒装结构与正装结构的热阻进行了比较。 展开更多
关键词 GAN LED 热模拟 有限元 倒装结构
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微电子封装技术的发展现状 被引量：10
12
作者 张满 《焊接技术》 北大核心 2009年第11期1-5,共5页
论述了微电子封装技术的发展历程、发展现状及发展趋势,主要介绍了微电子封装技术中的芯片级互联技术与微电子装联技术。芯片级互联技术包括引线键合技术、载带自动焊技术、倒装芯片技术。倒装芯片技术是目前半导体封装的主流技术。微... 论述了微电子封装技术的发展历程、发展现状及发展趋势,主要介绍了微电子封装技术中的芯片级互联技术与微电子装联技术。芯片级互联技术包括引线键合技术、载带自动焊技术、倒装芯片技术。倒装芯片技术是目前半导体封装的主流技术。微电子装联技术包括波峰焊和再流焊。再流焊技术有可能取代波峰焊技术,成为板级电路组装焊接技术的主流。从微电子封装技术的发展历程可以看出,IC芯片与微电子封装技术是相互促进、协调发展、密不可分的,微电子封装技术将向小型化、高性能并满足环保要求的方向发展。 展开更多
关键词 微电子封装 倒装芯片 再流焊 发展现状
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倒装芯片封装结构中SnAgCu焊点热疲劳寿命预测方法研究 被引量：10
13
作者 李晓延 王志升 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期893-898,共6页
由于焊点区非协调变形导致的热疲劳失效是倒装芯片封装(包括无铅封装)结构的主要失效形式。到目前为止,仍无公认的焊点寿命和可靠性的评价方法。文中分别采用双指数和双曲正弦本构模型描述SnAgCu焊点的变形行为,通过有限元方法计算焊点... 由于焊点区非协调变形导致的热疲劳失效是倒装芯片封装(包括无铅封装)结构的主要失效形式。到目前为止,仍无公认的焊点寿命和可靠性的评价方法。文中分别采用双指数和双曲正弦本构模型描述SnAgCu焊点的变形行为,通过有限元方法计算焊点累积蠕变应变和累积蠕变应变能密度,进而据此预测倒装芯片封装焊点的热疲劳寿命。通过实验验证,评价上述预测方法的可行性。结果表明,倒装芯片的寿命可由芯片角焊点的寿命表征;根据累积蠕变应变能密度预测的焊点热疲劳寿命比根据累积蠕变应变预测的焊点热疲劳寿命更接近实测数据;根据累积蠕变应变预测的热疲劳寿命比根据累积蠕变应变能密度预测的热疲劳寿命长;采用双指数本构模型时,预测的焊点热疲劳寿命也较长。 展开更多
关键词 热疲劳 寿命预测 倒装芯片焊点 无铅化
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倒装芯片封装技术的发展 被引量：11
14
作者 刘培生 杨龙龙 +2 位作者 卢颖 黄金鑫 王金兰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期1-5,15,共6页
倒装芯片(FC)技术已经广泛应用于集成电路封装工艺中。介绍了FC技术的发展,讨论了FC的关键技术,如凸点下金属(UBM)、焊料凸点(Solder bump)、下填料(Underfill)、基板技术(Substrate),阐述了FC中的新技术,如铜柱(Cu pillar)、可控塌陷... 倒装芯片(FC)技术已经广泛应用于集成电路封装工艺中。介绍了FC技术的发展,讨论了FC的关键技术,如凸点下金属(UBM)、焊料凸点(Solder bump)、下填料(Underfill)、基板技术(Substrate),阐述了FC中的新技术,如铜柱(Cu pillar)、可控塌陷芯片连接新工艺(C4NP),分析了FC的可靠性,最后展望了FC与硅通孔(TSV)技术的结合趋势。 展开更多
关键词 集成电路 倒装芯片 综述 无铅焊料 底部填充 硅通孔
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倒装结构大功率蓝光LEDs的研制 被引量：10
15
作者 伊晓燕 郭金霞 +4 位作者 马龙 王立彬 陈宇 刘志强 王良臣 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期693-696,共4页
从器件制作角度入手，对基于Ⅲ族氮化物的功率型蓝光LEDs结构和电极体系进行了优化设计。采用梳状结构、高反电极体系及倒装焊技术，研制出大功率蓝光LEDs，在350mA工作电流下，工作电压为3．3～3．5V，输出功率达137．71mW，反向5V电... 从器件制作角度入手，对基于Ⅲ族氮化物的功率型蓝光LEDs结构和电极体系进行了优化设计。采用梳状结构、高反电极体系及倒装焊技术，研制出大功率蓝光LEDs，在350mA工作电流下，工作电压为3．3～3．5V，输出功率达137．71mW，反向5V电压下的漏电流小于1μA。 展开更多
关键词 大功率 LEDS 梳状结构 高反电极 倒装结构
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高光提取效率倒装发光二极管的设计与优化 被引量：10
16
作者 江孝伟 赵建伟 武华 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第9期390-395,共6页
为了提高倒装发光二极管(LED)的光提取效率,提出在蓝宝石衬底出光面上制备一层SiO2介质光栅,形成表面光栅倒装LED结构。利用RSOFT软件的CAD模块建立表面光栅倒装LED模型,随后使用RSOFT软件的LED模块模拟并优化该表面光栅倒装LED。通过... 为了提高倒装发光二极管(LED)的光提取效率,提出在蓝宝石衬底出光面上制备一层SiO2介质光栅,形成表面光栅倒装LED结构。利用RSOFT软件的CAD模块建立表面光栅倒装LED模型,随后使用RSOFT软件的LED模块模拟并优化该表面光栅倒装LED。通过模拟优化和理论分析可得,当p-GaN层厚度hp=220nm,n-GaN层厚度hn=100nm,蓝宝石衬底厚度hs=130nm,光栅周期p=260nm,光栅厚度hg=20nm,光栅占空比f=0.02时,表面光栅倒装LED的光提取效率可以达到49.12%,相比于普通最优倒装LED的光提取效率(30.56%)提高了63%。本研究可为后续设计高光提取效率的LED提供参考,同时亦可为制备器件提供理论指导。 展开更多
关键词 光学器件 发光二极管 光提取效率 倒装 光栅
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有铅和无铅倒装焊点研究 被引量：10
17
作者 姜学明 林鹏荣 +2 位作者 练滨浩 文惠东 黄颖卓 《电子工艺技术》 2017年第1期26-28,共3页
首先对有铅和无铅倒装焊点的剪切强度进行了对比,并对其焊点的断口形貌进行了观察,然后对焊点界面的组织成分进行了分析。试验结果表明,97.5Sn2.5Ag焊点界面主要形成物是Ni3Sn4金属间化合物,90Pb10Sn焊点界面主要形成物是Ni3Sn2和Ni3Sn4... 首先对有铅和无铅倒装焊点的剪切强度进行了对比,并对其焊点的断口形貌进行了观察,然后对焊点界面的组织成分进行了分析。试验结果表明,97.5Sn2.5Ag焊点界面主要形成物是Ni3Sn4金属间化合物,90Pb10Sn焊点界面主要形成物是Ni3Sn2和Ni3Sn4,97.5Sn2.5Ag芯片的剪切强度大于90Pb10Sn的剪切强度,断裂位置位于基板焊盘与Mo的结合面或芯片UBM与粘附层的结合面,90Pb10Sn断裂位置位于焊料内部,表明97.5Sn2.5Ag焊料的抗剪切强度更高,而90Pb10Sn焊料的塑性和韧性更好。 展开更多
关键词 倒装焊 剪切强度 断口形貌 金属间化合物
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热冲击条件下倒装组装微焊点的可靠性—寿命预测 被引量：10
18
作者 田野 任宁 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期51-54,131,共4页
采用有限元模拟法分析在-55~125℃热冲击过程中倒装微焊点的失效情况,结合模拟及试验数据,根据以能量为基础的Darveaux寿命模型预测关键焊点的疲劳寿命.结果表明,组装体边角焊点最易失效,裂纹形成在芯片侧焊盘附近的焊料基体中,由焊点... 采用有限元模拟法分析在-55~125℃热冲击过程中倒装微焊点的失效情况,结合模拟及试验数据,根据以能量为基础的Darveaux寿命模型预测关键焊点的疲劳寿命.结果表明,组装体边角焊点最易失效,裂纹形成在芯片侧焊盘附近的焊料基体中,由焊点的外侧向内侧扩展;根据裂纹平均生长速率和微焊点累积塑性应变能密度,计算获得微焊点Darveaux寿命模型参数K_1,K_2,K_3及K_4分别为1 648.96,-0.234 9,0.004 79及-0.700 4,边角微焊点的疲劳寿命为6 171次循环. 展开更多
关键词 倒装芯片 微焊点 热冲击 可靠性 寿命预测
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新能源汽车锂电池防爆盖结构设计 被引量：10
19
作者 蒋南希 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1129-1133,共5页
分析了电动汽车用锂电池存在的防爆安全问题,指出了现有防爆盖帽模组成组技术中存在的不足,设计了一种新型锂电池防爆盖帽模组,对模组中的关键件防爆片、SSD翻转片、Cu-Al复合电极等给出了具体的设计参数和选材,并给出了关键的性能参数... 分析了电动汽车用锂电池存在的防爆安全问题,指出了现有防爆盖帽模组成组技术中存在的不足,设计了一种新型锂电池防爆盖帽模组,对模组中的关键件防爆片、SSD翻转片、Cu-Al复合电极等给出了具体的设计参数和选材,并给出了关键的性能参数。防爆片设计中,在基体片中第一级降低爆破压力所开设的减薄槽内截面为0.21 mm×60 mm,深0.1 mm,第二级为顶面预留0.08 mm厚度;翻转片在工作气压P大小区间为0.35 MPa<P<1.2 MPa的条件下,中央F 4 mm减薄应力承受平台常态时为0.3 mm,翻转时为1.1 mm;Cu-Al复合电极的工艺条件是电极铜板端材料为Cu,T2态;电极铝柱端材料为Al-1060,H14态,采用摩擦焊焊接。设计的防爆盖保护模组结构合理、工作稳定、安全可靠,可为同类结构的锂电池保护设计提供有益的借鉴。 展开更多
关键词 锂电池 防爆设计 翻转片 防爆片 复合电极
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先进封装关键工艺设备面临的机遇和挑战 被引量：10
20
作者 王志越 易辉 高尚通 《电子工业专用设备》 2012年第4期1-6,12,共7页
随着信息技术的发展,集成电路封装工艺技术发展为先进封装技术。先进封装关键工艺设备作为实现先进封装工艺的基础和保证,已经成为制约半导体工业发展的瓶颈之一,面临良好的机遇和严峻的挑战。
关键词 封装工艺 减薄机 键合机 倒装
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