期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性
被引量:
11
1
作者
曾华荣
余寒峰
+3 位作者
初瑞清
李国荣
殷庆瑞
唐新桂
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期1437-1441,共5页
利用扫描力显微术的压电响应模式 ,并基于逆压电效应原理 ,研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性 .获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线 ,以及源于线性压电效应和电畴反转效应...
利用扫描力显微术的压电响应模式 ,并基于逆压电效应原理 ,研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性 .获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线 ,以及源于线性压电效应和电畴反转效应综合贡献的纳米尺度压电位移 场强蝶形曲线 ,证实了Caspari Merz理论在纳米尺度上的有效性 .发现了梯度铁电薄膜存在纳米尺度印刻现象 ,认为该现象的内因源于薄膜中的内偏场 .
展开更多
关键词
铁电畴
PZT铁电薄膜
电位移
纳米尺度
梯度
线性
逆压电效应
电致伸缩效应
压电响应
场强
原文传递
题名
PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性
被引量:
11
1
作者
曾华荣
余寒峰
初瑞清
李国荣
殷庆瑞
唐新桂
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
广东工业大学应用物理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期1437-1441,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :2 0 0 2CB613 3 0 7)资助的课题~~
文摘
利用扫描力显微术的压电响应模式 ,并基于逆压电效应原理 ,研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性 .获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线 ,以及源于线性压电效应和电畴反转效应综合贡献的纳米尺度压电位移 场强蝶形曲线 ,证实了Caspari Merz理论在纳米尺度上的有效性 .发现了梯度铁电薄膜存在纳米尺度印刻现象 ,认为该现象的内因源于薄膜中的内偏场 .
关键词
铁电畴
PZT铁电薄膜
电位移
纳米尺度
梯度
线性
逆压电效应
电致伸缩效应
压电响应
场强
Keywords
PZT
thin
film
field
-
induced
displacement
nanoscale
scanning
force
microscopy
分类号
O484 [理学—固体物理]
TM22 [理学—物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性
曾华荣
余寒峰
初瑞清
李国荣
殷庆瑞
唐新桂
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
11
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部