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石墨烯基电子学研究进展 被引量:7
1
作者 袁明文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第10期589-594,共6页
综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状。介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法。列举... 综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状。介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法。列举了石墨烯在电子、显示、太阳电池、传感器和氢存储等方面的应用,如在石墨烯场效应管、石墨烯纳米带场效应管(SET)、石墨烯单电子晶体管、石墨烯金属晶体管、石墨烯基纳米电子机械系统(NEMS)、石墨烯分子开关以及石墨烯基高电子迁移率晶体管(HEMT)制备方面的应用。人们已经研究出不同栅长的n/p型顶栅石墨烯场效应管(GFET),并采用标准的S参数直接表征器件的高频性能。理论和实验表明,所有石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)在室温下工作的前提是GNR的带宽尺寸小于10nm,并具有半导体场效应管的性能。 展开更多
关键词 石墨烯 石墨烯纳米带(GNR) 场效应管(fet) 单电子晶体管(SET) 纳米电子机械系统(NEMS)
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金刚石电子器件的研究进展 被引量:7
2
作者 袁明文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第10期643-649,672,共8页
简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率。回顾了金刚石器件的研究进程。讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层。详细描述了几种具有潜力的金刚石电子器件,如高压二极管... 简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率。回顾了金刚石器件的研究进程。讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层。详细描述了几种具有潜力的金刚石电子器件,如高压二极管和功率场效应管。尽管金刚石器件研究仍存在一些问题,如掺杂机理复杂,金刚石的单晶尺寸太小等,严重制约金刚石电子的进展,但是由于金刚石是超高功率和高温器件的优良半导体材料,具有替代行波管技术的潜力。当前,CVD金刚石已经大量用于微电子和光电子,包括激光二极管、微波器件、半导体散热器等。 展开更多
关键词 金刚石 宽带隙 电子器件 场效应管(fet) 化学气相沉积(CVD)
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基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性研究 被引量:5
3
作者 李静雷 郑凯波 +3 位作者 沈浩■ 邢晓艳 孙大林 陈国荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期83-86,共4页
本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS。在Vgs=0 V时,测得一维... 本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS。在Vgs=0 V时,测得一维ZnO纳米线的载流子浓度n=1.15×108cm-1,电子迁移率μe=14.4 cm2/Vs,电导率σ=0.26Ω-1cm-1。该场效应管的上限截止频率fH=1585 Hz,漏源极间电容C=25.4 pF。本文还对基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电灵敏度和光电时间响应进行了测试分析。 展开更多
关键词 氧化锌 纳米线 场效应管 频率响应
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基于FET生物传感器的病原微生物检测系统设计
4
作者 王浩 马金标 +3 位作者 毕明帆 谢新武 程智 王秀清 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第4期83-86,共4页
设计了一种基于场效应管(FET)生物传感器的检测系统。以STM32F103微处理器集成了自动进样、温度控制、光调制、数据采集与放大等模块;同时完成了基于C++软件环境的数据处理与分析人机交互界面的设计。通过对整个系统性能测试实验分析,... 设计了一种基于场效应管(FET)生物传感器的检测系统。以STM32F103微处理器集成了自动进样、温度控制、光调制、数据采集与放大等模块;同时完成了基于C++软件环境的数据处理与分析人机交互界面的设计。通过对整个系统性能测试实验分析,结果表明:该系统检测灵敏度高,响应速度快,性能稳定可靠,抗干扰性强,操作简单、便携,能够较好地满足现场快速检测病原微生物的需求。 展开更多
关键词 场效应管 生物传感器 病原微生物 检测系统
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基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 被引量:3
5
作者 王聪 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期561-569,579,共10页
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。 展开更多
关键词 石墨烯 场效应晶体管(fet) 带隙调控 超高迁移率 制备工艺
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基于场效应管的光电式电流传感器 被引量:3
6
作者 李长胜 姚健 +1 位作者 张春熹 王博 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1086-1092,共7页
提出一种新型光电式电流传感器。利用电流取样电阻将被测电流转换为电压,并利用场效应管(FET)的转移特性和发光二极管(LED)将被测电流信号转换为光强度信号,再将光信号由塑料光纤(POF)传输到光电探测器(PD),可以实现直流电流(DC)、方波... 提出一种新型光电式电流传感器。利用电流取样电阻将被测电流转换为电压,并利用场效应管(FET)的转移特性和发光二极管(LED)将被测电流信号转换为光强度信号,再将光信号由塑料光纤(POF)传输到光电探测器(PD),可以实现直流电流(DC)、方波脉冲电流(PC)以及工频交流电流(AC)的光学传感。综合利用FET的转移特性和PD的开路电压,并合理选择FET的静态工作点,可以实现DC的线性传感。在0.03~17.00A范围内,DC测量的非线性误差低于0.44%;方波脉冲电流响应的延迟时间约为160ns。本文提出的传感器具有响应速度快、结构简单、成本低和可实现绝缘测量等优点。 展开更多
关键词 光电式电流传感器 场效应管(fet) 脉冲电流(PC)测量
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GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究 被引量:3
7
作者 顾占彪 王淼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期474-478,共5页
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使... 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。 展开更多
关键词 砷化镓 场效应晶体管(fet) 微波脉冲固态功率放大器 脉冲波形顶部降落 脉冲波形顶部过冲
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CMOS工艺节点进展中器件技术的革新
8
作者 裴志军 《天津职业技术师范大学学报》 2020年第4期19-24,共6页
随着CMOS工艺技术的飞速发展,传统MOSFET器件的结构尺寸持续微缩,各种短沟道相关效应对器件性能的影响越来越严峻。在CMOS工艺节点演进中,为了减小短沟道效应的影响,改善器件性能,需要新技术、新材料以及器件结构的革新。文章回顾了应... 随着CMOS工艺技术的飞速发展,传统MOSFET器件的结构尺寸持续微缩,各种短沟道相关效应对器件性能的影响越来越严峻。在CMOS工艺节点演进中,为了减小短沟道效应的影响,改善器件性能,需要新技术、新材料以及器件结构的革新。文章回顾了应变硅技术、高K电介质、金属栅的应用,并探讨了对传统平面晶体管的器件结构革新,特别是创新的三维器件结构,包括鳍式场效应晶体管FinFET、环绕栅场效应晶体管GAAFET等。分析表明:FinFET结构中,栅极从三面围绕沟道而进行有效控制,可获得较小的亚阈值漏电及低功耗。而GAAFET结构中,栅极环绕沟道具有比FinFET更优异的性能,能够适用于下一代更先进的CMOS工艺节点。 展开更多
关键词 场效应晶体管(fet) MOS场效应晶体管(MOSfet) 短沟道效应 SOI场效应晶体管(SOIfet) 鳍式场效应晶体管(Finfet) 环绕栅场效应晶体管(GAAfet)
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碳基纳电子的新进展 被引量:2
9
作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第11期857-864,共8页
集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注。目前碳基纳电子的发展基于一维的碳纳米管和二维的石墨烯两种碳基材料。介绍了碳纳米管电子学、射频碳纳米管场效应晶体管(RF CNFET)... 集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注。目前碳基纳电子的发展基于一维的碳纳米管和二维的石墨烯两种碳基材料。介绍了碳纳米管电子学、射频碳纳米管场效应晶体管(RF CNFET)、射频石墨烯FET(RF GFET)、GFET微波单片集成电路(MMIC)和石墨烯纳带(GNR)基逻辑电路等的发展来由和最新进展;包括碳基半导体特有的材料和工艺关键技术突破,抑制缺陷的新电路设计方法,CNFET与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的三维(3D)集成应用,晶圆规模的石墨烯外延材料制备,洁净石墨烯材料工艺,GFET混频器、放大器、THz探测器和弹道整流器等MMIC的设计与制备,石墨烯柔性电子学,石墨烯双极基逻辑电路的设计与制备,GNR制备以及GNR基逻辑电路的设计等。综述了碳基纳电子各方面的创新点和进步点,以及总体发展态势。 展开更多
关键词 碳基纳电子 碳纳米管(CNT) 石墨烯 场效应晶体管(fet) 射频电子学 柔性电子学 微波单片集成电路(MMIC) 太赫兹(THz) 逻辑电路
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h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质氢终端金刚石场效应晶体管 被引量:1
10
作者 王维 蔚翠 +5 位作者 何泽召 周闯杰 郭建超 马孟宇 高学栋 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期687-691,724,共6页
金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(... 金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)/氢终端金刚石材料的载流子迁移率得到提升,达到186 cm^(2)/(V·s)。相较于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET最大饱和电流密度和最大跨导均得到提升,分别为141 mA/mm和9.7 mS/mm。通过电容-电压(C-V)测试计算了栅介质和金刚石间界面固定电荷密度和陷阱密度,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET界面负固定电荷密度为5.4×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1),低于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET(8.5×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1))。固定电荷密度低、载流子迁移率高是h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质金刚石FET性能提升的主要原因。 展开更多
关键词 金刚石 场效应晶体管(fet) 氢终端 六方氮化硼(h-BN) 栅介质
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基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源(英文) 被引量:2
11
作者 王健婧 Suvankar BISWAS +1 位作者 Mohamed H.AHMED Michael DE ROOIJ 《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期91-102,共12页
48 V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaN FET(gallium nitride field effect transistor)开辟了一种新方法,可... 48 V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaN FET(gallium nitride field effect transistor)开辟了一种新方法,可实现前所未有的转换器性能和小型化。评估了采用与适当功率等级相对应的各种拓扑结构的48 V电源架构的DC-DC电源转换中的GaN FET。首先涵盖GaN FET的开关特性分析;然后将 GaN FET用于开发各种48 V降压转换器,从同步降压、多电平和多相转换器到LLC谐振转换器;最后提供了选择合适GaN FET的指南。与传统基于MOSFET的转换器相比,这些基于GaN FET的转换器在不增加成本的情况下功率效率和功率密度显著提高。 展开更多
关键词 氮化镓 场效应晶体管 48 V电源架构 总线电源 多相变换器 多电平变换器 LLC谐振变换器
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温和氢气等离子体对薄层二硫化钼的影响研究 被引量:2
12
作者 张学成 肖少庆 +3 位作者 南海燕 张秀梅 闫大为 顾晓峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期550-554,561,共6页
薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理... 薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理,研究处理前后以及后续退火后薄层二硫化钼的光学与电学特性的变化。研究表明,氢原子在温和等离子体的作用下会渗入薄层MoS_2,从而改变原始的晶格结构并影响MoS_2的晶格振动,导致荧光淬灭,同时使薄层MoS_2趋于本征或者p型。后续退火会引起极少数MoS_2分子与氢原子的重新键合,从而改变其带隙。 展开更多
关键词 薄层二硫化钼 温和等离子体 拉曼光谱 荧光 场效应晶体管
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克服FET生物传感器德拜屏蔽效应的研究进展 被引量:1
13
作者 熊恩毅 魏淑华 +4 位作者 张兆浩 魏千惠 张双 方敏 张青竹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期169-177,共9页
目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了Bio... 目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了BioFET的工作原理;介绍了BioFET目前面临的挑战之一——德拜屏蔽效应;解释了德拜屏蔽效应的原理;探讨了克服德拜屏蔽效应的典型方法:增加德拜长度、优化目标物、优化器件结构以及降低电双层影响,并对这4个方面的研究进展从增强机理、具体方法及检测效果等方面进行了详细的分析和总结。 展开更多
关键词 场效应晶体管(fet) 生物传感器 德拜屏蔽效应 电双层 灵敏度
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二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性
14
作者 景永凯 范超 +4 位作者 孟宪成 刘哲 王蒙军 郑宏兴 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期87-93,104,共8页
采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有... 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有良好的结晶度,SnS_(2)薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性。器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W^(-1),外量子效率为1.40×10^(5)%,比探测率为7.12×10^(12)Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms。器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W^(-1)。 展开更多
关键词 二硫化锡(SnS_(2)) 场效应晶体管(fet) 可见光探测器 光响应度 栅压调控
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W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现 被引量:1
15
作者 张贞鹏 方园 孟范忠 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期675-680,共6页
研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。... 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试。在片测试结果表明,在88~104 GHz频段内,通道增益为5.0~7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W。该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中。 展开更多
关键词 微波单片集成电路(MMIC) GaAs PHEMT W波段接收前端 场效应晶体管(fet) 三次谐波混频
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An X-Band Low Noise Amplifier Design for Marine Navigation Radars
16
作者 Christina Lessi Evangelia Karagianni 《International Journal of Communications, Network and System Sciences》 2014年第3期75-82,共8页
In this paper, the design of a 9.1 GHz Low Noise Amplifier (LNA) of a RADAR receiver that is used in the Navy is presented. For the design of the LNA, we used GaAs Field-Effect Transistors (FETs) from Agilent ADS comp... In this paper, the design of a 9.1 GHz Low Noise Amplifier (LNA) of a RADAR receiver that is used in the Navy is presented. For the design of the LNA, we used GaAs Field-Effect Transistors (FETs) from Agilent ADS component library. In order to keep the cost of the circuit in low prices and the performance high, we design a two-stage LNA. 展开更多
关键词 NAVY RADAR Low Noise Amplifier (LNA) field effect transistor (fet)
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驻极体电容传声器专用管及噪声
17
作者 张鸿升 《微电子技术》 2001年第6期18-23,共6页
本文对驻极体电容传声器的原理及噪声作了分析 ,这将有助于提高它的电特性。
关键词 驻极体 电容传声器 场效应管 阻抗变换 噪声电压 噪声级
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石墨烯场效应晶体管的非线性模型
18
作者 杜光伟 李佳 +2 位作者 胡志富 冯志红 宋旭波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期292-296,301,共6页
包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表... 包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。 展开更多
关键词 石墨烯 场效应晶体管(fet) 非线性 模型 低频散射效应
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基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
19
作者 战俊 粟雅娟 +2 位作者 贾昆鹏 罗军 闫祥宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期437-443,共7页
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比... 通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比可达到105数量级,场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1,栅极漏电流为10-10 A数量级;对MoS2FET器件的光电特性进行了表征,该光电探测器具有普通光电导探测器的基本光电特性,其光电流随光照强度的增强以及源漏电压的增加而增加,同时由于栅极的调制提高了光电探测器的灵活性。通过控制栅极电压能够控制MoS2FET光电探测器的暗电流大小,实现对探测器η参数的有效调制。最后通过器件能带图对MoS_2 FET光电探测器的光电特性进行了阐释,为其走向实际应用奠定了理论基础。 展开更多
关键词 二硫化钼(MoS2) 场效应晶体管(fet) 二维(2D)半导体材料 光电探测器 过渡金属硫属化合物(TMD)
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用场效应管放大电路测量可逆电池的电动势
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作者 胡晓岚 《邵阳学院学报(社会科学版)》 1997年第2X期31-33,共3页
本文介绍应用场效应管放大电路来测量电池电动势的新原理与新方法.该测量原理与方法简单、实用,不但更新了传统的测量原理,而且也提高了测量精度和学生的学习兴趣及动手能力.
关键词 场效应管(fet) 电动势 标准电池
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