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CMOS技术的现状与展望综述
1
作者
王光伟
曹继华
+1 位作者
宋延民
张建民
《天津工程师范学院学报》
2005年第1期10-12,共3页
概述了几十年来集成电路基本单元CMOS晶体管特征尺寸的缩小以及由此带来电路性能的提高和出现的问题。其主要的挑战集中在研发成本的上升、能耗的增大和可靠性问题。阐明了驱动CMOS晶体管尺寸缩小的原因除了技术进步,更在于电路可售出...
概述了几十年来集成电路基本单元CMOS晶体管特征尺寸的缩小以及由此带来电路性能的提高和出现的问题。其主要的挑战集中在研发成本的上升、能耗的增大和可靠性问题。阐明了驱动CMOS晶体管尺寸缩小的原因除了技术进步,更在于电路可售出成本的下降。
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关键词
CMOS晶体管
半导体器件
特征尺寸缩小
集成电路
芯片
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
CMOS技术的现状与展望综述
1
作者
王光伟
曹继华
宋延民
张建民
机构
天津工程师范学院电子工程系
出处
《天津工程师范学院学报》
2005年第1期10-12,共3页
文摘
概述了几十年来集成电路基本单元CMOS晶体管特征尺寸的缩小以及由此带来电路性能的提高和出现的问题。其主要的挑战集中在研发成本的上升、能耗的增大和可靠性问题。阐明了驱动CMOS晶体管尺寸缩小的原因除了技术进步,更在于电路可售出成本的下降。
关键词
CMOS晶体管
半导体器件
特征尺寸缩小
集成电路
芯片
集成电路
Keywords
CMOS
transistor
semiconductor
device
feature
size
downsizing
integrated
circuit
chip
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS技术的现状与展望综述
王光伟
曹继华
宋延民
张建民
《天津工程师范学院学报》
2005
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