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高斯光束通过光阑的传输 被引量:7
1
作者 谭荣清 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期7-8,共2页
根据菲涅耳 -基尔霍夫衍射积分公式 ,采用数值方法 ,详细研究了高斯光束经圆形孔径后的远场传输特性。
关键词 高斯光束 光阑 衍射 远场发散角 激光工程
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He-Ne激光束远场发散角的精确测量及误差分析 被引量:7
2
作者 张宪亮 严高师 曹远生 《光电子技术》 CAS 2007年第1期66-70,共5页
首先利用远场光斑测量法,测得GY-10型He-Ne激光器的远场发散角为1.15mrad。接着,根据高斯光束对望远镜系统变换,通过两个望远镜实现He-Ne激光束的准直,得到水平方向的远场发散角75.78μrad,垂直方向76.53μrad。最后,对实验中存在的误... 首先利用远场光斑测量法,测得GY-10型He-Ne激光器的远场发散角为1.15mrad。接着,根据高斯光束对望远镜系统变换,通过两个望远镜实现He-Ne激光束的准直,得到水平方向的远场发散角75.78μrad,垂直方向76.53μrad。最后,对实验中存在的误差分析可知,可用多次测量求平均值的方法消除误差;准直望远镜系统的微小失调可引起出射激光束远场发散角有较大的变化;测量系统中需使用长焦距的凹面镜。 展开更多
关键词 远场发散角 束腰半径 电荷耦合器件 准直望远镜系统 测量精度
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光纤阵列准直器设计及其发散角测量 被引量:2
3
作者 刘若仙 赵士元 +2 位作者 谷一英 谢日凡 赵明山 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期89-98,共10页
传统基于单个固定折射率透镜和渐变式折射率透镜制备光纤阵列准直器的方法,存在阵元数扩展困难、封装工艺复杂且集成化困难等缺点。利用光学微透镜易阵列化且阵元特性一致性好等优点,提出了基于平凸微透镜阵列制备光纤阵列准直器的方法... 传统基于单个固定折射率透镜和渐变式折射率透镜制备光纤阵列准直器的方法,存在阵元数扩展困难、封装工艺复杂且集成化困难等缺点。利用光学微透镜易阵列化且阵元特性一致性好等优点,提出了基于平凸微透镜阵列制备光纤阵列准直器的方法。根据高斯光学和矩阵光学理论,对光纤阵列准直器的准直特性进行了理论分析和仿真,确定了光纤阵列准直器的相关设计参数,据此加工制备了四阵元一维排布光纤阵列准直器,其阵元间距为250 μm。通过远场光斑法对光纤阵列准直器的主要性能参数远场发散角进行了测量,并采用蒙特卡洛法对测量不确定度进行了分析与评定。光纤阵列准直器各通道远场发散角的测量值分别为0.69°,0.67°,0.71°,0.68°,测量扩展不确定度为0.02°,该测量结果在设计容差(0.68±0.03)°之内。该光纤阵列准直器具有良好的准直特性,能够满足光纤通信系统中光纤阵列准直器小型化和集成化的需求。 展开更多
关键词 光纤通信 光纤阵列准直器 微透镜阵列 远场发散角 不确定度分析
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半导体激光器结构设计与波导层的优化
4
作者 郭嘉 贾华宇 +2 位作者 罗彪 汤宝 赵菊敏 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第2期29-35,共7页
针对1.31μm半导体激光器工作时,远场发散角过大以及AlGaInAs/GaAs材料体系中Al组分的氧化导致器件性能下降问题。提出了在InGaAsP/InP结构基础上,上下波导层采用GaAsP材料,与由InGaAsP材料构成的有源区形成异质结结构。相比同质结构制... 针对1.31μm半导体激光器工作时,远场发散角过大以及AlGaInAs/GaAs材料体系中Al组分的氧化导致器件性能下降问题。提出了在InGaAsP/InP结构基础上,上下波导层采用GaAsP材料,与由InGaAsP材料构成的有源区形成异质结结构。相比同质结构制作的波导层,异质结波导层结构依据不同材料的折射率不同,实现有源层和波导层之间较大的折射率差,从而达到更好的波导限制。对1.31μm激光器中的In_(1-x)Ga_(x)As_(y)P_(1-y)材料组分进行理论计算,并根据该材料的折射率和晶格常数,对GaAs_(y)P_(1-y)材料组分、厚度进行理论计算。使用ALDS仿真软件,对同质结波导层和异质结波导层两种结构进行模拟分析。最后确定使用100 nm厚度的GaAs_(0.145)P_(0.855)材料分别作为波导层和限制层,有效减小远场垂直发散角,提高了激光器发射的光束在空间分布的圆对称形态。 展开更多
关键词 半导体激光器 异质结构 折射率 远场发散角
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高功率低发散角垂直腔面发射激光器阵列 被引量:5
5
作者 张岩 宁永强 +8 位作者 王烨 刘光裕 史晶晶 张星 王贞福 秦莉 孙艳芳 刘云 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2428-2432,共5页
报道了980 nm高功率低发散角垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。通过增大阵列单元的出光孔径和单元间距来减小阵列器件的电阻和热阻,制作的台面为直径250μm,氧化孔径200μm,单元间距280μm的4×4二维阵列,与有源区面积相同的单管器... 报道了980 nm高功率低发散角垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。通过增大阵列单元的出光孔径和单元间距来减小阵列器件的电阻和热阻,制作的台面为直径250μm,氧化孔径200μm,单元间距280μm的4×4二维阵列,与有源区面积相同的单管器件相比具有更高的输出功率。在室温连续工作条件下,阵列在注入电流6 A时最高输出功率为1.81 W,阈值电流为1.2 A,斜率效率为0.37 W/A,微分电阻为0.01Ω。针对较大的远场发散角对单元器件有源区中电流密度分布进行了计算,分析了器件高阶横模产生的原因。使用镀制额外金层的结构来改善远场发散角,将半角宽度由30°压缩到15°以下,改进后器件的输出功率略有下降。60℃恒电流模式寿命测试结果显示器件在800 h后输出功率衰减小于10%。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射激光器 阵列 高功率 远场发散角
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一种新型电吸收调制激光器的优化设计 被引量:1
6
作者 孙元新 杨振强 +2 位作者 贾华宇 余洁 李灯熬 《光通信研究》 2023年第2期69-78,共10页
针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1310 nm掺铁掩埋... 针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1310 nm掺铁掩埋结构的SAG-DSAL-EML并制作样本芯片,新型SAG-DSAL-EML有源区变为台面结构,并在其两层外延生长掺铁InP层。同时,利用先进激光二极管模拟器(ALDS)软件和高频结构仿真(HFSS)软件对所设计掺铁掩埋结构的EML和调制器进行数值及仿真分析,结果表明,与传统多量子阱结构相比,SAG-DSAL-EML阈值电流减少了13%;与传统脊波导结构相比,掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高52%,激光远场横纵角度之差降低了40%,具有更小的远场发散角;与传统PNPN掩埋结构相比,掺铁掩埋结构的调制器在-3 dB的响应带宽提高了约24%。对样本芯片进行测试,试验表明,SAG-DSAL-EML的阈值电流为14.5 mA,边模抑制比(SMSR)为45.64 dB,70 mA注入电流下,电吸收调制器-3 dB的响应带宽为43 GHz,满足高速激光通信的基本要求。 展开更多
关键词 电吸收调制激光器 台面结构 掺铁掩埋技术 调制带宽 远场发散角
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望远镜非稳腔光束发散角的测量与结果分析 被引量:5
7
作者 范嗣强 戴特力 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期12-13,共2页
灯泵望远镜非稳腔巨脉冲YAG激光器的远场光束发散角被精确测量,该非稳腔采用硬边输出镜,其输出平行光束,经过一长焦距的凹面镜,聚焦衰减后照射到CCD上,拍摄得到焦平面的光斑像。在计算机中用图像处理方法求出光斑的大小,再计算发敞角。
关键词 激光非稳腔 光束发散角 长焦距凹面镜 图像处理
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高斯-谢尔模型列阵光束的远场发散角和远场辐射强度 被引量:4
8
作者 季小玲 李晓庆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期4624-4629,共6页
推导出了高斯-谢尔模型(GSM)列阵光束通过自由空间传输其二阶矩束宽、远场发散角和远场辐射强度的解析表达式,并给出了GSM列阵光束与高斯光束具有相同远场发散角的条件.研究表明,具有相同远场发散角的GSM列阵光束与对应的高斯光束并不... 推导出了高斯-谢尔模型(GSM)列阵光束通过自由空间传输其二阶矩束宽、远场发散角和远场辐射强度的解析表达式,并给出了GSM列阵光束与高斯光束具有相同远场发散角的条件.研究表明,具有相同远场发散角的GSM列阵光束与对应的高斯光束并不具有相同的远场辐射强度分布,这一特性与单束GSM光束的差异很大. 展开更多
关键词 高斯-谢尔模型列阵光束 远场发散角 远场辐射强度
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部分相干厄米-高斯列阵光束通过湍流大气传输的方向性 被引量:4
9
作者 李晓庆 季小玲 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3241-3247,共7页
推导出了部分相干厄米-高斯(H-G)列阵光束通过湍流大气传输的二阶矩束宽和远场发散角的解析公式。采用远场发散角作为光束方向性的评价参数,研究了部分相干H-G列阵光束通过湍流大气传输的方向性。研究表明:在一定条件下,部分相干H-G列... 推导出了部分相干厄米-高斯(H-G)列阵光束通过湍流大气传输的二阶矩束宽和远场发散角的解析公式。采用远场发散角作为光束方向性的评价参数,研究了部分相干H-G列阵光束通过湍流大气传输的方向性。研究表明:在一定条件下,部分相干H-G列阵光束与对应的高斯光束不论在自由空间还是湍流大气中均具有相同的方向性。此外,进一步研究发现,在自由空间中,由远场发散角和归一化远场平均光强分布所表征的部分相干H-G列阵光束的方向性是不一致的,但湍流可以使得两种描述相一致。这一结论与高斯-谢尔模型(GSM)列阵光束的相关结论存在差异。在自由空间中,与高斯光束具有相同远场发散角的非相干合成的GSM列阵光束与对应的高斯光束具有相同的归一化远场光强分布。 展开更多
关键词 大气光学 方向性 湍流 部分相干厄米-高斯列阵光束 远场发散角 远场平均光强
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高斯光束经圆形光阑衍射的远场发散特性 被引量:4
10
作者 周国泉 储修祥 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2047-2052,共6页
线偏振高斯光束经圆形光阑衍射后,其远场可表示成互相正交的横电(TE)项和横磁(TM)项之和。利用TE项和TM项的远场能流分布,导出了高斯衍射光束的TE项和TM项远场功率的解析表达式,由此可度量TE项和TM项在远场占总功率的比例。基于能流二... 线偏振高斯光束经圆形光阑衍射后,其远场可表示成互相正交的横电(TE)项和横磁(TM)项之和。利用TE项和TM项的远场能流分布,导出了高斯衍射光束的TE项和TM项远场功率的解析表达式,由此可度量TE项和TM项在远场占总功率的比例。基于能流二阶矩的定义,给出了高斯衍射光束、TE项和TM项远场发散角的解析式以及三者远场发散角间的关系通式,重点分析了f参数和截取参数对远场发散角的影响。结果表明:随着f参数的增大,远场发散角先增大后趋向于各自的饱和值。截取参数对远场发散角的影响与f参数相关,当f参数较大时,截取参数对远场发散角的影响不明显;当f参数适中时,随着截取参数的增大,远场发散角先减小后趋向于各自的最小值;但当f参数较小时,高斯衍射光束和TM项二者的远场发散角出现一定的波动性。 展开更多
关键词 高斯光束 圆形光阑 衍射 远场发散角 矢量结构
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激光光束远场发散角测量方法 被引量:3
11
作者 丁罕 王海娟 樊翔 《中国医疗器械信息》 2013年第6期42-44,69,共4页
激光光束发散角的测量对于激光测量有着重要的意义。激光光束发散角是医用激光质量的一个重要参数。本文介绍了三种激光光束远场发散角的测量方法。利用CCD相机数据采集,通过测量光斑大小来计算激光光束的远场发散角。测试方法适用范围... 激光光束发散角的测量对于激光测量有着重要的意义。激光光束发散角是医用激光质量的一个重要参数。本文介绍了三种激光光束远场发散角的测量方法。利用CCD相机数据采集,通过测量光斑大小来计算激光光束的远场发散角。测试方法适用范围广泛,操作简单,可以满足医用激光类产品相关标准的测试要求,为相关企业和检测机构对激光光束发散角的测试提供便利。 展开更多
关键词 激光 远场发散角 测量方法
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线偏振拉盖尔·高斯光束的远场发散特性 被引量:3
12
作者 周国泉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期307-315,共9页
利用稳相法和矢量结构理论,导出了线偏振拉盖尔-高斯光束的矢量结构项TE项和TM项在远场的解析表达式.进而利用TE项和TM项的远场能流分布,给出了TE项和TM项的功率占总功率比例的度量式,同时还给出了线偏振拉盖尔-高斯光束、TE项和TM项三... 利用稳相法和矢量结构理论,导出了线偏振拉盖尔-高斯光束的矢量结构项TE项和TM项在远场的解析表达式.进而利用TE项和TM项的远场能流分布,给出了TE项和TM项的功率占总功率比例的度量式,同时还给出了线偏振拉盖尔-高斯光束、TE项和TM项三者远场发散角的解析式以及三者远场发散角间的关系式.所得到的公式不仅适用于傍轴情形,而且还适用于非傍轴情形.通过数值计算,分析了TE项和TM项在远场的功率占总功率的比例与参数.f和模数间的依赖关系;还分析了拉盖尔-高斯光束、TE项和TM项的远场发散角随参数f、模数和线偏振角的变化关系.这一研究从矢量结构本性揭示了线偏振拉盖尔-高斯光束的远场发散特性,丰富了对其传输特性的认识. 展开更多
关键词 拉盖尔-高斯光束 远场发散角 矢量结构
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大功率半导体激光器的远场分布特性 被引量:3
13
作者 商继敏 曾晓东 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1088-1091,共4页
对于以TM模工作的大功率半导体激光器,利用矢量瑞利衍射积分公式,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,并与标量非傍轴理论进行了比较.结论表明,大功率半导体激光... 对于以TM模工作的大功率半导体激光器,利用矢量瑞利衍射积分公式,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,并与标量非傍轴理论进行了比较.结论表明,大功率半导体激光器的矢量光场和标量光场的光强分布和远场发散角都有一定差异,光强误差随光波的传输距离的增加而减小,随着垂直于结平面方向坐标的增大,误差也增大;发散角误差与波导结构参数有关. 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 瑞利-索末菲衍射 远场光强分布 发散角
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微透镜集成大功率垂直腔面发射激光器 被引量:3
14
作者 王贞福 宁永强 +9 位作者 张岩 史晶晶 李特 崔锦江 刘光裕 张星 秦莉 孙艳芳 刘云 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1963-1967,共5页
为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980... 为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,包括9对In_(0.2)Ga_(0.8)As(6 nm)/Ca_(0.18)As_(0.82)P(8 nm)量子阱.有源区直径100μm,微透镜直径300μm,曲率半径959.81μm,表面粗糙度13 nm。室温下,器件连续输出功率大于180 mW,阈值电流200 mA,远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4°,并且与没有微透镜的垂直腔面发射激光器输出特性进行了比较。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射激光器 微透镜 横模 远场发散角
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LD激光束准直整形模块的研制 被引量:2
15
作者 张宪亮 严高师 《应用光学》 CAS CSCD 2008年第3期412-417,共6页
SDL-5400型号GaAlAs LD激光器产生的是单模高斯光束,在相互垂直方向上光束发散角不相等,且存在像散。为得到共腰的圆形光斑,由复参数q和ABCD定律,设计出两相互垂直的柱面透镜和棱镜对准直整形模块,通过CCD标定方法,得到经准直整形后的L... SDL-5400型号GaAlAs LD激光器产生的是单模高斯光束,在相互垂直方向上光束发散角不相等,且存在像散。为得到共腰的圆形光斑,由复参数q和ABCD定律,设计出两相互垂直的柱面透镜和棱镜对准直整形模块,通过CCD标定方法,得到经准直整形后的LD激光束在弧矢方向上的远场发散角为0.53 mrad,子午方向为0.64 mrad。 展开更多
关键词 远场发散角 准直整形 CCD标定 测量精度
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高斯涡旋光束的傍轴度 被引量:2
16
作者 崔学才 连校许 吕百达 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1163-1166,共4页
按单色光束傍轴度的定义,对高斯涡旋光束的傍轴度进行了研究。使用角谱表示法推导出高斯涡旋光束傍轴度的解析公式,用此研究了傍轴度和高斯涡旋光束参数之间的关系。结果表明,随背景高斯光束束腰宽度和光涡旋离轴参数的增加及随光涡旋... 按单色光束傍轴度的定义,对高斯涡旋光束的傍轴度进行了研究。使用角谱表示法推导出高斯涡旋光束傍轴度的解析公式,用此研究了傍轴度和高斯涡旋光束参数之间的关系。结果表明,随背景高斯光束束腰宽度和光涡旋离轴参数的增加及随光涡旋拓扑电荷的减少,高斯涡旋光束的傍轴度增加。对所得结果用傍轴度与远场发散角间的关系做了物理解释。 展开更多
关键词 傍轴度 高斯涡旋光束 拓扑电荷 离轴参数 远场发散角
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介质膜集成衬底垂直外腔面发射激光器 被引量:2
17
作者 李秀山 宁永强 +6 位作者 崔锦江 张星 贾鹏 秦莉 张金龙 刘云 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期572-576,共5页
垂直外腔面发射激光器(VECSEL)可以实现大功率的高光束质量输出。针对外腔制作工艺复杂、腔体结构松散的缺点,研制了一种介质膜集成衬底表面外腔底面发射激光器。将衬底表面生长的多层介质绝缘薄膜与N-DBR、P-DBR共同构成复合腔结构,衬... 垂直外腔面发射激光器(VECSEL)可以实现大功率的高光束质量输出。针对外腔制作工艺复杂、腔体结构松散的缺点,研制了一种介质膜集成衬底表面外腔底面发射激光器。将衬底表面生长的多层介质绝缘薄膜与N-DBR、P-DBR共同构成复合腔结构,衬底充当外腔。该结构能够抑制高阶模式,进而优化输出光谱及远场发散角等光束特性。在已有的理论指导下,制作了有源区直径为200μm、外腔腔长250μm的VECSEL。室温下,向器件连续直流注入3.4 A,测试得到输出功率为260 m W,远场发散角的半角宽度为3.8°,光谱半高全宽为0.046 nm。与常规结构底面发射VCSEL进行比较,发现VECSEL器件的光束质量得到了明显改善,实验结果与理论仿真结果有较好的一致性。 展开更多
关键词 垂直外腔面发射激光器 复合腔 光谱 远场发散角
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均匀化位相的常规非稳腔的分析与实验
18
作者 魏在福 王润文 魏青 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B11期1-4,共4页
对常规非稳腔的输出镜面进行改造 ,在原来不透光的中央区域引入增透膜 ,使之能部分透过 ,使输出耦合能的比例得到提高 ;同时加敷适当的位相膜 ,使中央区与环带区波面位相拉平些。着重报导了均匀化相位常规非稳腔的系列实验和分析 ,从而... 对常规非稳腔的输出镜面进行改造 ,在原来不透光的中央区域引入增透膜 ,使之能部分透过 ,使输出耦合能的比例得到提高 ;同时加敷适当的位相膜 ,使中央区与环带区波面位相拉平些。着重报导了均匀化相位常规非稳腔的系列实验和分析 ,从而使常规非稳腔的环带输出引起的中央不透明区与外环带输出波面的位相突变得到改善 ,克服了远场能量分布出现较严重离散的问题 ,使远场中央亮斑能量更集中。 展开更多
关键词 均匀化位相 非稳腔 位相膜 远场发散角
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体布拉格光栅形变对高斯光束质量平方因子的影响 被引量:1
19
作者 阴素芹 张彬 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2003-2007,共5页
考虑热效应导致的体光栅表面形变引起体光栅背景折射率和周期的变化,进而引起体光栅介质介电常数的改变,对体光栅中传输的激光束特性的影响进行了研究。采用有限差分和稀疏矩阵的方法,对激光在有变形的体布拉格光栅中传输的波动方程进... 考虑热效应导致的体光栅表面形变引起体光栅背景折射率和周期的变化,进而引起体光栅介质介电常数的改变,对体光栅中传输的激光束特性的影响进行了研究。采用有限差分和稀疏矩阵的方法,对激光在有变形的体布拉格光栅中传输的波动方程进行数值迭代求解,并对激光束通过有形变的反射式体布拉格光栅后的功率反射比、光束束腰宽度、远场发散角和质量平方因子的变化进行了定量分析。结果表明,随着体光栅表面形变的增大,体光栅的功率反射比明显减小,输出光束的束宽、远场发散角和质量平方因子明显增大。 展开更多
关键词 体布拉格光栅 形变 功率反射比 光束束腰宽度 远场发散角 质量平方因子
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微弧度量级远场发散角光束发射系统的设计与实现 被引量:1
20
作者 况耀武 何志平 +2 位作者 袁立银 张亮 舒嵘 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期141-146,共6页
建立了发射光束通过带有波像差的望远镜系统后的远场光斑分布数学模型,采用数值计算,结合Monte Carlo方法分析了波像差方均根(RMS)值对发射光束远场发散角的影响,据此确定望远镜波像差的容差,以实现特定发射光束的远场发散角。结果表明... 建立了发射光束通过带有波像差的望远镜系统后的远场光斑分布数学模型,采用数值计算,结合Monte Carlo方法分析了波像差方均根(RMS)值对发射光束远场发散角的影响,据此确定望远镜波像差的容差,以实现特定发射光束的远场发散角。结果表明:对于采用偏轴发射方案的激光通信系统,当望远镜的波像差RMS值优于0.13λ(λ为光束的波长)时,发射光束远场发散角小于10μrad,当RMS值小于0.2λ时,发射光束远场发散角小于16.2μrad,且仍有60%的概率小于10μrad。在实验室中,不同温度下望远镜波像差及其对应的发射光束远场发散角的测试结果很好地验证了以上分析结果。 展开更多
关键词 光通信 激光传输 远场发散角 ZERNIKE多项式 激光通信
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