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激光二极管的位移损伤效应研究 被引量：3
1
作者 黄绍艳 刘敏波 +3 位作者 肖志刚 唐本奇 王祖军 张勇 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期195-199,共5页
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流子陷阱两种情形下的激光二极管阈值电流、外微分量子效率及I-V特性随辐照注量的变化规律。通常的实验注量... 以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流子陷阱两种情形下的激光二极管阈值电流、外微分量子效率及I-V特性随辐照注量的变化规律。通常的实验注量范围内,缺陷主要作为非辐射复合中心,导致激光二极管阈值电流随注量呈线性增大,但外微分量子效率基本不变,I-V特性低压区电流增大;当辐照注量较高,引起明显的多数载流子去除效应时,阈值电流随注量的增大不再呈线性关系,同时外微分量子效率下降,I-V特性高压区的电流减小。 展开更多
关键词 激光二极管 位移损伤 阈值电流 外微分量子效率 I-V特性
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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 被引量：3
2
作者 李忠辉 李梅 +3 位作者 王玲 高欣 王玉霞 张兴德 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期90-91,95,共3页
利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
关键词 分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率
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LD内损耗测试新方法
3
作者 舒雄文 徐晨 +1 位作者 田增霞 沈光地 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期455-457,共3页
提出了一种新的测试LD内损耗方法,它通过对后腔面镀高反膜,并对前腔面镀不同反射率增透膜,然后根据外微分量子效率倒数1/ηe与1/ln[1/(RfRr)的线性关系(Rf和Rr分别为前后腔面反射率)求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法... 提出了一种新的测试LD内损耗方法,它通过对后腔面镀高反膜,并对前腔面镀不同反射率增透膜,然后根据外微分量子效率倒数1/ηe与1/ln[1/(RfRr)的线性关系(Rf和Rr分别为前后腔面反射率)求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法中因管座反射带来的误差,使误差降低达15%。 展开更多
关键词 内损耗 外微分量子效率 光功率
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