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半导体器件的贮存寿命
被引量：
6
1
作者
张瑞霞
徐立生
高兆丰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期252-254,共3页
从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例。介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订。
关键词
半导体器件
失效机理
贮存寿命
超期复验
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职称材料
题名
半导体器件的贮存寿命
被引量：
6
1
作者
张瑞霞
徐立生
高兆丰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期252-254,共3页
文摘
从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例。介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订。
关键词
半导体器件
失效机理
贮存寿命
超期复验
Keywords
semiconductor
devices
failure
mechanism
storage
life
extended
retest
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体器件的贮存寿命
张瑞霞
徐立生
高兆丰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
6
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