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多孔硅的电化学制备与研究
被引量:
4
1
作者
窦雁巍
胡明
+1 位作者
崔梦
宗杨
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期395-398,共4页
以电化学方法制备了多孔硅材料并通过表面轮廓测试仪、原子力显微镜、显微拉曼光谱仪等设备对制备多孔硅的孔隙率、厚度、表面形貌、以及热导率进行了表征。结果发现,本实验制备的多孔硅属于介孔硅(15~20nm),其孔隙率随腐蚀时间和...
以电化学方法制备了多孔硅材料并通过表面轮廓测试仪、原子力显微镜、显微拉曼光谱仪等设备对制备多孔硅的孔隙率、厚度、表面形貌、以及热导率进行了表征。结果发现,本实验制备的多孔硅属于介孔硅(15~20nm),其孔隙率随腐蚀时间和腐蚀电流的变化有先增大后减小的趋势。增加多孔硅的厚度和孔隙率,可以使得多孔硅的热导率显著降低(最低可低至0.62W/m·K)。
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关键词
多孔硅
孔隙率
腐蚀速率
导热率
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职称材料
PCB板酸性蚀刻机理、工艺参数及故障排除
被引量:
2
2
作者
吴培常
程静
陈良
《印制电路信息》
2012年第2期31-37,共7页
蚀刻工艺是目前PCB板制作中的重要工序之一,特别是随着微电子技术的飞速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应用,对PCB板制造技术提出了更高的要求,正向着高精度、高密度的方向飞速发展,对PCB板蚀刻的线宽公差也提出更高、更...
蚀刻工艺是目前PCB板制作中的重要工序之一,特别是随着微电子技术的飞速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应用,对PCB板制造技术提出了更高的要求,正向着高精度、高密度的方向飞速发展,对PCB板蚀刻的线宽公差也提出更高、更严的技术要求,所以,充分了解和掌握铜在各种类型蚀刻液中的蚀刻机理,并通过严格的科学实验,测定出铜在各类蚀刻液中工艺参数,才能把控好PCB板蚀刻这一关键工序。本文就我公司AS-301型酸性蚀刻液特点、蚀刻机理、来料检测、操作规程、工艺流程、故障排除等作简单介绍。
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关键词
蚀刻机理
蚀刻速率
再生
氧化还原电位
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职称材料
AS-301型酸性蚀刻液蚀刻机理、影响因素
被引量:
1
3
作者
刘镇权
吴培常
+1 位作者
林周秦
陈冠刚
《印制电路信息》
2018年第9期42-46,共5页
充分了解和掌握铜在各种类型蚀刻液中的蚀刻机理,通过严格的科学实验,测定出各类蚀刻液中工艺参数,把好PCB板蚀刻这一关。为此,就我公司AS-301型酸性蚀刻液的特点、蚀刻机理、影响因素、故障排除等进行简单介绍。
关键词
蚀刻机理
蚀刻速率
氧化还原势
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职称材料
基于刻蚀速率匹配的离子刻蚀产额优化建模方法
被引量:
1
4
作者
高扬福
宋亦旭
孙晓民
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期336-344,共9页
随着微电子产业的不断发展,刻蚀特征尺度达到纳米级,等离子体刻蚀工艺过程机理研究越来越受到重视.刻蚀表面仿真是研究离子刻蚀特性的重要方法.在离子刻蚀表面仿真中,离子刻蚀产额模型是研究刻蚀机理的重要模型,也是元胞自动机等仿真方...
随着微电子产业的不断发展,刻蚀特征尺度达到纳米级,等离子体刻蚀工艺过程机理研究越来越受到重视.刻蚀表面仿真是研究离子刻蚀特性的重要方法.在离子刻蚀表面仿真中,离子刻蚀产额模型是研究刻蚀机理的重要模型,也是元胞自动机等仿真方法的重要基础.为了解决利用传统方法无法得到准确刻蚀产额模型参数的问题,本文提出一种基于刻蚀速率匹配的离子刻蚀产额优化建模方法,该方法以实际刻蚀速率与模拟刻蚀速率之间的均方差为优化目标,利用基于分解的多目标进化算法来优化离子的刻蚀产额模型参数,并将得到的刻蚀产额模型参数应用到采用元胞方法的刻蚀工艺的实际仿真过程中.实验结果表明了该刻蚀产额优化建模方法的有效性.
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关键词
刻蚀产额模型
刻蚀速率
多目标进化算法
原文传递
镀铅锡合金的镀铬阳极腐蚀原因的探讨
5
作者
王志强
王雅君
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007年第2期78-79,共2页
为了探明甲基磺酸盐电镀铅锡舍金镀层作为镀铬阳极时腐蚀的原因,用A、B、C、D四种溶液(A溶液即现在生产中已使用过的旧溶液;B溶液即把A溶液调整至规范的溶液;C溶液即按照原工艺新配制成的溶液;D溶液即在新配制的溶液中加入0.2g/...
为了探明甲基磺酸盐电镀铅锡舍金镀层作为镀铬阳极时腐蚀的原因,用A、B、C、D四种溶液(A溶液即现在生产中已使用过的旧溶液;B溶液即把A溶液调整至规范的溶液;C溶液即按照原工艺新配制成的溶液;D溶液即在新配制的溶液中加入0.2g/L铜离子),分别在相同的电镀条件下通过霍尔槽进行对比试验,把四种溶液中所镀出的霍尔槽试片在同一条件下的镀铬溶液中进行腐蚀。研究结果表明:镀铅锡合金溶液中混入铜离子后,加速了铅锡镀层在镀铬溶液中的腐蚀速度,且随电流密度的减少呈下降趋势。试验证明:电流密度在0.2—0,5A/dm^2之间时腐蚀速度最小。
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关键词
铅锡合金
镀铬阳极
甲基磺酸盐
电镀
腐蚀速度
霍尔槽试验
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职称材料
结合实际刻蚀数据的离子刻蚀产额优化建模方法
6
作者
高扬福
孙晓民
+1 位作者
宋亦旭
阮聪
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第24期392-399,共8页
刻蚀表面仿真是研究等离子体刻蚀工艺过程机理的重要手段.在刻蚀表面仿真方法中,刻蚀表面演化模型和离子刻蚀产额模型直接决定了刻蚀表面演化结果.但现有的刻蚀表面演化模型不够精确,且目前离子刻蚀产额模型主要来自分子动力学仿真和物...
刻蚀表面仿真是研究等离子体刻蚀工艺过程机理的重要手段.在刻蚀表面仿真方法中,刻蚀表面演化模型和离子刻蚀产额模型直接决定了刻蚀表面演化结果.但现有的刻蚀表面演化模型不够精确,且目前离子刻蚀产额模型主要来自分子动力学仿真和物理实验,而实际加工过程十分复杂,等效的离子刻蚀产额包含很多因素.针对这些问题,首先对当前的刻蚀表面演化模型进行改进,同时重新定义了离子刻蚀产额模型的优化目标,并利用实际刻蚀加工数据来优化离子刻蚀产额模型.为缩短优化模型所用时间,采用并行方法来加速优化过程.最后,将得到的离子刻蚀产额模型参数应用于采用元胞自动机法的刻蚀工艺实际仿真过程中.实验结果表明,该优化建模方法确实提高了仿真的精确度,同时优化过程所用时间也大大减少.
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关键词
实际刻蚀数据
刻蚀产额模型
刻蚀速率
多目标进化算法
原文传递
题名
多孔硅的电化学制备与研究
被引量:
4
1
作者
窦雁巍
胡明
崔梦
宗杨
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期395-398,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60071027
60371030)
文摘
以电化学方法制备了多孔硅材料并通过表面轮廓测试仪、原子力显微镜、显微拉曼光谱仪等设备对制备多孔硅的孔隙率、厚度、表面形貌、以及热导率进行了表征。结果发现,本实验制备的多孔硅属于介孔硅(15~20nm),其孔隙率随腐蚀时间和腐蚀电流的变化有先增大后减小的趋势。增加多孔硅的厚度和孔隙率,可以使得多孔硅的热导率显著降低(最低可低至0.62W/m·K)。
关键词
多孔硅
孔隙率
腐蚀速率
导热率
Keywords
porous
silicon
porosity
etching
velocity
thermal
conductivity
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
PCB板酸性蚀刻机理、工艺参数及故障排除
被引量:
2
2
作者
吴培常
程静
陈良
机构
广东成德电路股份有限公司
出处
《印制电路信息》
2012年第2期31-37,共7页
文摘
蚀刻工艺是目前PCB板制作中的重要工序之一,特别是随着微电子技术的飞速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应用,对PCB板制造技术提出了更高的要求,正向着高精度、高密度的方向飞速发展,对PCB板蚀刻的线宽公差也提出更高、更严的技术要求,所以,充分了解和掌握铜在各种类型蚀刻液中的蚀刻机理,并通过严格的科学实验,测定出铜在各类蚀刻液中工艺参数,才能把控好PCB板蚀刻这一关键工序。本文就我公司AS-301型酸性蚀刻液特点、蚀刻机理、来料检测、操作规程、工艺流程、故障排除等作简单介绍。
关键词
蚀刻机理
蚀刻速率
再生
氧化还原电位
Keywords
etching
mechanism
etching
velocity
regeneration
ORP(oxidation-reduction
potential)
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
AS-301型酸性蚀刻液蚀刻机理、影响因素
被引量:
1
3
作者
刘镇权
吴培常
林周秦
陈冠刚
机构
广东成德电子科技股份有限公司
出处
《印制电路信息》
2018年第9期42-46,共5页
文摘
充分了解和掌握铜在各种类型蚀刻液中的蚀刻机理,通过严格的科学实验,测定出各类蚀刻液中工艺参数,把好PCB板蚀刻这一关。为此,就我公司AS-301型酸性蚀刻液的特点、蚀刻机理、影响因素、故障排除等进行简单介绍。
关键词
蚀刻机理
蚀刻速率
氧化还原势
Keywords
etching
Mechanism
etching
velocity
ORP
Oxidation-Reduction
Potential
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于刻蚀速率匹配的离子刻蚀产额优化建模方法
被引量:
1
4
作者
高扬福
宋亦旭
孙晓民
机构
清华大学计算机科学与技术系智能技术与系统国家重点实验室
清华大学信息科学与技术国家实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期336-344,共9页
基金
国家科技重大专项(批准号:2011ZX2403-002)资助的课题~~
文摘
随着微电子产业的不断发展,刻蚀特征尺度达到纳米级,等离子体刻蚀工艺过程机理研究越来越受到重视.刻蚀表面仿真是研究离子刻蚀特性的重要方法.在离子刻蚀表面仿真中,离子刻蚀产额模型是研究刻蚀机理的重要模型,也是元胞自动机等仿真方法的重要基础.为了解决利用传统方法无法得到准确刻蚀产额模型参数的问题,本文提出一种基于刻蚀速率匹配的离子刻蚀产额优化建模方法,该方法以实际刻蚀速率与模拟刻蚀速率之间的均方差为优化目标,利用基于分解的多目标进化算法来优化离子的刻蚀产额模型参数,并将得到的刻蚀产额模型参数应用到采用元胞方法的刻蚀工艺的实际仿真过程中.实验结果表明了该刻蚀产额优化建模方法的有效性.
关键词
刻蚀产额模型
刻蚀速率
多目标进化算法
Keywords
etching
yield
model,
etching
velocity
,
multi-object
evolution
algorithm
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
镀铅锡合金的镀铬阳极腐蚀原因的探讨
5
作者
王志强
王雅君
机构
北方重工特种工艺厂
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007年第2期78-79,共2页
文摘
为了探明甲基磺酸盐电镀铅锡舍金镀层作为镀铬阳极时腐蚀的原因,用A、B、C、D四种溶液(A溶液即现在生产中已使用过的旧溶液;B溶液即把A溶液调整至规范的溶液;C溶液即按照原工艺新配制成的溶液;D溶液即在新配制的溶液中加入0.2g/L铜离子),分别在相同的电镀条件下通过霍尔槽进行对比试验,把四种溶液中所镀出的霍尔槽试片在同一条件下的镀铬溶液中进行腐蚀。研究结果表明:镀铅锡合金溶液中混入铜离子后,加速了铅锡镀层在镀铬溶液中的腐蚀速度,且随电流密度的减少呈下降趋势。试验证明:电流密度在0.2—0,5A/dm^2之间时腐蚀速度最小。
关键词
铅锡合金
镀铬阳极
甲基磺酸盐
电镀
腐蚀速度
霍尔槽试验
Keywords
Tin-lead
alloy
Anode
for
chrome-plating
Methyl-sulfonie
salt
Eleetroplating
etching
velocity
Hull
Cell
test
分类号
TG171 [金属学及工艺—金属表面处理]
TQ153.2 [金属学及工艺—金属学]
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职称材料
题名
结合实际刻蚀数据的离子刻蚀产额优化建模方法
6
作者
高扬福
孙晓民
宋亦旭
阮聪
机构
清华大学计算机科学与技术系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第24期392-399,共8页
基金
国家重大科技专项(批准号:2011ZX2403-002)资助的课题~~
文摘
刻蚀表面仿真是研究等离子体刻蚀工艺过程机理的重要手段.在刻蚀表面仿真方法中,刻蚀表面演化模型和离子刻蚀产额模型直接决定了刻蚀表面演化结果.但现有的刻蚀表面演化模型不够精确,且目前离子刻蚀产额模型主要来自分子动力学仿真和物理实验,而实际加工过程十分复杂,等效的离子刻蚀产额包含很多因素.针对这些问题,首先对当前的刻蚀表面演化模型进行改进,同时重新定义了离子刻蚀产额模型的优化目标,并利用实际刻蚀加工数据来优化离子刻蚀产额模型.为缩短优化模型所用时间,采用并行方法来加速优化过程.最后,将得到的离子刻蚀产额模型参数应用于采用元胞自动机法的刻蚀工艺实际仿真过程中.实验结果表明,该优化建模方法确实提高了仿真的精确度,同时优化过程所用时间也大大减少.
关键词
实际刻蚀数据
刻蚀产额模型
刻蚀速率
多目标进化算法
Keywords
factual
etching
data,
etching
yield
model,
etching
velocity
,multi-object
evolution
algorithm
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔硅的电化学制备与研究
窦雁巍
胡明
崔梦
宗杨
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
下载PDF
职称材料
2
PCB板酸性蚀刻机理、工艺参数及故障排除
吴培常
程静
陈良
《印制电路信息》
2012
2
下载PDF
职称材料
3
AS-301型酸性蚀刻液蚀刻机理、影响因素
刘镇权
吴培常
林周秦
陈冠刚
《印制电路信息》
2018
1
下载PDF
职称材料
4
基于刻蚀速率匹配的离子刻蚀产额优化建模方法
高扬福
宋亦旭
孙晓民
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
原文传递
5
镀铅锡合金的镀铬阳极腐蚀原因的探讨
王志强
王雅君
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007
0
下载PDF
职称材料
6
结合实际刻蚀数据的离子刻蚀产额优化建模方法
高扬福
孙晓民
宋亦旭
阮聪
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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