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国内外磁控溅射靶材的研究进展 被引量:16
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作者 陈海峰 薛莹洁 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期56-63,共8页
磁控溅射以溅射温度低、沉积速率高的特点而被广泛应用于各种薄膜制造中,如单层或复合薄膜、磁性或超导薄膜以及有一定用途的功能性薄膜等,在科学领域以及工业生产中发挥着不可替代的作用。在介绍磁控溅射原理的基础上,阐述了靶材刻蚀机... 磁控溅射以溅射温度低、沉积速率高的特点而被广泛应用于各种薄膜制造中,如单层或复合薄膜、磁性或超导薄膜以及有一定用途的功能性薄膜等,在科学领域以及工业生产中发挥着不可替代的作用。在介绍磁控溅射原理的基础上,阐述了靶材刻蚀机理,针对传统磁控溅射系统中靶材利用率低、刻蚀形貌不均匀等现状,从改善靶面磁场分布和模拟靶材刻蚀形貌两方面对国内外最新的研究进展进行总结与分析。研究表明,通过改变磁体的空间布置或增加导磁片能有效改善靶面磁场分布,采用适当的运动部件实现磁场和靶材的相对运动能有效扩展靶材的溅射面积,提高靶材利用率。在靶材刻蚀模拟中,通过改变溅射过程中的工艺条件(磁场强度、工作电压等)来研究靶面等离子特性,结果显示靶材刻蚀形貌会随着磁场强度的增加而变窄,靶材刻蚀速率会随工作电压的增大而增大等,这些研究成果对磁控溅射工艺参数的优化具有指导意义。最后,对靶材冷却系统的设计、靶材表面处理等对溅射过程的影响进行了简要展望。 展开更多
关键词 磁控溅射 靶材刻蚀 结构优化 计算机模拟 等离子体特性 靶材冷却
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紫外全息闪耀光栅的制作 被引量:10
2
作者 谭鑫 李文昊 +1 位作者 巴音贺希格 齐向东 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1536-1542,共7页
通过理论计算研究了影响闪耀光栅衍射效率的因素,并利用离子束刻蚀模拟程序模拟刻蚀闪耀光栅来确定闪耀光栅的制作参数。以理论计算的闪耀光栅参数为依据,以刻蚀模拟程序为指导,基于全息-离子束刻蚀工艺制作了闪耀波长分别为250nm和330... 通过理论计算研究了影响闪耀光栅衍射效率的因素,并利用离子束刻蚀模拟程序模拟刻蚀闪耀光栅来确定闪耀光栅的制作参数。以理论计算的闪耀光栅参数为依据,以刻蚀模拟程序为指导,基于全息-离子束刻蚀工艺制作了闪耀波长分别为250nm和330nm,光栅尺寸分别为85mm×85mm,60mm×60mm,线密度均为1200lp/mm的闪耀光栅。第一种光栅闪耀角为8.54°,非闪耀角为72°,其250nm波长自准直入射时的-1级衍射光衍射效率约为81%;第二种光栅闪耀角为11.68°,非闪耀角为74°,330nm波长自准直入射时的-1级衍射光衍射效率约为80%。实验结果表明,提出的方法可以在制作闪耀光栅的过程中实现对闪耀角的精确控制,获得的实验结果与理论计算结果符合较好。利用该方法能够在大尺寸基底上获得衍射效率>75%的紫外闪耀光栅。 展开更多
关键词 闪耀光栅 紫外光栅 衍射效率 刻蚀模拟
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闪耀全息光栅离子束刻蚀工艺模拟及实验验证 被引量:10
3
作者 吴娜 谭鑫 +1 位作者 巴音贺希格 唐玉国 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1904-1912,共9页
依据特征曲线法推导了非晶体表面的离子束刻蚀模拟方程,结合全息光栅的刻蚀特点开发出离子束刻蚀模拟程序,并通过实验数据分析并优化了非晶体材料刻蚀速率与离子束入射角的关系方程,最后利用离子束刻蚀实验对所开发的离子束刻蚀模拟程... 依据特征曲线法推导了非晶体表面的离子束刻蚀模拟方程,结合全息光栅的刻蚀特点开发出离子束刻蚀模拟程序,并通过实验数据分析并优化了非晶体材料刻蚀速率与离子束入射角的关系方程,最后利用离子束刻蚀实验对所开发的离子束刻蚀模拟程序进行了实验验证。调节掩模与基底材料的刻蚀速率比为2∶1至1∶2,制作了线密度为1 200l/mm,闪耀角为~8.6°,非闪耀角为34°~98°的4种闪耀光栅,与刻蚀模拟程序的结果进行对比,模拟误差<5%;控制离子束刻蚀时间为6~14min,制作了线密度为1 200l/mm,闪耀角为~8.6°,顶角平台横向尺寸为0~211nm的6种光栅,与刻蚀模拟程序的模拟结果进行对比,模拟误差<1%。比较实验及离子束刻蚀模拟结果表明,离子束刻蚀模拟程序获得的模拟刻蚀轮廓曲线与实际刻蚀轮廓曲线的误差<5%;模拟刻蚀截止点与实际刻蚀截止点误差<1%。实验表明,提出的模拟方程可以准确地描述不同工艺过程和工艺参数对最终刻蚀结果的影响,进而可预知和控制离子束刻蚀过程。 展开更多
关键词 闪耀光栅 全息光栅 衍射效率 刻蚀模拟 离子束刻蚀
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宽波段全息-离子束刻蚀光栅的设计及工艺 被引量:9
4
作者 吴娜 谭鑫 +1 位作者 于海利 张方程 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1978-1983,共6页
设计和制作了一种在同一基底上具有多闪耀角的宽波段全息-离子束刻蚀光栅。提出了组合形成宽波段全息-离子束刻蚀光栅的分区设计方法,优化了3种闪耀角混合的宽波段全息光栅设计参数,并利用反应离子束刻蚀装置对该光刻胶掩模进行刻蚀图... 设计和制作了一种在同一基底上具有多闪耀角的宽波段全息-离子束刻蚀光栅。提出了组合形成宽波段全息-离子束刻蚀光栅的分区设计方法,优化了3种闪耀角混合的宽波段全息光栅设计参数,并利用反应离子束刻蚀装置对该光刻胶掩模进行刻蚀图形转移,采用分段、分步离子束刻蚀技术开展了获得不同闪耀角的离子束刻蚀实验。最后在同一光栅基底上分区制作了位相相同,并具有9,18,29°3个不同闪耀角,口径为60mm×60mm,使用波段为200~900nm的宽波段全息光栅。衍射效率测试结果显示其在使用波段的最低衍射效率超过30%,最高衍射效率超过50%,实验结果与理论计算结果基本符合。与其它方式制作的宽波段光栅相比,采用宽波段全息-离子束刻蚀光栅不但工艺成熟,易于控制光栅槽形,而且光栅有效面积尺寸较大,便于批量复制。 展开更多
关键词 全息光栅 宽波段光栅 离子束刻蚀 刻蚀模拟
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磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究 被引量:9
5
作者 沈向前 谢泉 +1 位作者 肖清泉 丰云 《真空》 CAS 2012年第1期65-69,共5页
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素。本文用有限元分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particlein cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopp... 靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素。本文用有限元分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particlein cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响。模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深;靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小。模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好。 展开更多
关键词 磁控溅射 靶材刻蚀 计算机模拟 状态分布
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基于MATLAB的硅各向异性腐蚀过程模拟 被引量:8
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作者 张佩君 黄庆安 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期440-444,共5页
根据硅各向异性腐蚀特点 ,在硅各向异性腐蚀速率图基础上 ,提出算法 ,利用数学软件 MATL AB模拟了几种简单掩膜图形的腐蚀过程 .程序从二维掩膜描述出发 ,找到相关晶面 ,产生动态的三维几何结构的输出 .并推导出凸角补偿时补偿条的相关... 根据硅各向异性腐蚀特点 ,在硅各向异性腐蚀速率图基础上 ,提出算法 ,利用数学软件 MATL AB模拟了几种简单掩膜图形的腐蚀过程 .程序从二维掩膜描述出发 ,找到相关晶面 ,产生动态的三维几何结构的输出 .并推导出凸角补偿时补偿条的相关尺寸 .其结果对 展开更多
关键词 过程模拟 各向异性腐蚀 MATLAB
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反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究 被引量:3
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作者 陆建祖 魏红振 +4 位作者 李玉鉴 张永刚 林世鸣 余金中 刘忠立 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期420-424,共5页
以SF6 N2 混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型 ,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比 ,并且以仿真实验数据训... 以SF6 N2 混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型 ,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比 ,并且以仿真实验数据训练模型学习 ,模型具有通用性 ,与设备无关。 展开更多
关键词 人工神经网络 反应离子刻蚀 工艺仿真模型
原文传递
基于PVDF的柔性压力传感器阵列的制备及仿真研究 被引量:8
8
作者 卢凯 黄文 +3 位作者 刘思祎 李响 林媛 冯雪 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第3期40-43,共4页
采用湿法刻蚀制备了基于PVDF薄膜的柔性4×4压力传感器阵列,该传感器具有16个毫米尺寸的电容器单元。使用光学显微镜、原子力显微镜观测了传感器表面形貌,显示电极阵列的界面清晰,PVDF薄膜表面形貌平整。力电耦合效应测试的结果显... 采用湿法刻蚀制备了基于PVDF薄膜的柔性4×4压力传感器阵列,该传感器具有16个毫米尺寸的电容器单元。使用光学显微镜、原子力显微镜观测了传感器表面形貌,显示电极阵列的界面清晰,PVDF薄膜表面形貌平整。力电耦合效应测试的结果显示传感器的应力输入和电压输出具备高的信噪比和良好的线性关系,力电响应为12×10–3 V/kPa。受力-空载响应输出显示,对传感器施加20~80 kPa范围的脉冲压力,得到了输出0.26~0.98 V的电压信号,并且放电时间少于2.5 ms。结合仿真计算研究了传感器阵列之间的电势信号影响,结果表明相邻阵列单元间的信号干扰随着阵列所受压力增加而增加并且呈现线性关系,干扰信号为0.028×10^(–3) V/kPa,在1.4 mm^2尺寸时,低于178 kPa压力所产生的干扰信号可以近似忽略。 展开更多
关键词 PVDF薄膜 刻蚀 柔性 传感器 阵列 仿真
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多晶硅太阳电池酸腐蚀绒面技术研究进展 被引量:7
9
作者 张发云 叶建雄 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期307-309,共3页
高性价比优势使多晶硅成为光伏市场的主要材料。随着太阳电池向低成本化方向的发展,研究太阳电池多晶硅酸腐蚀绒面技术有着重要的意义。综述了近年来多晶硅太阳电池酸腐蚀绒面技术的研究进展,着重阐述多晶硅酸腐蚀绒面形成机制、最新的... 高性价比优势使多晶硅成为光伏市场的主要材料。随着太阳电池向低成本化方向的发展,研究太阳电池多晶硅酸腐蚀绒面技术有着重要的意义。综述了近年来多晶硅太阳电池酸腐蚀绒面技术的研究进展,着重阐述多晶硅酸腐蚀绒面形成机制、最新的改进工艺及其数值模拟技术,并展望了多晶硅太阳电池酸腐蚀绒面技术的发展前景。 展开更多
关键词 多晶硅 酸腐蚀 绒面 数值模拟
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磁处理改善低碳钢焊接接头的耐腐蚀性能 被引量:5
10
作者 林健 赵海燕 +1 位作者 蔡志鹏 鹿安理 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期61-64,68,共5页
研究了磁处理对低碳钢焊接接头耐腐蚀性能的影响。低碳钢平板焊接试样的全浸泡腐蚀试验结果表明,磁处理后,试样的腐蚀速率有一定量的下降,下降的相对平均值为2.58%。对低碳钢平板试样的TIG焊接过程进行了有限元数值模拟,分析了平板试样... 研究了磁处理对低碳钢焊接接头耐腐蚀性能的影响。低碳钢平板焊接试样的全浸泡腐蚀试验结果表明,磁处理后,试样的腐蚀速率有一定量的下降,下降的相对平均值为2.58%。对低碳钢平板试样的TIG焊接过程进行了有限元数值模拟,分析了平板试样内的残余应力分布。并在此基础上,对试样在磁处理前后的腐蚀速率差异值进行了统计意义上的显著性检验。分析结果表明,磁处理引起试样的腐蚀速率下降值在显著性为5%的试验误差范围以外,由此可见,磁处理可在显著性水平为5%的意义上改善低碳钢焊接接头的耐腐蚀性能。 展开更多
关键词 磁处理 腐蚀速率 焊接残余应力 数值模拟 显著性检验
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氨水中和废硫酸蚀刻液制备硫酸铵的研究
11
作者 李璟 邓国平 张井峰 《硫酸工业》 CAS 2024年第3期10-15,共6页
针对半导体行业废硫酸中H_(2)SO_(4)含量高、杂质含量低的特点,采用氨水中和法处理硫酸废液,中和后的溶液通过蒸发、浓缩、离心分离等过程,可生成固体硫酸铵产品。基于AspenPlus软件平台,研究了中和反应pH控制值对反应产物生成量的影响... 针对半导体行业废硫酸中H_(2)SO_(4)含量高、杂质含量低的特点,采用氨水中和法处理硫酸废液,中和后的溶液通过蒸发、浓缩、离心分离等过程,可生成固体硫酸铵产品。基于AspenPlus软件平台,研究了中和反应pH控制值对反应产物生成量的影响,并对氨水中和过程、硫酸铵溶液蒸发过程的工艺控制参数以及物料和能量消耗进行了模拟分析。根据模拟分析结果,新建20kt/a废硫酸资源化利用生产线,装置顺利投产后,生产的固体硫酸铵产品质量满足《工业硫酸铵》以及《肥料级硫酸铵》中Ⅱ型指标要求。 展开更多
关键词 废硫酸 蚀刻液 氨水中和 硫酸铵 流程模拟
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Influence of white etching layer on rolling contact behavior at wheel-rail interface 被引量:5
12
作者 Qinglin LIAN Guanyu DENG +3 位作者 Hongtao ZHU Huijun LI Xi WANG Zhiming LIU 《Friction》 SCIE CSCD 2020年第6期1178-1196,共19页
The existence of narrow and brittle white etching layers(WELs)on the rail surface is often linked with the formation of rail defects such as squats and studs,which play the key roles in rail surface degradation and tr... The existence of narrow and brittle white etching layers(WELs)on the rail surface is often linked with the formation of rail defects such as squats and studs,which play the key roles in rail surface degradation and tribological performance.In the present study,a systematic investigation on stress/strain distribution and fatigue life of the WEL during wheel-rail rolling contact was conducted based on a numerical model considering the realistic wheel geometry.This is the first study considering the influence of rail materials,loading pressure,frictional condition,WEL geometry(a/b),and slip ratio(Sr)in the practical service conditions at the same time.The results revealed much higher residual stress in WEL than in rail matrix.Stress changes along the rail depth matched with the previously reported microstructure evolutions.The current work revealed that the maximum difference in contact stress between the wheel passages of rail matrix and the WEL region(noted as stress variation)rises with the increase of loading pressure,the value of a/b,and Sr;but drops with the friction coefficient(μ).In addition,a critical length–depth ratio of 5 for a/b has been found.The fatigue parameter,FP,of the WEL decreased quickly with the length–depth ratio when it was less than 5 and then increased slightly when it was larger than 5.This study also revealed that the fatigue life of the WEL was reduced for high strength head hardened(HH)rail compared with standard carbon(SC)rail. 展开更多
关键词 wheel-rail contact white etching layer rolling contact fatigue finite element simulation
原文传递
硅各向异性腐蚀的原子级模拟 被引量:5
13
作者 姜岩峰 黄庆安 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期618-623,共6页
应用原子级模型中的随机CA算法,针对硅材料和具体的工艺特点,构造了相应的函数,并在此基础上编制了应用软件———SSAE.该软件可独立运行,能够模拟出硅在KOH中不同腐蚀条件下腐蚀的过程和结果,并且克服了其他采用原子级模型的模拟软件... 应用原子级模型中的随机CA算法,针对硅材料和具体的工艺特点,构造了相应的函数,并在此基础上编制了应用软件———SSAE.该软件可独立运行,能够模拟出硅在KOH中不同腐蚀条件下腐蚀的过程和结果,并且克服了其他采用原子级模型的模拟软件中常出现的边界模糊等缺点.该结果与其他软件和实验结果相比,较为一致,并且该软件具有占用系统资源少、运行时间快等优点,具有一定的实用价值. 展开更多
关键词 各向异性腐蚀 计算机模拟 原子模型
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酸岩反应动力学方式与酸溶蚀行为关系的模拟研究 被引量:5
14
作者 张黎明 任书泉 《油田化学》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期44-47,共4页
酸岩反应动力学方式与酸溶蚀行为关系,对油气井酸化增产技术有重要的指导作用。本文结合前人研究工作,探寻和总结了这件关系并简介了模拟研究方法。本工作表明,当动力学方式为对流传质控制时,酸溶蚀相对稳定地进行,溶性结构为紧密... 酸岩反应动力学方式与酸溶蚀行为关系,对油气井酸化增产技术有重要的指导作用。本文结合前人研究工作,探寻和总结了这件关系并简介了模拟研究方法。本工作表明,当动力学方式为对流传质控制时,酸溶蚀相对稳定地进行,溶性结构为紧密型,为扩散传质控制时,酸溶蚀不稳定地进行,溶蚀结构为孔洞型;为表面反应控制时,酸溶蚀相对均匀地进行,溶蚀结构则为均匀型。 展开更多
关键词 酸岩反应 化学动力学 溶蚀行为 地层酸化 油气井
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碳酸盐岩酸蚀裂缝渗流-传热特性 被引量:4
15
作者 杜利 唐果 +2 位作者 詹洪阳 贾艳雨 陈四利 《科学技术与工程》 北大核心 2021年第33期14333-14344,共12页
充分认识流体在碳酸盐岩酸蚀裂隙面上的渗流传热特性,实现地热能的可持续开发利用是十分必要的。针对碳酸盐岩热储非均质性和缝洞发育的突出特点,采用自主研发的实时高温常规三轴试验系统,真实模拟岩石裂隙的真实对流换热过程。采用COMS... 充分认识流体在碳酸盐岩酸蚀裂隙面上的渗流传热特性,实现地热能的可持续开发利用是十分必要的。针对碳酸盐岩热储非均质性和缝洞发育的突出特点,采用自主研发的实时高温常规三轴试验系统,真实模拟岩石裂隙的真实对流换热过程。采用COMSOL Multiphysics软件对碳酸盐岩单裂隙渗流传热过程进行了模拟计算,开展了实际热储层环境条件下对流换热仿真分析,研究了碳酸盐岩裂缝渗流传热耦合机理。结果表明,裂缝表面进行非均匀性溶蚀,形成一条具有导流能力的人工裂缝,达到改善流体渗流条件的目的;在温度一定的条件下,对流换热系数增幅与流量、压强呈正相关。实验结果验证了数值模拟的正确性与可靠性,获得了储层温度场的演化规律。 展开更多
关键词 碳酸盐岩 渗流传热 非均匀溶蚀 对流换热系数 仿真分析
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单晶硅各向异性仿真刻蚀模型构建与形貌模拟
16
作者 张辉 钱珺 洪莉莉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1961-1970,共10页
本文针对单晶硅在不同温度、浓度、表面活性剂等多种刻蚀条件下的形貌模拟问题,构建了硅原子结构模型并分析了其主要晶面刻蚀速率和对应原子结构之间的关系,提出了适应于单晶硅刻蚀模拟的表层原子刻蚀函数(Si-RPF),明确了晶面宏观刻蚀... 本文针对单晶硅在不同温度、浓度、表面活性剂等多种刻蚀条件下的形貌模拟问题,构建了硅原子结构模型并分析了其主要晶面刻蚀速率和对应原子结构之间的关系,提出了适应于单晶硅刻蚀模拟的表层原子刻蚀函数(Si-RPF),明确了晶面宏观刻蚀速率与原子微观移除概率之间的数值联系,构建了基于遗传算法的动力学蒙特卡罗各向异性湿法刻蚀工艺模型(Si-KMC)。该工艺模型可以基于台阶流动理论,从原子角度解释单晶硅刻蚀各向异性的成因,能够明确不同类型的原子在刻蚀过程中的作用和实现对不同刻蚀条件下单晶硅衬底三维刻蚀形貌的精确模拟。对比有无表面活性剂添加条件下的单晶硅刻蚀实验数据和模拟结果表明,Si-KMC刻蚀工艺仿真模型模拟结果可以达到90%以上仿真精度。 展开更多
关键词 单晶硅 湿法刻蚀 表层形貌 晶面 各向异性 活性剂 蒙特卡罗 仿真
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光刻-刻蚀虚拟仿真实验的设计与实施
17
作者 杨爽 金伟 周静 《教育教学论坛》 2023年第17期41-44,共4页
对焦国家中国芯开发战略,自主设计开发光刻-刻蚀虚拟仿真实验。实验以芯片生产过程中的光刻-刻蚀工艺作为代表,通过虚拟仿真技术进行设备建模、光路模拟、微观粒子运动演示等,将无法触及的设备内部结构、复杂的光刻-刻蚀工艺影响、转瞬... 对焦国家中国芯开发战略,自主设计开发光刻-刻蚀虚拟仿真实验。实验以芯片生产过程中的光刻-刻蚀工艺作为代表,通过虚拟仿真技术进行设备建模、光路模拟、微观粒子运动演示等,将无法触及的设备内部结构、复杂的光刻-刻蚀工艺影响、转瞬即逝的微观实验现象直观化展示给实验者,利用“练习模式”和“考试模式”让实验者充分开展实验探索,通过不同模拟情境激发学生学习兴趣。实验解决了光刻-刻蚀实验在高校难以开展的问题,为综合型人才培养打下基础。 展开更多
关键词 光刻-刻蚀 虚拟仿真 实验设计 教学改革
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等离子体刻蚀工艺模型研究进展 被引量:3
18
作者 于骁 周再发 +1 位作者 李伟华 黄庆安 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期94-99,共6页
综述了等离子体刻蚀模型的研究进展,包括粒子方法模型和动力学模型的现状与进展。粒子方法模型主要介绍蒙特卡洛模型和结合蒙特卡洛模型的混合模型,动力学模型主要介绍反应位点模型、分子动力学模型和混合层动力学模型。在每种模型中,... 综述了等离子体刻蚀模型的研究进展,包括粒子方法模型和动力学模型的现状与进展。粒子方法模型主要介绍蒙特卡洛模型和结合蒙特卡洛模型的混合模型,动力学模型主要介绍反应位点模型、分子动力学模型和混合层动力学模型。在每种模型中,讨论了该模型的优缺点及应用范围。在此基础上,总结了过去刻蚀模型的发展历程,展望了等离子刻蚀模型的发展前景,对进行等离子刻蚀的建模分析具有参考意义。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 刻蚀模型 粒子方法 动力学方法 工艺模拟
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直流磁控溅射中磁场强度和阴极电压对圆平面靶刻蚀形貌的影响 被引量:3
19
作者 黄英 韩晶雪 +2 位作者 李建军 常亮 张以忱 《真空》 CAS 2013年第3期70-73,共4页
本文借助Comsol和Matlab软件模拟了直流磁控溅射圆平面靶系统的磁场分布和荷电粒子分布,对不同磁场强度和阴极电压条件下的荷电粒子分布进行了模拟分析,通过比较靶面离子流密度分布曲线发现:当磁场强度增强时,靶面离子流密度分布曲线会... 本文借助Comsol和Matlab软件模拟了直流磁控溅射圆平面靶系统的磁场分布和荷电粒子分布,对不同磁场强度和阴极电压条件下的荷电粒子分布进行了模拟分析,通过比较靶面离子流密度分布曲线发现:当磁场强度增强时,靶面离子流密度分布曲线会变得更加陡窄;当阴极电压变化时,靶面离子流密度分布曲线几乎没有变化。说明靶材的刻蚀形貌会随磁场强度增强而变窄,而阴极电压变化对靶材的刻蚀形貌没有影响。上述结论对直流磁控溅射工艺参数优化具有一定的理论指导意义。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 刻蚀形貌 模拟 圆平面靶 磁场强度 阴极电压
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考虑高指数晶面的体硅腐蚀模拟新CA模型 被引量:2
20
作者 周再发 黄庆安 +1 位作者 李伟华 邓伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期731-736,共6页
针对目前体硅腐蚀(硅各向异性腐蚀)的3DCA模型无法引入(211),(311),(331),(411)等较多高密勒指数晶面,模拟精度不高的问题,建立了一种高精度的体硅腐蚀模拟的新3D连续CA(元胞自动机)模型.模型可以有效引入(211),(311),(331),(411)等高... 针对目前体硅腐蚀(硅各向异性腐蚀)的3DCA模型无法引入(211),(311),(331),(411)等较多高密勒指数晶面,模拟精度不高的问题,建立了一种高精度的体硅腐蚀模拟的新3D连续CA(元胞自动机)模型.模型可以有效引入(211),(311),(331),(411)等高密勒指数晶面,提高模拟精度.模拟结果与实验结果一致,证明了模型的模拟效果,对体硅腐蚀模拟研究和提高MEMS设计水平具有一定的实用意义. 展开更多
关键词 元胞自动机 腐蚀模拟 微机电系统 微加工技术 各向异性腐蚀
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