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氮化硅的反应离子刻蚀研究 被引量:10
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作者 苟君 吴志明 +1 位作者 太惠玲 袁凯 《电子器件》 CAS 2009年第5期864-866,870,共4页
采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119nm/min,均匀性为... 采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119nm/min,均匀性为0.6%,对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 氮化硅 刻蚀气体 优化
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4H-SiC ICP深刻蚀工艺研究 被引量:9
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作者 喻兰芳 梁庭 +3 位作者 熊继军 崔海波 刘雨涛 张瑞 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第10期8-10,共3页
SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压... SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的影响,并对产生的结果进行了相关分析。提出了一种SiC ICP深刻蚀方法,对SiC深刻蚀技术具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 SIC ICP深刻蚀 刻蚀气体 源功率RF1 射频功率RF2 腔室压强
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等离子体渗硼对硬质合金表面金刚石涂层的影响
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作者 丁晟 王海龙 +1 位作者 马莉 魏秋平 《粉末冶金材料科学与工程》 2024年第3期181-190,共10页
采用热丝化学气相沉积法在等离子体渗硼预处理后的硬质合金表面沉积金刚石涂层,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪及洛氏硬度计探究预处理过程对金刚石涂层生长质量和结合性能的影响。结果表明:随等离子体渗硼温度升高,基体... 采用热丝化学气相沉积法在等离子体渗硼预处理后的硬质合金表面沉积金刚石涂层,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪及洛氏硬度计探究预处理过程对金刚石涂层生长质量和结合性能的影响。结果表明:随等离子体渗硼温度升高,基体表面生成的CoWB含量增加,且WC脱碳还原为W。等离子体轰击使基体表面缺陷密度增大,能提高金刚石的形核速率,CoWB钝化层和W过渡层可抑制Co原子扩散,提高金刚石的生长质量。相较于酸碱两步法处理,经过等离子体渗硼处理的硬质合金表面金刚石涂层中石墨相含量明显减少,残余应力随等离子体渗硼温度升高而降低。石墨相含量的减少和残余应力的降低提高了金刚石涂层与硬质合金基体之间的结合性能,1000℃预处理的硬质合金表面金刚石涂层的结合力等级可达HF1水平。 展开更多
关键词 硬质合金 等离子体刻蚀 气体渗硼 化学气相沉积 金刚石涂层 结合性能
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Efficient catalytic hydrogen generation by intermetallic platinum-lead nanostructures with highly tunable porous feature 被引量:1
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作者 Bin E Lingzheng Bu +2 位作者 Qi Shao Yujing Li Xiaoqing Huang 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期36-43,共8页
The water-gas shift(WGS) reaction is an essential industrial reaction for upgrading hydrogen(H2) by removing carbon monoxide(CO), while highly efficient platinum(Pt)-based catalysts for WGS with simultaneously high ac... The water-gas shift(WGS) reaction is an essential industrial reaction for upgrading hydrogen(H2) by removing carbon monoxide(CO), while highly efficient platinum(Pt)-based catalysts for WGS with simultaneously high activity and stability are still yet to be developed due to the poisoning issue during the reaction. Herein, we report on the porous PtPb peanut nanocrystals(porous PtPb PNCs) and porous PtPb octahedron nanocrystals(porous PtPb ONCs) with controllable ratios of Pt/Pb as extremely active and stable catalysts towards WGS reaction. It exhibits the composition-dependent activity with porous PtPb PNCs-40/ZnO being the most active for WGS to H_2, 16.9 times higher than that of the commercial Pt/C. The porous PtPb PNCs-40/ZnO also display outstanding durability with barely activity decay and negligible structure and composition changes after ten successive reaction cycles. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) results reveal that the suitable binding energy of Pt 4f_(7/2) and the high ratio of Pt(0)to Pt(II) in porous PtPb PNCs/ZnO and porous PtPb ONCs/ZnO are crucial for the enhanced WGS activity.The CO stripping results indicate the optimized CO adsorption strength on the Pt surface ensure the excellent WGS activity and the outstanding durability. The present work demonstrates an important advance in tuning the porous metal nanomaterials as highly efficient and durable catalysts for catalysis,energy conversion and beyond. 展开更多
关键词 POROUS Selective etching Hydrogen Pt-Pb Water-gas SHIFT
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制冷剂HFC-134a资源化利用制备六氟丁二烯
5
作者 黄瑛 赵卫娟 《浙江化工》 CAS 2017年第6期3-5,共3页
介绍了各国对HFC-134a高GWP制冷剂的政策、法规以及六氟丁二烯的制备方法;提出了利用HFC-134a为原料制备低GWP、高精度的蚀刻气体六氟丁二烯是一条HFC-134a资源化转化的有效途径。
关键词 HFC-134A 资源化利用 六氟丁二烯 蚀刻气体
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Growth of Nano Crystalline Diamond on Silicon Substrate Using Different Etching Gases by HFCVD
6
作者 Z.Khalaj M.Ghoranneviss +2 位作者 S.Nasirilaheghi Z.Ghorannevisb R.Hatakeyama 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第6期689-692,746,共5页
We investigate the effects of etching gases on the synthesis of nano crystalline diamonds grown on silicon substrate at the substrate temperature of 550℃ and the reaction pressure of 4 kPa by hot filament chemical va... We investigate the effects of etching gases on the synthesis of nano crystalline diamonds grown on silicon substrate at the substrate temperature of 550℃ and the reaction pressure of 4 kPa by hot filament chemical vapor deposition method, in which CH4 and H2 act as a source and diluting gases, respectively. N2, H2, and NH3 were used as the etching gases, respectively. Results show that the optimum conditions can be obtained only for the case of H2 gas. The crystal morphology and crystallinity of the samples have been examined by scanning electron microscopy and X-ray diffraction, respectively. 展开更多
关键词 Nano crystalline diamond etching gas Hot filament chemical vapor deposition
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微沟槽缺陷的形成与改进
7
作者 戴学春 《集成电路应用》 2017年第12期47-50,共4页
随着集成电路密度的不断提高,多晶硅栅的线宽不断变小,栅氧化层的厚度继续变薄,多晶硅的刻蚀变得越来越关键。多晶硅栅的形貌控制,栅氧化层二氧化硅的损失等关键特征已经被普遍关注。多晶硅刻蚀中的另一种现象:微沟槽缺陷(microtrench d... 随着集成电路密度的不断提高,多晶硅栅的线宽不断变小,栅氧化层的厚度继续变薄,多晶硅的刻蚀变得越来越关键。多晶硅栅的形貌控制,栅氧化层二氧化硅的损失等关键特征已经被普遍关注。多晶硅刻蚀中的另一种现象:微沟槽缺陷(microtrench defect)也显得越发重要。该现象会造成器件的大面积漏电,严重杀伤每一个管芯,造成硅片的报废。作者通过相关试验,从工艺参数的角度对微沟槽缺陷的形成和控制做了讨论,对主要工艺参数对微沟槽缺陷的影响作了分组实验,为优化工艺参数来彻底防止微沟槽缺陷提供必要的指导。 展开更多
关键词 集成电路制造 反应离子刻蚀 微沟槽 离子能量 平均自由程 腔体压力 源功率 偏压功率 气体比率
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发射光谱法研究CaO对等离子体刻蚀废气的吸收作用
8
作者 刘慧杰 《光谱实验室》 CAS CSCD 2005年第1期130-133,共4页
以 CF4/ Ar作为等离子体刻蚀废气的模拟气体 ,经电感耦合等离子放电之后 ,通过 Ca O固体粉末进行废气的吸收 ,测得吸收废气的 Ca O的发射光谱。与模拟刻蚀废气光谱比较可知 ,Ca O可除去废气中70 %的 F元素 ,并给出了未能全部清除的原因。
关键词 废气 CF4 吸收 等离子体 刻蚀 清除 气体 发射光谱 电感耦合 放电
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金刚石表面刻蚀技术研究进展 被引量:11
9
作者 窦志强 肖长江 栗正新 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期90-95,共6页
金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻... 金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻蚀、气固相混合刻蚀、等离子刻蚀这五类。熔盐刻蚀是利用熔融离子化合物对金刚石表面进行刻蚀,其刻蚀机理主要是金刚石碳原子的氧化过程。气相刻蚀是利用氧气等气体与金刚石表面发生气固相反应,使金刚石中的碳原子变为一氧化碳等气态化合物进行刻蚀。气固相混合刻蚀主要是以镍、铂等金属作为催化剂,辅助氢气与金刚石发生反应生成甲烷,对金刚石进行刻蚀。固相刻蚀是金刚石合成的逆过程,主要用铁钴镍及其盐对金刚石进行催化石墨化,之后这些金属作为溶剂形成碳固溶体对金刚石进行刻蚀。等离子体刻蚀主要是用氧等离子体与金刚石发生反应,对金刚石进行刻蚀。文章着重介绍了这五种金刚石表面刻蚀技术近年来的研究进展,简要分析了这些技术的原理、特点与用途。 展开更多
关键词 金刚石 表面刻蚀 等离子刻蚀 熔盐刻蚀 气相刻蚀 固相刻蚀
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振动—酸压复合增产技术 被引量:8
10
作者 张荣军 蒲春生 +1 位作者 聂翠平 时宇 《天然气工业》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期72-74,共3页
振动采油、酸化压裂技术都是油气田开发中增产的可行途径。振动采油技术主要是利用振动波处理油层 ,通过压裂造缝、原油降粘等方法使油井增产提高 ,从而提高油层最终采收率。酸压技术是一种常用于碳酸岩油气藏的油井增产措施 ,即在高于... 振动采油、酸化压裂技术都是油气田开发中增产的可行途径。振动采油技术主要是利用振动波处理油层 ,通过压裂造缝、原油降粘等方法使油井增产提高 ,从而提高油层最终采收率。酸压技术是一种常用于碳酸岩油气藏的油井增产措施 ,即在高于破裂压力下向地层泵入盐酸 ,使其产生裂缝或压开天然裂缝 ,同时酸液始终在张开的裂缝中流动并与裂缝壁面反应 ,最终形成具有一定长度和一定酸蚀导流能力的裂缝 ,以提高储层渗流能力。在一些稠油、高凝油的碳酸盐岩油藏的开发中由于普遍面临着地层渗透率低、原油粘度大等不利因素。所以将大功率的振动波与酸化压裂技术相结合 ,将是一种十分有效的方法 ,文章通过研究认为它可以促进原油粘度的降低 ,提高地层的导流能力 ,有效的解决常规方法不能解决的问题 ,对于提高碳酸岩油藏中稠油、高凝油的产量有重要的指导意义。 展开更多
关键词 酸压 原油粘度 高凝油 酸化压裂技术 振动采油 稠油 油井 碳酸岩 地层 油气藏
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工艺参数对Si深槽刻蚀的影响 被引量:6
11
作者 杨小兵 王传敏 孙金池 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期424-427,共4页
采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响。通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因素,其大小直接影响了深槽的垂直度;适... 采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响。通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因素,其大小直接影响了深槽的垂直度;适当增加刻蚀阶段钝化气体通入时间对减小线宽损失有很大的作用,但增加过多会产生长草效应;合适的刻蚀和钝化工艺重叠时间,不仅可以减小侧壁表面的起伏度,还可以一定程度上减小线宽损失。采用刻蚀/钝化比为7:5、刻蚀阶段钝化气体通入时间为25min、刻蚀、钝化工艺重叠时间分别为0.5、1s的工艺条件,成功地实现了一个垂直度达(90±0.1)°、深40μm、线宽损失小于50nm的Si深槽刻蚀结构。 展开更多
关键词 Bosch技术 Si深槽刻蚀 刻蚀/钝化比 长草效应 刻蚀和钝化工艺重叠时间 钝化气体
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八氟环戊烯的合成与应用研究进展
12
作者 程浩 于万金 +3 位作者 吴江平 林胜达 郭天佐 刘武灿 《浙江化工》 CAS 2024年第1期1-8,共8页
八氟环戊烯是一种不饱和全氟烯烃,消耗臭氧潜能值(ODP)为0,全球增温潜能值(GWP_(100))为78.1,大气寿命为1.1年。作为一种新型的全氟化学品,主要用于半导体的刻蚀气与清洗剂,同时也被视为制备有机光致变色材料的关键含氟砌块。八氟环戊... 八氟环戊烯是一种不饱和全氟烯烃,消耗臭氧潜能值(ODP)为0,全球增温潜能值(GWP_(100))为78.1,大气寿命为1.1年。作为一种新型的全氟化学品,主要用于半导体的刻蚀气与清洗剂,同时也被视为制备有机光致变色材料的关键含氟砌块。八氟环戊烯由于其优异的环境性能和工作性能,在集成电路等领域受到越来越多的关注,因此具有巨大的潜在市场需求和良好的发展前景。本文介绍八氟环戊烯的合成研究进展,并阐述了其在电子气领域的应用研究情况,以期为八氟环戊烯的未来研究提供参考。 展开更多
关键词 八氟环戊烯 全氟烯烃 电子刻蚀气 清洗剂
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金刚石表面刻蚀研究进展 被引量:1
13
作者 王俊沙 刘莹莹 李园园 《中原工学院学报》 CAS 2022年第3期1-10,共10页
金刚石具有优异的机械、电、热及化学性能,广泛应用于高效加工、生物传感器、半导体及量子器件等领域,而刻蚀技术对其性能发挥起着重要作用。根据刻蚀剂种类,金刚石刻蚀分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、金属刻蚀及金属氧化物刻蚀。熔盐刻蚀借... 金刚石具有优异的机械、电、热及化学性能,广泛应用于高效加工、生物传感器、半导体及量子器件等领域,而刻蚀技术对其性能发挥起着重要作用。根据刻蚀剂种类,金刚石刻蚀分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、金属刻蚀及金属氧化物刻蚀。熔盐刻蚀借助熔融硝酸盐中产生的高活性氧对金刚石进行选择性腐蚀。气相刻蚀利用气体或等离子体与金刚石反应从而在金刚石表面制备特殊形状的阵列。金属刻蚀分为金属反应刻蚀、金属催化刻蚀和金属催化氢气刻蚀,可用于金刚石磨粒表面微图案化和薄膜表面微纳米孔制备。金属氧化物刻蚀通过氧化物与金刚石之间的氧化还原反应对金刚石进行腐蚀。介绍了以上四大类金刚石刻蚀技术的研究进展、作用原理和应用情况。 展开更多
关键词 金刚石 熔盐刻蚀 气相刻蚀 金属刻蚀 金属氧化物刻蚀
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变结构反应离子刻蚀腔室流场热场的数值仿真 被引量:4
14
作者 张景文 范斌 +1 位作者 李志炜 汉语 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期136-142,共7页
为了提高刻蚀的均匀性,对400mm反应离子刻蚀(RIE)腔室建立了气体流动的连续流体模型和热传递模型,研究了反应腔室内压强、流速和温度分布。冷却板恒温285K时,依次改变入口流量和出口压强,分别分析了腔室内部基片晶圆附近的流速、压强、... 为了提高刻蚀的均匀性,对400mm反应离子刻蚀(RIE)腔室建立了气体流动的连续流体模型和热传递模型,研究了反应腔室内压强、流速和温度分布。冷却板恒温285K时,依次改变入口流量和出口压强,分别分析了腔室内部基片晶圆附近的流速、压强、温度的分布;依次改变极板间距离(30mm^60mm)、进气口直径(300mm^620mm)、抽气口直径(50mm^250mm),分析了反应腔室内气流和温度分布。结果表明,压强分布呈现出边缘低中心高的特征,流速呈现边缘高且中心低的特征,且在小流量时压强的均匀性较好;压强分布的均匀性随腔室极板间距离增加而有所提高,且随腔室气体出口面积减小与进口面积增加也有所提高;基片晶圆上方附近处温度场大面均匀、稳定,几乎不受入口流量波动变化的影响,热稳定性良好。该研究对大口径RIE腔室结构设计改进及对大口径反应离子刻蚀工艺控制具有重要意义。 展开更多
关键词 光学制造 反应离子刻蚀 变结构腔室 流热场分布 滑移区稀薄气体 数值模拟
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用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
15
作者 高阳 周燕萍 +3 位作者 王鹤鸣 左超 上村隆一郎 杨秉君 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期136-143,共8页
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti... GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对TiN材料进行了干法刻蚀工艺的研究。采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl_(2)和BCl_(3)混合气体作为工艺气体,通过调整工艺参数,研究了ICP源功率、射频(RF)偏压功率、腔体压力、气体体积流量以及载台温度对TiN刻蚀速率和侧壁角度的影响。最后通过优化工艺参数,得到了TiN刻蚀速率为333 nm/min,底部平整且侧壁角度为81°的栅极结构。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体 栅极结构 新能源汽车
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硅槽刻蚀技术中的源气体选择 被引量:2
16
作者 王清平 苏韧 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第6期65-68,共4页
源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式,从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几种硅糟刻蚀用源气体及组分。
关键词 硅槽刻蚀 源气体 刻蚀
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栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究 被引量:3
17
作者 姜晓辉 田宗民 +9 位作者 李田生 张家祥 王亮 沈奇雨 崔玉琳 侯学成 郭建 陈旭 谢振宇 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期278-281,共4页
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反... 为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明:当SF6气体比例为M3、反应压强为p3,制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。 展开更多
关键词 栅绝缘层过孔 反应离子刻蚀 过刻量 气体比例
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关井效应对酸压裂缝刻蚀形貌与导流能力影响 被引量:3
18
作者 刘超 苟波 +7 位作者 管晨呈 郭建春 李骁 王香增 魏登峰 郝世彦 申峰 王念喜 《中国石油大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期96-103,共8页
为了揭示酸压关井时酸液在酸压裂缝中的滞留对酸刻蚀形态与导流能力的影响,选取鄂尔多斯盆地延安气田奥陶系马家沟组马五1亚段露头岩样,采用研发的装置“酸压裂缝导流能力测试系统”,用粗糙岩板模拟粗糙水力裂缝,研究不同注酸时间下,关... 为了揭示酸压关井时酸液在酸压裂缝中的滞留对酸刻蚀形态与导流能力的影响,选取鄂尔多斯盆地延安气田奥陶系马家沟组马五1亚段露头岩样,采用研发的装置“酸压裂缝导流能力测试系统”,用粗糙岩板模拟粗糙水力裂缝,研究不同注酸时间下,关井效应对酸刻蚀裂缝形态和导流能力的影响。结果表明马五1亚段储层存在使导流能力及保持水平最佳的注酸时间60 min;当注酸时间小于等于最佳注酸时间时,关井效应可增加酸蚀裂缝面迂曲度和平均酸蚀缝宽,导流能力也相应提高;当注酸时间大于最佳注酸时间时,关井效应使酸蚀裂缝面过度溶蚀,迂曲度和平均酸蚀缝宽减小,高闭合压力下导流能力削弱;马五1亚段储层酸压时,根据注酸时间确定关井和返排时间,发挥关井效应对酸蚀裂缝导流能力的有益作用,改善酸压效果。 展开更多
关键词 致密碳酸盐岩 关井效应 酸蚀裂缝形貌 导流能力 返排时间 延安气田 鄂尔多斯盆地
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湿法刻蚀车间有害气体扩散规律及控制技术数值模拟 被引量:2
19
作者 董艳 刘艳 +1 位作者 赵岩 崔向兰 《安全与环境学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1223-1231,共9页
集成电路制造企业湿法刻蚀工序中使用了大量的刻蚀液,且刻蚀液极易挥发。为有效防治集成电路制造业湿法刻蚀车间有害气体的扩散,保护作业人员的身体健康,采用CFD方法对刻蚀车间更换刻蚀液的过程进行数值模拟计算,研究有害气体扩散的规... 集成电路制造企业湿法刻蚀工序中使用了大量的刻蚀液,且刻蚀液极易挥发。为有效防治集成电路制造业湿法刻蚀车间有害气体的扩散,保护作业人员的身体健康,采用CFD方法对刻蚀车间更换刻蚀液的过程进行数值模拟计算,研究有害气体扩散的规律和控制技术。结果表明:刻蚀设备局部通风的风速和车间局部排风罩的位置是影响有害气体质量浓度分布的关键因素。当刻蚀设备的局部排风风速为6m/s,并在刻蚀设备上方车间顶部设置局部排风罩时,可使车间内作业工位处HF的质量浓度降到职业接触限值(2 mg/m^3)以下。 展开更多
关键词 安全卫生工程 集成电路制造 湿法刻蚀 有害气体扩散 数值模拟
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六氟丁二烯的合成工艺分析 被引量:2
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作者 曹伟 《有机氟工业》 CAS 2018年第4期33-36,共4页
六氟丁二烯是一种温室效应低、蚀刻性能好的新型电子气体,应用前景较好。它的合成工艺多而繁杂,对此进行了梳理,从合成关键中间体的角度进行了归纳,提出了进一步研究的方向。
关键词 六氟丁二烯 电子蚀刻气体 合成 三氟氯乙烯
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