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碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察 被引量：7
1
作者 高德友 赵北君 +5 位作者 朱世富 王瑞林 魏昭荣 李含冬 韦永林 唐世红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期180-183,共4页
本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为... 本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。 展开更多
关键词 碲锌镉 单晶体 SEM形貌 腐蚀坑 密度 布里奇曼法 半导体材料
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硒铟镓银单晶体(112)面蚀坑形貌观察 被引量：3
2
作者 王莹 朱世富 +4 位作者 赵北君 陈宝军 何知宇 万书权 龙勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期81-84,共4页
研究出一种能在室温下对AgGa0.8In0.2Se2晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,提出了一种适合AgGa0.8In0.2Se2晶体择优腐蚀的新工艺。采用改进的Bridgman法生长出AgGa0.8In0.2Se2晶体,对晶体进行定向切割出(112)面晶片;然后对晶片进... 研究出一种能在室温下对AgGa0.8In0.2Se2晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,提出了一种适合AgGa0.8In0.2Se2晶体择优腐蚀的新工艺。采用改进的Bridgman法生长出AgGa0.8In0.2Se2晶体,对晶体进行定向切割出(112)面晶片;然后对晶片进行研磨、机械抛光,使其表面平整无划痕;再将晶片用新腐蚀液,浓HNO3(65%～68%)∶浓HCl(35%～38%)=1∶2.5(体积比),在室温下腐蚀5min,同时进行超声振荡。采用金相显微镜对腐蚀后的晶片表面进行观察,发现清晰的蚀坑形貌,形状近似为正三角形,并对(112)面蚀坑的形成及其形貌成因进行了理论分析。 展开更多
关键词 AgGa0.8In0.2Se2晶体 缺陷 腐蚀液 蚀坑形貌观察 理论分析
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硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究 被引量：3
3
作者 杨胜伟 朱世富 +3 位作者 赵北君 陈宝军 袁泽锐 樊龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期818-820,835,共4页
本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形。初步解释了蚀坑的形成... 本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形。初步解释了蚀坑的形成原因。AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出三角锥形蚀坑形貌。 展开更多
关键词 硫镓银 单晶体 蚀坑形貌 SEM观察
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硫镓银晶体的化学腐蚀研究 被引量：2
4
作者 于鹏飞 朱世富 +3 位作者 赵北君 陈宝军 何知宇 樊龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期338-341,347,共5页
采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法自发成核生长AgGaS2晶体,在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行上提回熔,生长出外观完整、无裂纹的大尺寸AgGaS2单晶体。采用XRD对晶体进行分析,获得了(112)、(001)和(101)面的高强度尖锐衍射峰。采用不... 采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法自发成核生长AgGaS2晶体,在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行上提回熔,生长出外观完整、无裂纹的大尺寸AgGaS2单晶体。采用XRD对晶体进行分析,获得了(112)、(001)和(101)面的高强度尖锐衍射峰。采用不同配比的腐蚀剂对晶体(101)、(112)及(001)晶面进行化学腐蚀,然后采用金相显微镜和扫描电镜观察,结果显示,(101)晶面蚀坑为清晰的近似三角形的四边形蚀坑,(112)晶面蚀坑为清晰的近似三角锥形,(001)晶面则呈现互相垂直的腐蚀线。初步分析了不同蚀坑的形成原因,计算出(101)和(112)面蚀坑密度约为105/cm2数量级。结果表明,改进方法生长出的大尺寸AgGaS2单晶体结构完整、位错密度低,质量较好。 展开更多
关键词 AgGaS2晶体 垂直布里奇曼法 化学腐蚀 蚀坑形貌
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CdGeAs_2单晶体的腐蚀研究 被引量：1
5
作者 黄巍 赵北君 +4 位作者 朱世富 何知宇 陈宝军 李佳伟 虞游 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1349-1352,共4页
报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%)∶NH4OH(含NH325%-28%)∶NH4Cl(5mol/L)∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40℃下超声振荡腐... 报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%)∶NH4OH(含NH325%-28%)∶NH4Cl(5mol/L)∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察。结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论。 展开更多
关键词 CdGeAs2晶体 化学腐蚀剂 蚀坑形貌 缺陷分析
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CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察
6
作者 邓江辉 赵北君 +3 位作者 朱世富 何知宇 郭楠 李佳伟 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期74-76,81,共4页
采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs2)单晶片(101)面蚀坑形貌。选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs... 采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs2)单晶片(101)面蚀坑形貌。选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs2晶片。报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO3∶H2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因。 展开更多
关键词 非线性红外光学晶体 砷锗镉 腐蚀剂 蚀坑形貌
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