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题名工艺参数对Si深槽刻蚀的影响
被引量：6
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作者
杨小兵
王传敏
孙金池
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机构
北京微电子技术研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期424-427,共4页
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文摘
采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响。通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因素,其大小直接影响了深槽的垂直度;适当增加刻蚀阶段钝化气体通入时间对减小线宽损失有很大的作用,但增加过多会产生长草效应;合适的刻蚀和钝化工艺重叠时间,不仅可以减小侧壁表面的起伏度,还可以一定程度上减小线宽损失。采用刻蚀/钝化比为7:5、刻蚀阶段钝化气体通入时间为25min、刻蚀、钝化工艺重叠时间分别为0.5、1s的工艺条件,成功地实现了一个垂直度达(90±0.1)°、深40μm、线宽损失小于50nm的Si深槽刻蚀结构。
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关键词
Bosch技术
Si深槽刻蚀
刻蚀/钝化比
长草效应
刻蚀和钝化工艺重叠时间
钝化气体
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Keywords
Bosch technology
etching of deep Si trenches
etch and deposition ratio
grass effect
etch and deposition overrun time
passivation gas
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
TN304.12
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题名无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用
被引量：2
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作者
胥超
徐永青
杨志
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第3期194-197,202,共5页
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文摘
研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。
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关键词
无氨氮化硅
硅腐蚀
等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)
腐蚀比
颗粒
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Keywords
N2 free silicon nitride
silicon etch
plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）
etch ratio
particle
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
TH703
[机械工程—仪器科学与技术]
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