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氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析 被引量:17
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作者 于威 张立 +3 位作者 王保柱 路万兵 王利伟 傅广生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期1936-1941,共6页
对氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征和薄膜能带结构之间的关系进行了研究.所用样品采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术制备,利用Raman散射、红外吸收和光学吸收技术对薄膜的微观结构、氢的键合特征以及能带结构特性进行了分析.Raman结果... 对氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征和薄膜能带结构之间的关系进行了研究.所用样品采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术制备,利用Raman散射、红外吸收和光学吸收技术对薄膜的微观结构、氢的键合特征以及能带结构特性进行了分析.Raman结果显示不同衬底温度下所生长薄膜的微观结构存在显著差异,从非晶硅到纳米晶硅转化的衬底温度阈值为200℃.薄膜中氢的键合特征与薄膜的能带结构密切相关.氢化非晶硅薄膜具有较高的氢含量,因键合氢引起的价带化学位移和低衬底温度决定的结构无序性,使薄膜呈现较大的光学带隙和带尾宽度.升高衬底温度主要导致氢化纳米硅薄膜中纳米硅界面的键合氢含量增加,使薄膜光学带隙和带尾宽度呈减小趋势,该结果主要关联于键合氢对纳米晶粒表面悬键的中止作用.对应更高的衬底温度,因薄膜中的氢不能完全中止纳米晶粒界面的悬键,使薄膜能带带尾加宽. 展开更多
关键词 氢化纳米硅 螺旋波等离子体 能带结构 微观结构
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Rb吸附石墨烯纳米带电子性质和光学性质的研究 被引量:2
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作者 王伟华 罗杰 周嘉旭 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第2期80-86,共7页
本文基于密度泛函理论的第一性原理方法了计算了Rb、O和H吸附石墨烯纳米带的差分电荷密度、能带结构、分波态密度和介电函数,调制了石墨烯纳米带的电子性质和光学性质,给出了不同杂质影响材料光学特性的规律.结果表明本征石墨烯纳米带为... 本文基于密度泛函理论的第一性原理方法了计算了Rb、O和H吸附石墨烯纳米带的差分电荷密度、能带结构、分波态密度和介电函数,调制了石墨烯纳米带的电子性质和光学性质,给出了不同杂质影响材料光学特性的规律.结果表明本征石墨烯纳米带为n型直接带隙半导体且带隙值为0.639 eV;Rb原子吸附石墨烯纳米带之后变为n型简并直接带隙半导体,带隙值为0.494 eV;Rb和O吸附石墨烯纳米带变为p型简并直接带隙半导体,带隙值增加为0.996 eV;增加H吸附石墨烯纳米带后,半导体类型变为n型直接带隙半导体,且带隙变为0.299 eV,带隙值相对减小,更有利于半导体发光器件制备.吸附Rb、O和H原子后,石墨烯纳米带中电荷密度发生转移,导致C、Rb、O和H之间成键作用显著.吸附Rb之后,在费米能级附近由C-2p、Rb-5s贡献;增加O原子吸附之后,O-2p在费米能级附近贡献非常活跃,C-2p、Rb-5s和O-2p电子态之间强烈的杂化效应,促使费米能级附近的杂质能级分裂成能带;再增加H原子吸附之后,Rb-4p贡献发生蓝移,O-2p在费米能级附近贡献非常强,费米能级分裂出两条能带.Rb、O和H的吸附后,明显调制了石墨烯纳米带的光学性质. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 能带结构 光学性质 分波态密度 第一性原理
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硅酸锌的电子结构(英文) 被引量:4
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作者 张华 冯夏 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期750-754,共5页
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图... 采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18~0.00eV和2.79~10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。 展开更多
关键词 硅酸锌 电子态密度 能带结构
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Quantum confinement of carriers in the type-I quantum wells structure
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作者 Xinxin Li Zhen Deng +4 位作者 Yang Jiang Chunhua Du Haiqiang Jia Wenxin Wang Hong Chen 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期553-558,共6页
Quantum confinement is recognized to be an inherent property in low-dimensional structures.Traditionally,it is believed that the carriers trapped within the well cannot escape due to the discrete energy levels.However... Quantum confinement is recognized to be an inherent property in low-dimensional structures.Traditionally,it is believed that the carriers trapped within the well cannot escape due to the discrete energy levels.However,our previous research has revealed efficient carrier escape in low-dimensional structures,contradicting this conventional understanding.In this study,we review the energy band structure of quantum wells along the growth direction considering it as a superposition of the bulk material dispersion and quantization energy dispersion resulting from the quantum confinement across the whole Brillouin zone.By accounting for all wave vectors,we obtain a certain distribution of carrier energy at each quantized energy level,giving rise to the energy subbands.These results enable carriers to escape from the well under the influence of an electric field.Additionally,we have compiled a comprehensive summary of various energy band scenarios in quantum well structures relevant to carrier transport.Such a new interpretation holds significant value in deepening our comprehension of low-dimensional energy bands,discovering new physical phenomena,and designing novel devices with superior performance. 展开更多
关键词 energy band quantum confinement type-I quantum wells low-dimensional structures
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TiC固体的相稳定性和高压相变的密度泛函研究 被引量:2
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作者 章永凡 李俊篯 +2 位作者 丁开宁 陈文凯 周立新 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期863-867,共5页
采用基于第一性原理的密度泛函方法对TiC固体的NaCl,WC和CsCl三种相的电子结构进行了研究,结果表明,在零压力下相稳定次序为NaCl>WC>CsCl,该顺序可用费米能级附近电子态的大小加以解释,当增加外压力时,随着单胞体积的减小,CsCl相... 采用基于第一性原理的密度泛函方法对TiC固体的NaCl,WC和CsCl三种相的电子结构进行了研究,结果表明,在零压力下相稳定次序为NaCl>WC>CsCl,该顺序可用费米能级附近电子态的大小加以解释,当增加外压力时,随着单胞体积的减小,CsCl相逐渐成为稳定相,在外压约为475.9GPa时,NaCl相将向CsCl相转变,而CsCl相转变为WC相要求的外压较高。此外,还进一步探讨了压力对三种相的能带结构、化学键以及电荷密度的影响。 展开更多
关键词 TiC固体 相稳定性 高压相变 密度泛函 能带结构 化学键 过渡金属碳化物 碳化钛
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Cr掺杂浓度对AlN半金属性影响的第一性原理研究 被引量:3
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作者 樊玉勤 王新强 +2 位作者 刘高斌 王连轩 胡凯燕 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期359-364,共6页
本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下计算了掺杂过渡金属Cr原子后AlN晶体自旋极化的能带结构、分态密度等性质.结果表明,半金属能隙随着掺杂浓度的增大而减小.文中以掺杂浓度为12.5%的Cr—A1N(2×2×1... 本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下计算了掺杂过渡金属Cr原子后AlN晶体自旋极化的能带结构、分态密度等性质.结果表明,半金属能隙随着掺杂浓度的增大而减小.文中以掺杂浓度为12.5%的Cr—A1N(2×2×1)为例,分析了其自旋极化的能带结构、分态密度和磁矩等性质,发现Cr—3d电子对自旋向下子带导带底的能量位置起决定作用.随着掺杂浓度的增大,Cr原子间相互作用增强,Cr—3d能带向两边展宽,导致自旋向下子带导带底的能量位置下降,从而半金属能隙变窄. 展开更多
关键词 ALN 半金属 能带结构 态密度
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压电声子晶体能带结构的有限元方法模拟 被引量:2
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作者 吴吉恩 胡瑞霞 邓科 《吉首大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第3期31-34,共4页
基于有限元软件COMSOL Multiphysics详细介绍了压电声子晶体能带结构的计算方法,讨论了压电材料中不同分流电路对压电声子晶体能带结构的影响,分析了在能带计算过程中容易出现的几种错误,并给出相应的解决方法.
关键词 压电声子晶体 分流电路 能带结构 COMSOL MULTIPHYSICS
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Photonic band gap of 2D complex lattice photonic crystal 被引量:1
8
作者 关春颖 苑立波 《Optoelectronics Letters》 EI 2009年第2期120-123,共4页
It is of great significance to present a photonic crystal lattice structure with a wide photonic bandgap. A two-dimension complex lattice photonic crystal is proposed. The photonic crystal is composed of complex latti... It is of great significance to present a photonic crystal lattice structure with a wide photonic bandgap. A two-dimension complex lattice photonic crystal is proposed. The photonic crystal is composed of complex lattices with triangular structure, and each single cell is surrounded by six scatterers in an hexagon. The photonic band gaps are calculated based on the plane wave expansion (PWE) method. The results indicate that the photonic crystal has tunable large TM polarization band gap, and a gap-midgap ra... 展开更多
关键词 Cell membranes Crystal structure energy gap Optical devices Photonic crystals band gaps Lattice photonic crystals Midgap ratio Plane wave expansion method Single cells TM polarization Triangular structures Two DIMENSION
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(HgS/CdS)_nHgS线状超晶格电子能带结构
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作者 郑瑞伦 田德祥 郑勇林 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期80-82,86,共4页
建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程,并对(HgS/CdS)nHgS线状超晶格作具体计算,探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明:沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构,低能带的宽度要比高能... 建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程,并对(HgS/CdS)nHgS线状超晶格作具体计算,探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明:沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构,低能带的宽度要比高能带的宽度小;势阱宽度增大和势垒宽度减小会使带底的位置降低而带宽增大;圆柱半径在40 左右时,第一禁带宽度最大。 展开更多
关键词 (HgS/CdS)nHgS线状超晶格 电子能带结构 电子能谱 薛定谔方程 势阱 势垒 超晶格材料
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Znse/GaAs超晶格的电子态和芯态激子
10
作者 傅柔励 沈丁立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期356-361,共6页
本文用半经验紧束缚法计算了ZnSe/GaAs(001)超晶格的能带结构,研究了其能隙与有效质量随层厚的变化.计算了(ZnSe)_5/(GaAs)_5超晶格中与杂质有关的芯态激子,其结果能说明相应异质结中束缚在Ga上的激子峰.本文还提出了该材料中导带底存... 本文用半经验紧束缚法计算了ZnSe/GaAs(001)超晶格的能带结构,研究了其能隙与有效质量随层厚的变化.计算了(ZnSe)_5/(GaAs)_5超晶格中与杂质有关的芯态激子,其结果能说明相应异质结中束缚在Ga上的激子峰.本文还提出了该材料中导带底存在界面态. 展开更多
关键词 超晶格 能带结构 芯态激子 硒化锌
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LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究
11
作者 孟庆波 武志坚 张思远 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期429-432,共4页
用LMTO-ASA能带程序计算了LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构,得到的晶体能隙分别为LaN2.30eV,LaP2.05eV,LaAs1.66eV,LaSb1.34eV,与实验结果基本相符.利用价电子总... 用LMTO-ASA能带程序计算了LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构,得到的晶体能隙分别为LaN2.30eV,LaP2.05eV,LaAs1.66eV,LaSb1.34eV,与实验结果基本相符.利用价电子总数在阴阳离子上的分配数之比,给出计算晶体化学键性质的经验关系式,根据该式计算晶体化学键的共价性与文献结果非常吻合。 展开更多
关键词 能带结构 化学键 氮化镧 磷化镧 砷化镧 锑化镧
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硅热稠密物质状态方程计算
12
作者 袁宝岩 李德臣 薛富增 《长春邮电学院学报》 1994年第1期47-51,共5页
在球元胞、中心力场、相对论Fermi统计近似下,用平均原子模型计算硅热稠密物质在任意温度和密度下的单电子能级和状态方程。不仅提供了硅在高温高压状态下状态方程的数值解,而且可作为研制X射线激光器的方法,对获得可能的X光... 在球元胞、中心力场、相对论Fermi统计近似下,用平均原子模型计算硅热稠密物质在任意温度和密度下的单电子能级和状态方程。不仅提供了硅在高温高压状态下状态方程的数值解,而且可作为研制X射线激光器的方法,对获得可能的X光跃迁波长有一定的参考价值。 展开更多
关键词 热稠密物质 状态方程 计算
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环境净化功能(Ce,Ag)/TiO_2纳米材料表面能带结构的研究 被引量:27
13
作者 梁金生 金宗哲 +1 位作者 王静 冀志江 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期500-502,共3页
用扫描隧道显微镜 /扫描隧道谱 (STM /STS)技术 ,研究 (Ce ,Ag) /TiO2 纳米光催化材料的表面能带结构 .结果表明 :在纳米TiO2 中加入稀土元素和银制备的 (Ce ,Ag) /TiO2 光催化纳米材料TiO2 的表面禁带宽度可由 2 .9eV降到 2 .4eV ,而... 用扫描隧道显微镜 /扫描隧道谱 (STM /STS)技术 ,研究 (Ce ,Ag) /TiO2 纳米光催化材料的表面能带结构 .结果表明 :在纳米TiO2 中加入稀土元素和银制备的 (Ce ,Ag) /TiO2 光催化纳米材料TiO2 的表面禁带宽度可由 2 .9eV降到 2 .4eV ,而且增加了新能级Ecb=-1.0eV ,Evb=0 .9eV ,Eg=1.9eV 。 展开更多
关键词 表面能带结构 环境净化 光催化材料 氧化钛 扫描隧道显微镜 扫描隧道谱 纳米材料 光催化剂
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钛酸铅光学特性的第一性原理研究 被引量:4
14
作者 唐春红 蔡孟秋 崔云康 《南京师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期40-43,共4页
采用广义梯度近似下的密度泛函方法对PbTiO3顺电相进行研究.计算得到PbTiO3直接带隙及间接带隙的大小分别为1.77和1.66 eV,且研究了PbTiO3的介电函数、反射系数、吸收系数、能量损失系数、折射系数和湮灭系数等光学性质,并基于电子能带... 采用广义梯度近似下的密度泛函方法对PbTiO3顺电相进行研究.计算得到PbTiO3直接带隙及间接带隙的大小分别为1.77和1.66 eV,且研究了PbTiO3的介电函数、反射系数、吸收系数、能量损失系数、折射系数和湮灭系数等光学性质,并基于电子能带结构对光学性质进行了解释. 展开更多
关键词 电子能带结构 光学常量和参数 顺电相
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MgCNi_3电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量:3
15
作者 张加宏 刘楣 +1 位作者 顾芳 唐春梅 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期238-242,共5页
考虑广义梯度近似与局域自旋密度近似,采用全势线性缀加平面波法对新超导体MgCNi3的几何结构、电子结构及光学常量进行了计算,从理论上给出了其电子结构与光学性质的关系。电子结构计算表明,尽管MgCNi3与BaTiO3均具有钙钛矿几何结构... 考虑广义梯度近似与局域自旋密度近似,采用全势线性缀加平面波法对新超导体MgCNi3的几何结构、电子结构及光学常量进行了计算,从理论上给出了其电子结构与光学性质的关系。电子结构计算表明,尽管MgCNi3与BaTiO3均具有钙钛矿几何结构,但电子能带结构的差异使它们表现出不同的光学性质。基于第一性原理的光学性质的计算结果表明,MgCNi3的光学性质呈各向同性,其低能区的光吸收是由-5.0~0eV范围内的Ni(3d)电子的带内跃迁以及该能量范围内Ni(3d)电子到导带空轨道的带间跃迁引起的;而高能区的光吸收则起源于价带中C(2p)和C(2s)轨道上的电子到导带中C(2s),C(2p),Ni(3d),Ni(4s)空轨道的带间跃迁。 展开更多
关键词 第一性原理 电子能带结构 光学常量 参数
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Mo_2S_4(i-mnt)_2(Et_4N)_2和(Et_4N)_3K[Mo_2S_4(i-mnt)_2]_2[i-mnt=S_2C(CN)^(2-)]阴离子的能带结构研究 被引量:2
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作者 蔡淑惠 陈忠 +2 位作者 孙福侠 高宪成 卢绍芳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1117-1122,共6页
二核钼簇合物Mo_2S_4(i-mnt)_2(Et_4N)_2和(Et_4N)_3K[Mo_2S_4(i-mnt_2)]_2[i-mnt=S_2C(CN)^(2-)]的阴离子在晶体中构成独特的链状结构,本文采用扩展的Hückel近似下的紧束缚能带方法,计算了它们的能带结构.结果表明,相邻簇阴离子... 二核钼簇合物Mo_2S_4(i-mnt)_2(Et_4N)_2和(Et_4N)_3K[Mo_2S_4(i-mnt_2)]_2[i-mnt=S_2C(CN)^(2-)]的阴离子在晶体中构成独特的链状结构,本文采用扩展的Hückel近似下的紧束缚能带方法,计算了它们的能带结构.结果表明,相邻簇阴离子间存在弱的相互作用,它是形成链状结构的基础.链状结构与晶体的半导体性质相关联.态密度和晶体轨道重叠布居反映了晶体中电荷分布状况及化学成键特点,与晶体结构分析、NMR谱学表征结果相符合. 展开更多
关键词 二核 钼硫簇合物 紧束缚能带 计算 能带结构
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第二类InAs/GaSb(001)半导体超晶格能带边结构的赝势计算
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作者 刘申之 龙飞 梅飞 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1996年第4期364-367,共4页
采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs/GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律.计算结果显示,随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程.同时。
关键词 超晶格 能带边结构 赝势 半导体 砷化铟 锑化镓
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