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(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构
被引量：
1
1
作者
王新华
王玲玲
+2 位作者
王怀玉
邓辉球
黄维清
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期1934-1938,共5页
以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中...
以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级.最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
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关键词
Recursion方法
(GaN)n/(AlN)n
应变层超晶格
电子结构
缺陷能级
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职称材料
题名
(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构
被引量：
1
1
作者
王新华
王玲玲
王怀玉
邓辉球
黄维清
机构
湖南大学应用物理系
清华大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期1934-1938,共5页
文摘
以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级.最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
关键词
Recursion方法
(GaN)n/(AlN)n
应变层超晶格
电子结构
缺陷能级
Keywords
Recursion
method
（GaN）n／（AlN）n
strained-layer
superlattice
electronic
structure
~
defect
energy
level
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构
王新华
王玲玲
王怀玉
邓辉球
黄维清
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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参考文献
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