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智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
19
1
作者
刘国友
黄建伟
+2 位作者
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片...
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面栅
IGBT模块
短路安全工作区
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职称材料
一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构
2
作者
张超
王彩琳
+2 位作者
刘园园
杨武华
苏乐
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第4期306-310,共5页
提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换...
提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换成晶闸管模式,当n型隐埋层浓度为8×10^(15)cm^(-3),隐埋层与p基区相接并与p++分流区距离接近时,能够有效抑制器件中的电压折回现象,获得良好的导通特性。新器件的导通压降为3.84 V,比传统器件减少了26%。
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关键词
基极电阻控制晶闸管(BRT)
电子注入增强效应(IE)
载流子存储(CS)
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职称材料
题名
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
19
1
作者
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲南车时代电气股份有限公司)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
文摘
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
关键词
绝缘栅双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面栅
IGBT模块
短路安全工作区
Keywords
insulated
gate
bipolar
transistor（IGBT）
smart
grid
electron
injection
enhanced
terrace
gate
IGBT
module
short
circuit
safe
operation
area
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构
2
作者
张超
王彩琳
刘园园
杨武华
苏乐
机构
西安理工大学
西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第4期306-310,共5页
基金
陕西省教育厅科学研究计划项目(22JK0484)
陕西省科技厅自然科学基础研究计划项目(2023-JC-QN-0764)
+1 种基金
陕西省重点研发计划子课题(2021LLRH-02)
西安理工大学教师博士科研启动经费项目(103-451121007)。
文摘
提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析,并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明,新器件导通时会产生电子注入增强效应,由绝缘栅双极晶体管模式快速转换成晶闸管模式,当n型隐埋层浓度为8×10^(15)cm^(-3),隐埋层与p基区相接并与p++分流区距离接近时,能够有效抑制器件中的电压折回现象,获得良好的导通特性。新器件的导通压降为3.84 V,比传统器件减少了26%。
关键词
基极电阻控制晶闸管(BRT)
电子注入增强效应(IE)
载流子存储(CS)
Keywords
base
resistance
controlled
thyristor
electron
injection
enhanc
ement
carrier
storage
分类号
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016
19
下载PDF
职称材料
2
一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构
张超
王彩琳
刘园园
杨武华
苏乐
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
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