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电子回旋共振微波等离子体技术及应用 被引量:8
1
作者 张继成 唐永建 吴卫东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期566-570,共5页
电子回旋共振微波等离子体技术 (ECR- MP)在表面处理、等离子体刻蚀和薄膜制备 ,尤其是高品质的激光惯性约束聚变薄膜靶的制备中有着重要的应用。综述了 ECR- MP的基本原理、反应装置、实验研究、理论研究和应用情况的发展现状 ,同时分... 电子回旋共振微波等离子体技术 (ECR- MP)在表面处理、等离子体刻蚀和薄膜制备 ,尤其是高品质的激光惯性约束聚变薄膜靶的制备中有着重要的应用。综述了 ECR- MP的基本原理、反应装置、实验研究、理论研究和应用情况的发展现状 ,同时分析了其今后可能的发展趋势。 展开更多
关键词 电子回旋共振 微波等离子体 反应装置 应用现状 发展展望 刻蚀 激光惯性约束聚变菌膜靶
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氩气对多晶硅刻蚀的影响 被引量:6
2
作者 陈永生 汪建华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期19-22,共4页
报道了用CF4和氩气Ar作为工作气体的ECR反应离子刻蚀多晶硅 (poly Si)技术。研究了Ar气含量的变化对刻蚀速率和各向异性的影响 ,并对实验结果进行了分析。实验中气压为 0 .5Pa ,混合气体中流量保持 5 0sccm( 1cm3 /minstandardcubiccent... 报道了用CF4和氩气Ar作为工作气体的ECR反应离子刻蚀多晶硅 (poly Si)技术。研究了Ar气含量的变化对刻蚀速率和各向异性的影响 ,并对实验结果进行了分析。实验中气压为 0 .5Pa ,混合气体中流量保持 5 0sccm( 1cm3 /minstandardcubiccentimeter/minute) ,Ar气含量在 0~ 5 0 %范围内变化 ,对应的刻蚀速率在 46~ 展开更多
关键词 电子回旋共振 多晶硅 刻蚀
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c轴定向氮化铝薄膜的制备 被引量:4
3
作者 龚辉 范正修 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期933-936,共4页
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM... 利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 展开更多
关键词 c轴定向 制备 电子回旋共振 化学气相沉积 氮化铝薄膜
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电子回旋共振等离子体推力器放电机理数值模拟研究 被引量:4
4
作者 陈留伟 夏广庆 +2 位作者 周念东 吴秋云 邹存祚 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期2144-2152,共9页
电子回旋共振等离子体推力器(ECRPT)是一种高比冲、高效率且结构简单的新型电磁式推力器。为了研究推力器的放电原理和工作机制,采用漂移-扩散流体模拟方法,仿真模拟了微波等离子体放电过程。仿真结果表明,电子数密度达到10^(16)~10^(17... 电子回旋共振等离子体推力器(ECRPT)是一种高比冲、高效率且结构简单的新型电磁式推力器。为了研究推力器的放电原理和工作机制,采用漂移-扩散流体模拟方法,仿真模拟了微波等离子体放电过程。仿真结果表明,电子数密度达到10^(16)~10^(17)m^(-3)数量级,氙气的电子数密度比氩气高50%;电子数密度、碰撞功率损耗均随着计算域内压强的增大而增大,电子温度随压强的增大而减小;电子数密度、碰撞功率损耗随着入射微波功率的增大而增大。在未来ECRPT的实际应用中,可以通过使用氙气,适当增大推力器腔内压强以及入射微波功率,使其具有最佳的推力、比冲和工作效率。 展开更多
关键词 电推进 电子回旋共振(ecr) 微波放电 漂移-扩散 仿真模拟
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电子回旋共振等离子体技术新进展 被引量:2
5
作者 恩云飞 杨银堂 孙青 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期425-434,共10页
叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大... 叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点,在反应离子刻蚀(RIE)、等离子体化学气相淀积(CVD)和溅射方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 VLSI
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低能宽束离子源的研究进展
6
作者 王旭迪 卢景景 《真空》 CAS 北大核心 2008年第5期27-30,共4页
低能宽束离子源是离子束沉积、刻蚀和表面改性系统的核心部件,综述了考夫曼、射频等离子体、电子回旋共振等离子体、无栅网等四种离子源的等离子体的产生方式,对结构重点进行了分析,并从参数性能上进行了比较。稳定性好、与反应气体兼... 低能宽束离子源是离子束沉积、刻蚀和表面改性系统的核心部件,综述了考夫曼、射频等离子体、电子回旋共振等离子体、无栅网等四种离子源的等离子体的产生方式,对结构重点进行了分析,并从参数性能上进行了比较。稳定性好、与反应气体兼容的特点使射频和电子回旋共振离子源在低能离子束系统中取得了广泛应用,由于结构简单,束散角大,无栅网离子源目前仅限应用于薄膜沉积和薄膜改性等。 展开更多
关键词 低能宽束离子源 考夫曼 射频等离子体 电子回旋共振等离子体 无栅网
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ECR中和器改进试验研究 被引量:2
7
作者 罗立涛 杨涓 +2 位作者 金逸舟 孙俊 韩飞 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2016年第1期35-42,共8页
目前国内电子回旋共振(ECR)中和器的研究存在电子束流不能连续引出的问题,为此通过改进中和器天线结构及优化电子引出孔径来改善中和器的性能。试验结果表明:中和器结构改进及优化后其电子束流可以随着接触电压的升高而连续变化,同时提... 目前国内电子回旋共振(ECR)中和器的研究存在电子束流不能连续引出的问题,为此通过改进中和器天线结构及优化电子引出孔径来改善中和器的性能。试验结果表明:中和器结构改进及优化后其电子束流可以随着接触电压的升高而连续变化,同时提高了中和器的推进剂利用效率、降低了电子产生损耗。推进剂利用效率和电子产生损耗在中和器结构改进前后分别为1.278 9和194.573 W/A,1.659 8和126.3 W/A。试验还通过静电探针诊断出中和器耦合天线附近等离子体密度分布在1.72×10^(17)~12.1×10^(17)m^(-3)范围内。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 中和器 推进剂利用效率 电子能量损耗
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硅片纳米微粒清洗洁净新技术 被引量:2
8
作者 张慧 成立 +4 位作者 韩庆福 严雪萍 刘德林 徐志春 李俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期297-300,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高。传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法。简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高。传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法。简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等。 展开更多
关键词 硅片 纳米微粒 电子回旋加速共振 清洗洁净技术
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Simulation of ECR Startup and Comparison with Experimental Observations in SUNIST
9
作者 谭熠 高喆 王龙 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期30-35,共6页
Transient process of ECR startup in SUNIST is analyzed and simulated in a one- dimensional model. Contributions from the generation, drift, diffusion and loss of electrons are taken into account in the model and estim... Transient process of ECR startup in SUNIST is analyzed and simulated in a one- dimensional model. Contributions from the generation, drift, diffusion and loss of electrons are taken into account in the model and estimated from experimental parameters, e.g., toroidal field, vertical field and gas filling pressure. Typical discharges are simulated with the conditions close to the experimental ones. Experimental and simulated results are comparable qualitatively in amplitudes and semi-quantitatively in time. From the results it is confirmed that the transient process of ECR startup ill SUNIST is dominated, as preliminarily deduced from experimental observations, by a pair of exclusive factors, namely the absorption, due to gas ionization, and the reflection of microwave, caused by the shift of over dense plasmas due to outward E x B drift. In addition to these two factors, electron loss along the field line is also very important in determining the character of discharges. 展开更多
关键词 spherical tokamak non-inductive startup electron cyclotron resonance ecr
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微波ECR等离子体溅射沉积T_t薄膜的结构研究
10
作者 吴雪梅 邬钦崇 隋毅峰 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第3期298-302,共5页
用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平均粒径,晶粒尺寸分布很窄的稳定fcc结构。在实验过程中发现可以通过对工作参数的调整控制薄膜的晶粒尺寸... 用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平均粒径,晶粒尺寸分布很窄的稳定fcc结构。在实验过程中发现可以通过对工作参数的调整控制薄膜的晶粒尺寸。我们还讨论了ECR等离子体对薄膜结构和晶粒尺寸的影响。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 Ti薄膜
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分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面预处理技术 被引量:1
11
作者 吴亮亮 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期688-693,共6页
本文主要分析了作为分子束外延碲镉汞的碲锌镉衬底的表面预处理工艺。湿化学处理工艺主要目的是去除衬底表面损伤层,0.5%溴甲醇溶液的腐蚀速率为7 nm/s,但腐蚀的同时会形成表面富Te层和氧化层,氧化层的厚度随溴甲醇的浓度增加而增加;高... 本文主要分析了作为分子束外延碲镉汞的碲锌镉衬底的表面预处理工艺。湿化学处理工艺主要目的是去除衬底表面损伤层,0.5%溴甲醇溶液的腐蚀速率为7 nm/s,但腐蚀的同时会形成表面富Te层和氧化层,氧化层的厚度随溴甲醇的浓度增加而增加;高温热处理工艺主要是消除湿化学腐蚀形成的富Te层和氧化层,340℃的高温处理可去除表面氧化层;也可以直接通过回旋共振等离子体处理衬底表面,形成化学计量比正常的干净表面。 展开更多
关键词 碲锌镉 表面预处理 湿化学腐蚀 热处理 回旋共振
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低地球轨道空间等离子体参数的试验研究
12
作者 柴昊 贾军伟 +1 位作者 张明志 张书锋 《真空》 CAS 2013年第6期40-42,共3页
由于低地球轨道(LEO)空间中存在等离子体,会造成航天器表面的绝对电位不同,在空间站对接等过程中容易产生静电放电,从而影响航天器的正常运行。为了更准确的研究低地球轨道高度上等离子体对航天器表面电位的影响,本文采用微波电子回旋共... 由于低地球轨道(LEO)空间中存在等离子体,会造成航天器表面的绝对电位不同,在空间站对接等过程中容易产生静电放电,从而影响航天器的正常运行。为了更准确的研究低地球轨道高度上等离子体对航天器表面电位的影响,本文采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体源模拟了空间等离子体,运用静电探针法获取了等离子体的伏安特性曲线,并分析了气流量和微波源功率对电子密度的影响,对模拟分析不同轨道高度空间等离子体对航天器电位影响有重要意义。 展开更多
关键词 等离子体 ecr 静电探针 电子密度
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同轴配对电子回旋共振放电产生的等离子体磁场约束的影响
13
作者 陈庚顺 吕奕 佟瑞宏 《辽东学院学报(自然科学版)》 CAS 2013年第4期253-256,共4页
运用朗缪尔探针诊断技术对同轴配对电子回旋共振产生等离子体磁场约束的影响进行了研究。在磁镜约束条件下,电子回旋共振源轴线附近等离子体的密度非常高,但是随着径向距离的增加等离子体的密度会迅速下降;而在会切磁场约束条件下,离子... 运用朗缪尔探针诊断技术对同轴配对电子回旋共振产生等离子体磁场约束的影响进行了研究。在磁镜约束条件下,电子回旋共振源轴线附近等离子体的密度非常高,但是随着径向距离的增加等离子体的密度会迅速下降;而在会切磁场约束条件下,离子体的密度相对较低却分布均匀。这种趋势与电子温度和等离子体电势的情形类似,并且这种特性可应用于各种材料加工以满足不同的需求。 展开更多
关键词 电子回旋共振(ecr) 等离子体 磁约束 会切磁场约束
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ECR等离子体溅射法制备纳米金属薄膜
14
作者 吴雪梅 邬钦崇 隋毅峰 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1993年第1期51-55,共5页
本工作用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法,选取各种不同结构的纯金属圆筒靶材料:Ti(hcp),Au(fcc),cu(fcc),Mo(bcc),Sn(四面体),在室温基片上沉积出各种金属薄膜,基体为玻璃、NaCI单晶.用XRD的物相分析与线形分析和TEM形貌观察与电子... 本工作用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法,选取各种不同结构的纯金属圆筒靶材料:Ti(hcp),Au(fcc),cu(fcc),Mo(bcc),Sn(四面体),在室温基片上沉积出各种金属薄膜,基体为玻璃、NaCI单晶.用XRD的物相分析与线形分析和TEM形貌观察与电子衍射,确定了Ti、Au、Cu薄膜都是纳米晶粒(a<10nm)组成的fcc结构多晶膜.用TEM的形貌观察与电子衍射确定了Mo、Sn膜为非晶结构的薄膜,Mo膜的非晶结构比较稳定,sn膜的非晶结构很不稳定,在TEM的电子束照射下迅速晶化并成核长大.本文讨论了溅射成膜过程对膜的结构和粒径的影响. 展开更多
关键词 ecr 等离子体 溅射 沉积金属薄膜
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ECR辐照装置中的离子束流分布模拟
15
作者 王波 张根 +2 位作者 张文杰 祁超 严辉 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1272-1279,共8页
面向等离子体材料作为聚变等离子体和核反应堆结构之间的主要界面,遭受恶劣的辐照条件,为了提升对面向等离子体材料的改进研究,实验室模拟聚变环境装置.基于已搭建完成的用于研究聚变反应堆中等离子体-材料相互作用的电子回旋共振(elect... 面向等离子体材料作为聚变等离子体和核反应堆结构之间的主要界面,遭受恶劣的辐照条件,为了提升对面向等离子体材料的改进研究,实验室模拟聚变环境装置.基于已搭建完成的用于研究聚变反应堆中等离子体-材料相互作用的电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)直线等离子体装置,使用有限元方法计算模拟了腔室内励磁线圈与永磁体叠加磁场的分布情况以及在此背景磁场下带电粒子在磁场中的运动轨迹.结果表明:磁场模拟结果与实验数据较为符合,共振面位置随线圈电流的增大而远离微波窗口.带电粒子轨迹模拟结果与实验中近似梨形等离子体束的分布一致,且到达样品台的束流密度随着励磁线圈电流的增大而增大.该研究可为ECR直线等离子体装置的进一步优化提供参考. 展开更多
关键词 电子回旋共振(ecr) 磁场 微波 离子 束流密度 等离子体
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微波等离子增强型PVD低温溅射SiGe(C)薄膜
16
作者 李可为 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期776-780,789,共6页
利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe(C)薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD... 利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe(C)薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的晶体质量和表面形貌进行了分析。结果表明,用单靶制备Si(C)薄膜,在衬底温度为450℃时会得到质量较好的单晶薄膜。而利用双靶制备SiGe(C)薄膜,衬底温度为400℃、衬底偏置电压-15 V时会制备出更好的单晶薄膜。在衬底温度为400℃条件下,添加电流导入端子,在原有设备和衬底温度不变的条件下,当电流导入端子电压为-15 V时,制备的SiGe(C)单晶薄膜材料的AFM均方根粗糙度(Rrms)由原来的0.52 nm降低到0.41 nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子 SiGe(C)单晶薄膜 低温溅射 晶体质量 表面形貌
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电子回旋共振等离子体溅射沉积薄膜的技术
17
作者 吴雪梅 邬钦崇 隋毅峰 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第4期426-431,共6页
本文推出了利用电子回旋共振(ECR)等离子体在低温(~室温)和低压下(10^(-5)~10^(-3)Torr)产生的高密度、高电离度的等离子体溅射沉积薄膜的新技术、叙述了微波ECR等离子体溅射沉积薄膜的装置、原理。研究了微波ECR等离子体沉积金属薄... 本文推出了利用电子回旋共振(ECR)等离子体在低温(~室温)和低压下(10^(-5)~10^(-3)Torr)产生的高密度、高电离度的等离子体溅射沉积薄膜的新技术、叙述了微波ECR等离子体溅射沉积薄膜的装置、原理。研究了微波ECR等离子体沉积金属薄膜时各工作参数之间的关系和工作参数对薄膜沉积速率的影响、分析了微波ECR等离子体对成膜速率产生影响的原因。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 溅射 薄膜
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利用发射光谱研究ECR等离子体对钨的刻蚀
18
作者 王波 王荷军 +2 位作者 张昀 王如志 张铭 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1901-1905,共5页
研究不同刻蚀条件下等离子体对钨表面的刻蚀变化,并对其原因进行分析有助于进一步了解其对钨的刻蚀机理,从而为如何提高钨材料的使用寿命提供一定的理论支撑.采用光纤光谱仪(Avaspec—ULS2048一USB2)检测在不同放电条件下电子回旋共振... 研究不同刻蚀条件下等离子体对钨表面的刻蚀变化,并对其原因进行分析有助于进一步了解其对钨的刻蚀机理,从而为如何提高钨材料的使用寿命提供一定的理论支撑.采用光纤光谱仪(Avaspec—ULS2048一USB2)检测在不同放电条件下电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)等离子体中受激发的钨原子、钨离子谱线的相对强度,从而根据其谱线的相对强度可以直接地反映出不同刻蚀条件下的等离子体对钨表面刻蚀的强弱规律.结果表明:偏压越大对钨表面的刻蚀越严重,气压则呈现先增大后减小的趋势;在N2-Ar混合气体中随着N,体积分数的增加对钨的刻蚀逐渐增强;而对比He、N,和Ar三种气体,He等离子体对钨的刻蚀最为严重;在700 W、0.1 Pa条件下,0175 V偏压范围的He等离子体对轧制态钨的刻蚀比再结晶态钨严重,而在175 V之后结果却相反. 展开更多
关键词 电子回旋共振 发射光谱 等离子体
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用ECRC-VD方法制备非晶氟化碳薄膜
19
作者 蒋昱 吴振宇 +1 位作者 苏祥林 杨银堂 《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期554-557,共4页
以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类型;研究了微波功率对于沉积速率和薄膜光学性质的影响。沉积速率随Ar在混合气体中比例的增大先增大后降低... 以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类型;研究了微波功率对于沉积速率和薄膜光学性质的影响。沉积速率随Ar在混合气体中比例的增大先增大后降低,随微波功率的增加而增加,并最终趋于饱和值。沉积的薄膜介电常数约为2.0,在可见光区薄膜具有良好的透光性。在较高的微波功率条件下,沉积薄膜的光学带隙减小。 展开更多
关键词 电子回旋共振 非晶氟化碳 低k
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碳薄膜电极材料在电分析化学中的应用 被引量:4
20
作者 郏建波 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1800-1805,共6页
由于具有一系列的优点,碳材料被广泛应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗... 由于具有一系列的优点,碳材料被广泛应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗、稳定性、导电性也存在显著的差异。目前电位窗宽、背景电流低、稳定性高、表面不易被电极产物钝化的碳薄膜电极材料的研究非常活跃。本文综述了采用不同方法制备的一些碳薄膜电极材料如硼掺杂的金刚石薄膜、无定形碳和纳米晶体碳薄膜材料等在电分析化学中应用。 展开更多
关键词 碳薄膜 硼掺杂的金刚石薄膜 电子回旋加速共振碳薄膜 电位窗 稳定性
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