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印刷电路板上化学镀钯工艺研究 被引量:6
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作者 吴道新 刘迎 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期681-684,共4页
采用L9(34)混合正交体系,系统地研究复合络合剂-乙二胺、乙二胺四乙酸二钠和丙烯酸在不同工艺参数和不同添加配比情况下对化学镀钯质量的影响,以镀层的光亮度,镀液的稳定性和沉积速度为评价指标,筛选出最佳的化学镀钯添加剂为:乙二胺0.2... 采用L9(34)混合正交体系,系统地研究复合络合剂-乙二胺、乙二胺四乙酸二钠和丙烯酸在不同工艺参数和不同添加配比情况下对化学镀钯质量的影响,以镀层的光亮度,镀液的稳定性和沉积速度为评价指标,筛选出最佳的化学镀钯添加剂为:乙二胺0.2mol/L,乙二胺四乙酸二钠0.01mol/L,丙烯酸0.3mol/L,pH值8。研究结果表明,优化后的化学镀钯镀液稳定性高、沉积速度快、钯膜与基体镍镀层结合力强、钯镀层光亮性好。 展开更多
关键词 化学镀 PD 络合剂 正交
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双还原剂体系在化学镀中的应用研究
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作者 木梦宁 韩尚辰 +1 位作者 李超雄 李冰 《安徽化工》 CAS 2022年第1期37-40,45,共5页
化学镀合金镀层的性能与合金组分密切相关,镀层中的非金属元素种类和含量对镀层特性有着巨大影响。介绍了多种还原剂复合使用的新型化学镀方法,实现了对镀层中非金属元素种类和含量的控制。通过配合使用次磷酸钠、DMAB、甲酸钠等不同还... 化学镀合金镀层的性能与合金组分密切相关,镀层中的非金属元素种类和含量对镀层特性有着巨大影响。介绍了多种还原剂复合使用的新型化学镀方法,实现了对镀层中非金属元素种类和含量的控制。通过配合使用次磷酸钠、DMAB、甲酸钠等不同还原剂进行Pd-P、Pd-P-B、Co-P-B等镀层的化学沉积,并对比不同还原剂配比条件下镀层中非金属元素含量。利用SEM、EDS、XPS对镀层形貌及其组成进行表征,结果表明:使用次磷酸钠、DMAB复配可以成功制备Co-P-B、Pd-P-B镀层,镀层中P、B元素的含量能够通过还原剂的选择和配比进行调控;在次磷酸化学镀镍液中采用甲酸钠复配,可以降低镍磷合金的磷含量。 展开更多
关键词 化学镀 化学镀镍 化学镀钯 化学镀钴 双还原剂
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化学镀钯拖缸现象的电化学研究
3
作者 郑沛峰 胡光辉 +2 位作者 崔子雅 潘湛昌 郝志峰 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期377-384,403,共9页
目的用电化学的方法探究化学镀钯出现拖缸现象的原因方法通过开路电位方法探测化学镀钯的引发过程,利用线性扫描伏安法测量极化曲线。在测量阳极极化曲线时不加入钯盐;在测量阴极极化曲线时,不加入次亚磷酸钠。分别求得次亚磷酸钠的起... 目的用电化学的方法探究化学镀钯出现拖缸现象的原因方法通过开路电位方法探测化学镀钯的引发过程,利用线性扫描伏安法测量极化曲线。在测量阳极极化曲线时不加入钯盐;在测量阴极极化曲线时,不加入次亚磷酸钠。分别求得次亚磷酸钠的起始氧化的电位(EO)、钯离子的起始还原电位(ER)随温度变化的关系曲线,以及甘氨酸浓度对EO和ER的影响,并且采用化学镀实验,研究钯层厚度变化与甘氨酸浓度的关系。结果发现第1次使用和多次使用的化学镀钯液对引发钯沉积的快慢存在差异,即存在拖缸现象。在镀钯过程中,温度越高,镀液活性越强,越不容易出现拖缸现象,同时稳定性也会下降。在电化学实验中发现,EO随着温度的升高而负移,ER随着温度的升高而正移,二者的差值|ΔE|总体上随着温度的升高而减小。ΔE可以反映镀液的稳定性和衡量化学镀钯引发的难易程度。ΔE<0意味着镀液稳定,化学镀钯需要在催化剂表面引发。当|ΔE|≤0.73 V时,化学镀钯可以正常引发。当|ΔE|>0.73 V时,引发过程存在拖缸现象。甘氨酸的浓度可以影响ΔE。当甘氨酸的质量浓度接近10 g/L时,拖缸现象不明显,无甘氨酸或者其质量浓度大于20 g/L时,容易出现拖缸现象。结论ΔE的值与化学镀钯液的稳定性和拖缸现象是否发生有关。 展开更多
关键词 拖缸 化学镀钯 开路电位 线性扫描伏安法 稳定性
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磷含量对化学镀钯层性能的影响
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作者 郑沛峰 胡光辉 +3 位作者 周仲鑫 路培培 潘湛昌 张波 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第11期1-6,共6页
通过改变化学镀钯液中次磷酸钠的质量浓度,制备了P质量分数分别为4.64%、5.05%、5.71%和6.70%的Pd镀层。采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪及电化学工作站分析了P含量对Pd镀层表面形貌、耐蚀性、晶态结构及可焊性的影响。结果表明:随... 通过改变化学镀钯液中次磷酸钠的质量浓度,制备了P质量分数分别为4.64%、5.05%、5.71%和6.70%的Pd镀层。采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪及电化学工作站分析了P含量对Pd镀层表面形貌、耐蚀性、晶态结构及可焊性的影响。结果表明:随着镀液中次磷酸钠质量浓度的增大,镀层的P质量分数增大,Pd镀层的表面微观形貌和耐蚀性均先改善后变差。当P质量分数为5.71%(即镀液中次磷酸钠的质量浓度为5 g/L)时,Pd镀层的表面形貌和耐蚀性均最佳。所得Pd镀层都是非晶态结构,并且可焊性良好。 展开更多
关键词 化学镀钯 次磷酸钠 磷含量 微观结构 耐蚀性 可焊性
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温度对化学镀钯层性能的影响 被引量:3
5
作者 刘菲 赵彦亮 王文霞 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期25-27,共3页
以Nb49Ni25Ti26氢渗透合金或载玻片为基体,在不同温度下进行化学镀钯。化学镀钯液组成与工艺条件为:PdCl22g/LNaH2PO2·H2O10g/L,38%盐酸4mL/L,NH4Cl27g/L,28%氨水160mL/L,pH9.8±0.2,施镀时间2h。研究了镀液温度对镀速和Pd镀... 以Nb49Ni25Ti26氢渗透合金或载玻片为基体,在不同温度下进行化学镀钯。化学镀钯液组成与工艺条件为:PdCl22g/LNaH2PO2·H2O10g/L,38%盐酸4mL/L,NH4Cl27g/L,28%氨水160mL/L,pH9.8±0.2,施镀时间2h。研究了镀液温度对镀速和Pd镀层表面形貌、耐蚀性及氢渗透性能的影响。结果表明,化学镀钯的最佳温度为60°C,此时镀速达到最大[为4.05mg/(cm2·h)],制备的Pd镀层均匀、致密,耐腐蚀性好,具有较强的氢渗透作用。 展开更多
关键词 化学镀钯 温度 氢渗透 沉积速率 耐蚀性
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工艺条件对线路板化学镀钯的影响 被引量:2
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作者 文明立 赵超 +3 位作者 杨义华 陈伟 彭小英 刘光明 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2020年第12期20-25,共6页
线路板镍层上传统化学镀金过程中存在镍层腐蚀问题,本文针对本公司开发的线路板化学镀镍钯金工艺的化学镀钯配方,研究了化学镀钯温度和pH对沉积速率、钯层形貌和镀金后镍腐蚀的影响。结果表明,在45℃~60℃区间化学镀钯沉积速度随温度呈... 线路板镍层上传统化学镀金过程中存在镍层腐蚀问题,本文针对本公司开发的线路板化学镀镍钯金工艺的化学镀钯配方,研究了化学镀钯温度和pH对沉积速率、钯层形貌和镀金后镍腐蚀的影响。结果表明,在45℃~60℃区间化学镀钯沉积速度随温度呈近线性增加;在pH为6.0~8.0之间镀钯沉积速率随pH值增加也缓慢增加。在50℃,pH=7.2时化学镀钯沉积速率稳定,镀层结晶细致,能够有效减少镀金时产生的镍腐蚀,得到的镍钯金镀层平均断裂拉力为2.0 g,断裂模式均为模式A-3焊点肩部断裂,具有良好的金线邦定性能。 展开更多
关键词 镍钯金镀层 温度 PH值 化学镀钯
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新型ENEPIG封装基板化学镀钯工艺优化 被引量:2
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作者 于金伟 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2016年第1期14-19,共6页
化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2 g/L氯化钯,13.... 化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2 g/L氯化钯,13.2 g/L次磷酸钠,165 m L/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6。验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高。 展开更多
关键词 印制电路板 化学镀钯 工艺 参数优化
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稳定剂对线路板化学镀钯的影响
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作者 赵超 刘光明 +4 位作者 文明立 杨义华 陈伟 彭小英 田继红 《材料保护》 CAS CSCD 2021年第8期95-100,共6页
为提高线路板上化学镀钯的稳定性,通过镀液稳定性测试、膜厚测试以及扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)分析和X射线光电子能谱(XPS)分析等手段研究了稳定剂对镀液稳定性、镀速、镀层形貌以及镀金后镍腐蚀的影响。结果表明:丙烯酸浓度在0.050~0.3... 为提高线路板上化学镀钯的稳定性,通过镀液稳定性测试、膜厚测试以及扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)分析和X射线光电子能谱(XPS)分析等手段研究了稳定剂对镀液稳定性、镀速、镀层形貌以及镀金后镍腐蚀的影响。结果表明:丙烯酸浓度在0.050~0.300 mol/L范围内,随着浓度的增加,化学镀钯沉积速率总体上呈下降趋势;无机盐C浓度在1.000~7.000 mg/L能够大幅提高镀液稳定性,随含量的提高沉积速率呈现下降趋势。以丙烯酸浓度0.300 mg/L和无机盐浓度1.000 mg/L进行复配时,镀液稳定性强,沉积速率稳定,得到的钯镀层均匀细致,能够有效抑制镀金时产生镍腐蚀。 展开更多
关键词 化学镀钯 稳定剂 镍钯金 镀液稳定性 沉积速率
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采用新型无锡活化工艺在γ-Al_2O_3粉体上化学镀钯的研究 被引量:1
9
作者 王来军 文明芬 +3 位作者 李玉山 杨栋 陈靖 宋崇立 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期191-193,195,共4页
采用一种新型无锡活化工艺,即利用乙二醇作还原剂直接使Pd2+被还原成Pd0而沉积在基体上,实现了对γ-Al2O3粉体的活化。将活化后的γ-Al2O3粉体加入到两种钯镀液中,成功实现了γ-Al2O3粉体上的化学镀钯。研究了活化的机理以及化学镀前后... 采用一种新型无锡活化工艺,即利用乙二醇作还原剂直接使Pd2+被还原成Pd0而沉积在基体上,实现了对γ-Al2O3粉体的活化。将活化后的γ-Al2O3粉体加入到两种钯镀液中,成功实现了γ-Al2O3粉体上的化学镀钯。研究了活化的机理以及化学镀前后γ-Al2O3粉体结构与表面形貌的变化,结果表明通过新型化学镀方法制备出的镀钯粉体1-Pd/Al2O3中钯粒子的粒径在20~30nm,并且粒径大小分布均匀。新型无锡活化工艺与传统的化学镀活化工艺相比,活化过程中无锡离子干扰,并且活化在中性条件下进行,基体不受损坏。 展开更多
关键词 化学镀钯 Γ-AL2O3 活化 乙二醇
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工艺条件对线路板化学镀钯的影响分析
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作者 刘贺 《当代化工研究》 2021年第17期135-136,共2页
对线路板化学镀钯的相关内容进行研究,认识到工艺条件对其影响因素,核心目的是通过各项影响问题的探究,确定线路板的工艺条件,避免表面腐蚀问题的出现,从而确定最佳的工艺条件。
关键词 工艺条件 线路板 化学镀钯
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铜表面化学镀钯工艺研究
11
作者 张甜甜 赵亮亮 +2 位作者 万传云 何云庆 徐彬 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2015年第19期1100-1104,共5页
研究了铜表面化学镀钯工艺,通过称重法、贴滤纸法、扫描电镜和电化学极化曲线等探讨了施镀温度和时间对镀液p H以及镀层沉积速率、孔隙率、表面形貌和在3%Na Cl溶液中腐蚀行为的影响,采用能谱和X射线衍射分析方法对镀层组成和结构进行... 研究了铜表面化学镀钯工艺,通过称重法、贴滤纸法、扫描电镜和电化学极化曲线等探讨了施镀温度和时间对镀液p H以及镀层沉积速率、孔隙率、表面形貌和在3%Na Cl溶液中腐蚀行为的影响,采用能谱和X射线衍射分析方法对镀层组成和结构进行了表征。化学镀钯适宜的温度和时间分别为52°C和35 min。此时,化学镀钯的沉积速率最大,为1.16 mg/(cm2·h);得到的镀层均匀、致密,腐蚀电流密度最小,腐蚀阻抗最高,腐蚀速率最低。镀层中的钯以微晶态存在,磷含量约为5%。 展开更多
关键词 化学镀钯 耐蚀性 沉积速率 腐蚀电流
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基于稳健设计的ENEPIG印制板化学镀钯工艺研究
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作者 于金伟 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2015年第19期1105-1111,共7页
从化学镀钯反应机理入手,分析了影响化学镀钯质量的工艺参数,并运用DOE(试验设计)中的健壮设计实验方法,对这些参数进行了优化,获得了新型ENEPIG(化学镀镍、钯与浸金)印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数:氯化钯质量浓度2.2 g/L,... 从化学镀钯反应机理入手,分析了影响化学镀钯质量的工艺参数,并运用DOE(试验设计)中的健壮设计实验方法,对这些参数进行了优化,获得了新型ENEPIG(化学镀镍、钯与浸金)印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数:氯化钯质量浓度2.2 g/L,次磷酸钠质量浓度13.2 g/L,氨水体积分数165 m L/L,温度55°C,p H 9.6,氯化铵质量浓度33 g/L。验证试验表明,应用优化后的化学镀钯工艺时,钯的沉积速率均值从原来的0.64 mg/(cm2·min)提升到4.83 mg/(cm2·min),分散度也有明显改善。经过大样本量验证,试验具有良好的重复性和再现性。 展开更多
关键词 印制电路板 化学镀钯 优化 健壮设计 沉积速率
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印制电路板用化学镀金工艺的研究进展 被引量:7
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作者 吴道新 王毅玮 +2 位作者 肖忠良 杨荣华 姚文娟 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期108-115,178,共9页
化学镀金作为印制电路板表面处理工艺,能够提供可焊性、延展性和抗腐蚀性等良好的镀金层,因而被广泛关注和研究。综述了印刷电路板(PCB)上化学镀金的研究进展,介绍了化学镀金原理和化学镀金液组成,叙述了无氰镀金体系的发展,同时从PCB... 化学镀金作为印制电路板表面处理工艺,能够提供可焊性、延展性和抗腐蚀性等良好的镀金层,因而被广泛关注和研究。综述了印刷电路板(PCB)上化学镀金的研究进展,介绍了化学镀金原理和化学镀金液组成,叙述了无氰镀金体系的发展,同时从PCB镍金和镍钯金工艺的角度,分析了镀镍层、镀钯层和镀金层之间的相互影响,并对置换镀金和还原镀金进行了讨论,指出后者在生产效率和镀层质量上具有较大优势,并将逐渐取代置换镀金工艺。 展开更多
关键词 印制电路板 化学镀金 无氰镀金 化学镀镍浸金 化学镀镍镀钯镀金
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Effects of Sn residue on the high temperature stability of the H_2-permeable palladium membranes prepared by electroless plating on Al_2O_3 substrate after SnCl_2–PdCl_2 process: A case study
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作者 Lei Wei Jian Yu +2 位作者 Xiaojuan Hu Rongxia Wang Yan Huang 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期1154-1160,共7页
The stability of composite palladium membranes is of key importance for their application in hydrogen energy systems. Most of these membranes are prepared by electroless plating, and beforehand the substrate surface i... The stability of composite palladium membranes is of key importance for their application in hydrogen energy systems. Most of these membranes are prepared by electroless plating, and beforehand the substrate surface is activated by a SnCl_2–PdCl_2 process, but this process leads to a residue of Sn, which has been reported to be harmful to the membrane stability. In this work, the Pd/Al_2O_3 membranes were prepared by electroless plating after the SnCl_2–PdCl_2 process. The amount of Sn residue was adjusted by the SnCl_2 concentration, activation times and additional Sn(OH)_2coating. The surface morphology, cross-sectional structure and elemental composition were analyzed by scanning electron microscopy(SEM), metallography and energy dispersive spectroscopy(EDS), respectively. Hydrogen permeation stability of the prepared palladium membranes were tested at450–600 °C for 400 h. It was found that the higher SnCl_2 concentration and activation times enlarged the Sn residue amount and led to a lower initial selectivity but a better membrane stability. Moreover, the additional Sn(OH)_2coating on the Al_2O_3 substrate surface also greatly improved the membrane selectivity and stability.Therefore, it can be concluded that the Sn residue from the SnCl_2–PdCl_2 process cannot be a main factor for the stability of the composite palladium membranes at high temperatures. 展开更多
关键词 Hydrogen separation Composite palladium membrane electroless plating SnCl2–PdCl2 process Sn residue Membrane stability
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