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氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响 被引量:26
1
作者 辜敏 杨防祖 +2 位作者 黄令 姚士冰 周绍民 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1946-1950,共5页
采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为 .在含与不含氯离子的 0 0 5mol·L-1CuSO4 0 5mol·L-1H2 SO4电解液中 ,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过UPD过程 ;氯离... 采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为 .在含与不含氯离子的 0 0 5mol·L-1CuSO4 0 5mol·L-1H2 SO4电解液中 ,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过UPD过程 ;氯离子明显使Cu的沉积和氧化峰变得尖锐 ,促进Cu的沉积速度 .计时安培实验结果表明 ,Cu的电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行 .氯离子不改变Cu的电结晶机理 ,但在I~t曲线中 ,导致电流达最大 (Im)所需的时间tm 减小、晶核数密度和生长速度增大 ,从而明显改变Cu沉积层的质量 .当Cl-浓度在 10~ 2 0mg·L-1范围内 ,成核的晶核数密度达较大 ,即氯离子的最适宜添加量 . 展开更多
关键词 玻碳电极 氯离子 电结晶 镀铜 线性扫描伏安法 计时安培法
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羟基磷灰石梯度涂层的制备及其结构特征 被引量:19
2
作者 付涛 李浩 徐可为 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期622-625,共4页
通过改变电结晶电流密度在钛合金表面制得内部致密、外部多孔的CaHPO4·2H2O 涂层,经碱液处理转变为羟基磷灰石.SEM,XRD分析及粘接拉伸试验表明:电流密度较小时得到的内部涂层致密,与基体有较高的结合强度;... 通过改变电结晶电流密度在钛合金表面制得内部致密、外部多孔的CaHPO4·2H2O 涂层,经碱液处理转变为羟基磷灰石.SEM,XRD分析及粘接拉伸试验表明:电流密度较小时得到的内部涂层致密,与基体有较高的结合强度;随电流密度增加得到的涂层由内向外孔隙率逐渐增大,晶体变为细针状. 这种梯度结构实现了生物涂层结合强度和表面形态的协调兼顾. 展开更多
关键词 羟基磷灰石 梯度涂层 结晶 涂层 结构 生物陶瓷
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PEG-Cl^-添加剂存在下的铜电结晶过程研究 被引量:20
3
作者 辜敏 李强 +2 位作者 鲜晓红 卿胜兰 刘克万 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期881-886,共6页
用线性电位扫描、循环伏安和计时安培电化学方法研究了聚乙二醇(PEG)和Cl-同时存在时,酸性镀铜溶液中Cu在玻碳电极(GCE)上的电结晶过程.研究表明,PEG-Cl-作用下Cu的电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.PEG-Cl-使电极表面的活性点急剧减... 用线性电位扫描、循环伏安和计时安培电化学方法研究了聚乙二醇(PEG)和Cl-同时存在时,酸性镀铜溶液中Cu在玻碳电极(GCE)上的电结晶过程.研究表明,PEG-Cl-作用下Cu的电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.PEG-Cl-使电极表面的活性点急剧减少,并降低了Cu2+的扩散系数,阻化了Cu的电沉积和成核过程.PEG-Cl-作用时,Cl-离子仍然表现出较强的促进作用,随Cl-浓度的增大,Cu2+的扩散系数、Cu的沉积速度和成核速度都有所提高.适宜的PEG,Cl-浓度使成核数密度增大. 展开更多
关键词 CU PEG-Cl^- 电沉积 电结晶 玻碳电极
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电化学沉积研究 被引量:16
4
作者 杨防祖 姚士冰 周绍民 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期418-426,共9页
概述了电化学沉积研究的发展现状 .介绍了本科研组在电化学沉积和电结晶机理 ,络合剂和添加剂在沉积过程中的作用 ,电化学沉积新工艺和研究方法 ,以及镀层微观结构与性能的关系等方面的主要研究结果 .
关键词 电化学沉积 电结晶机理 络合剂 添加剂 防护-装饰性镀层 合金镀层 微观结构
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Ni-SiC复合镀层电结晶初期动力学分析 被引量:20
5
作者 赵旭山 谭澄宇 +3 位作者 陈文敬 刘宇 李劲风 郑子樵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期823-828,共6页
利用循环伏安方法和恒电位阶跃技术研究Ni-SiC复合镀层电沉积行为。结果表明:Ni-SiC复合镀层和纯Ni镀层的形核/生长过程符合Scharifker-Hill三维成核模型;在低过电位下,Ni-SiC复合镀层形核/生长过程按三维连续成核机制;高过电位下,形核... 利用循环伏安方法和恒电位阶跃技术研究Ni-SiC复合镀层电沉积行为。结果表明:Ni-SiC复合镀层和纯Ni镀层的形核/生长过程符合Scharifker-Hill三维成核模型;在低过电位下,Ni-SiC复合镀层形核/生长过程按三维连续成核机制;高过电位下,形核/生长过程遵循瞬时成核机制,与纯Ni镀层的形核/生长过程具有一致性;无论Ni-SiC复合镀层还是纯Ni镀层,形核弛豫时间tm随负电位的增大呈现有规律递减趋势,相应的Im值基本相近;SiC粉体的引入导致Ni形核的过电位正移和tm的显著减小。 展开更多
关键词 电结晶 形核 循环伏安 恒电位阶跃
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添加剂3-巯基-1-丙烷磺酸钠对铜电沉积影响的研究 被引量:15
6
作者 钟琴 辜敏 李强 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第17期1707-1712,共6页
采用循环伏安(CV)、线性电位扫描(LSV)、计时安培(CA)和交流阻抗(AC impedance)电化学方法结合扫描电镜(SEM)研究了不同浓度的3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)对CuSO4-H2SO4体系中铜在玻碳电极(GCE)上的电沉积过程的影响.CV,LSV和AC impedanc... 采用循环伏安(CV)、线性电位扫描(LSV)、计时安培(CA)和交流阻抗(AC impedance)电化学方法结合扫描电镜(SEM)研究了不同浓度的3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)对CuSO4-H2SO4体系中铜在玻碳电极(GCE)上的电沉积过程的影响.CV,LSV和AC impedance实验结果一致表明MPS阻化铜的电沉积,并且随着MPS浓度的增加,其阻化作用增强.但是MPS对Cu的电结晶过程表现为促进作用,CA与SEM研究结果一致表明,MPS不改变Cu的电结晶成核机理,仍然按瞬时成核和三维生长方式进行,并且成核数目随着MPS浓度的增大而增加. 展开更多
关键词 MPS 电沉积 电结晶
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铜电结晶的研究进展 被引量:10
7
作者 李强 辜敏 鲜晓红 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第4期483-490,共8页
铜具有的优良导电性和机械加工性能以及其电沉积工艺的诸多优点,决定了铜电沉积在各行业特别是近年在高新技术中的广泛应用。铜的电结晶过程是铜电沉积的初期阶段,它决定了后续的电沉积过程及最终镀层的结构和性能,因此一直是研究的热... 铜具有的优良导电性和机械加工性能以及其电沉积工艺的诸多优点,决定了铜电沉积在各行业特别是近年在高新技术中的广泛应用。铜的电结晶过程是铜电沉积的初期阶段,它决定了后续的电沉积过程及最终镀层的结构和性能,因此一直是研究的热点。本文综述了铜电结晶的研究方法、电结晶理论研究的进展,详细讨论了pH值、添加剂、金属离子、基体以及电沉积条件等因素对铜电结晶的机理和成核动力学的影响,并对研究中存在的问题提出了展望。 展开更多
关键词 电结晶 成核机理 电沉积
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离子液体中钴的电沉积行为 被引量:13
8
作者 杨培霞 安茂忠 +1 位作者 苏彩娜 王福平 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2032-2036,共5页
在含有氯化钴的室温离子液体氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC)和乙二醇(EG)体系中研究了金属钴的电沉积.循环伏安法测试表明,在EMIC-CoCl2熔盐中,乙二醇的加入促进了EMIC的解离,从而使氧化还原电流增大,在EMIC-CoCl2-EG体系中钴的电沉积是... 在含有氯化钴的室温离子液体氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC)和乙二醇(EG)体系中研究了金属钴的电沉积.循环伏安法测试表明,在EMIC-CoCl2熔盐中,乙二醇的加入促进了EMIC的解离,从而使氧化还原电流增大,在EMIC-CoCl2-EG体系中钴的电沉积是受扩散控制的非可逆电极过程,在该电解液体系中,Co(Ⅱ)在Pt电极上的传递系数α为0.30,扩散系数D0为4.16×10-6cm·s-1;计时电流法研究表明,钴在铂电极上的电结晶过程符合三维连续成核的生长机理;场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观察镀层的微观形貌显示,金属钴的结晶细小.XRD分析证实,镀层为纯钴,沉积的钴是晶态和微晶态的混合物,并且晶粒尺寸为纳米级. 展开更多
关键词 氯化1-甲基-3-乙基咪唑 离子液体 电沉积 电结晶
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氨络合物体系中镍在玻璃碳上的电化学成核机理 被引量:11
9
作者 郑利峰 郑国渠 +1 位作者 曹华珍 张九渊 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期882-885,共4页
采用循环伏安法和计时电流法研究了氨络合物体系中镍在玻璃碳上电结晶的初期行为。结果表明 ,镍在该基体上的沉积没有经历UPD过程 ,镍的电沉积经历了晶核形成过程 ,在所研究的外加电位范围内其电结晶按连续成核和三维生长方式进行 ,外... 采用循环伏安法和计时电流法研究了氨络合物体系中镍在玻璃碳上电结晶的初期行为。结果表明 ,镍在该基体上的沉积没有经历UPD过程 ,镍的电沉积经历了晶核形成过程 ,在所研究的外加电位范围内其电结晶按连续成核和三维生长方式进行 ,外加电位对晶体生长具有显著的影响。通过分析恒电位暂态曲线 ,求出镍离子的扩散系数D ,以及不同外加电位下的饱和晶核数密度Nsat。 展开更多
关键词 循环伏安法 计时电流法 氨络合物体系 电结晶 电化学成核机理
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镍钨磷合金电结晶机理及其镀层结构与显微硬度 被引量:11
10
作者 杨防祖 牛振江 +2 位作者 曹刚敏 许书楷 周绍民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1022-1027,共6页
应用循环伏安、恒电位阶跃和 X射线衍射( XRD)等方法研究了 Ni-W-P合金电沉积特点和镀层结构与显微硬度 .结果表明,在以柠檬酸铵为配体的溶液中, Ni-W-P合金沉积层较 Ni-W合金有较低的电化学活性 .根据电位阶跃的 i~ t曲线分析表... 应用循环伏安、恒电位阶跃和 X射线衍射( XRD)等方法研究了 Ni-W-P合金电沉积特点和镀层结构与显微硬度 .结果表明,在以柠檬酸铵为配体的溶液中, Ni-W-P合金沉积层较 Ni-W合金有较低的电化学活性 .根据电位阶跃的 i~ t曲线分析表明,在玻碳电极上 Ni-W-P合金电结晶过程遵从扩散控制瞬时成核三维成长模式进行,随着过电位的增加,电极表面上晶核数增多 . XRD试验结果表明, Ni-W-P合金镀层呈现明显的非晶态特征 .所获得的 Ni-W-P合金电沉积层的显微硬度在 450 kg· mm- 2左右 . 展开更多
关键词 镀层 电结晶 结构 合金电沉积 镍钨磷合金
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玻碳电极上铜电沉积初期行为研究 被引量:10
11
作者 黄令 张睿 +3 位作者 辜敏 杨防阻 许书楷 周绍民 《电化学》 CAS CSCD 2002年第3期263-268,共6页
运用循环伏安和计时安培法研究酸性镀铜溶液中硫酸和 2_巯基苯骈咪唑对铜电沉积初期行为的影响 .实验表明铜的电沉积经历了晶核形成过程 ,其电结晶按瞬时成核三维生长方式进行 ,硫酸对铜的电沉积具有加速作用 ,而 2_巯基苯骈咪唑对铜的... 运用循环伏安和计时安培法研究酸性镀铜溶液中硫酸和 2_巯基苯骈咪唑对铜电沉积初期行为的影响 .实验表明铜的电沉积经历了晶核形成过程 ,其电结晶按瞬时成核三维生长方式进行 ,硫酸对铜的电沉积具有加速作用 ,而 2_巯基苯骈咪唑对铜的电沉积起阻化作用 。 展开更多
关键词 玻碳电极 电沉积 电结晶 硫酸 2-巯基苯骈咪唑 循环伏安 计量安培法
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添加剂作用下钯电沉积行为研究 被引量:10
12
作者 杨防祖 黄令 +1 位作者 许书楷 周绍民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第5期463-467,共5页
在含有4g·L-1Pd(NH3)2Cl2和104g·L-1NH4H2PO4的闪镀钯基础电解液中,采用极化曲线、循环伏安法和计时安培法研究添加剂作用下钯在玻璃碳电极上的电沉积和电结晶行为.结果表明,添加剂阻化钯的电沉积;钯在玻碳电极上的交换电流... 在含有4g·L-1Pd(NH3)2Cl2和104g·L-1NH4H2PO4的闪镀钯基础电解液中,采用极化曲线、循环伏安法和计时安培法研究添加剂作用下钯在玻璃碳电极上的电沉积和电结晶行为.结果表明,添加剂阻化钯的电沉积;钯在玻碳电极上的交换电流密度很低;钯电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶机理在不含添加剂时接近于三维连续成核,含添加剂时接近于三维瞬时成核. 展开更多
关键词 添加剂 电沉积行为 电结晶 动力学 玻璃碳电极 扫描速度
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Valence states, impurities and electrocrystallization behaviors during molten salt electrorefining for preparation of high-purity titanium powder from sponge titanium 被引量:11
13
作者 翁启刚 李瑞迪 +2 位作者 袁铁锤 李健 贺跃辉 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第2期553-560,共8页
High-purity titanium powder was prepared by molten salt electrorefining from sponge titanium in NaCl-KCl-TiClx salts. The titanium valence, purity and electrocrystallization during electrolysis process were studied. T... High-purity titanium powder was prepared by molten salt electrorefining from sponge titanium in NaCl-KCl-TiClx salts. The titanium valence, purity and electrocrystallization during electrolysis process were studied. The XPS analysis showed that the titanium valences are mainly +4, +3 and +2 at the earlier, medium and later stages of electrolysis, respectively. During the electrolysis process, the contents of impurities Si, Cr, Mn, Al vary little, and the contents of impurities Fe, Cu, Ni decrease markedly, while the contents of impurities O, N, H increase obviously. The residual impurities are usually distributed in small tunnel of dendritic crystals. Enhancing the electrolysis temperature and prolonging the electrolysis time can increase the titanium particle size. The TEM analysis showed that the electrodeposited titanium is not a single crystal, but contains many nanostructured grains and subgrains, with grain size of 100-500 nm. The electrolysis mechanisms were also discussed. 展开更多
关键词 molten salt electrolysis high-purity titanium powder VALENCE electrocrystallization
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烟酸对酸性硫酸盐体系铜电沉积的影响 被引量:6
14
作者 黄令 张睿 +3 位作者 辜敏 杨防祖 许书楷 周绍民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第7期665-668,共4页
对溶液A:0.8mol·L-1硫酸铜,0.6mol·L-1硫酸,5.0×10-5mol·L-1氯离子,1.0×10-4mol·L-1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10-2mol·L-1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极... 对溶液A:0.8mol·L-1硫酸铜,0.6mol·L-1硫酸,5.0×10-5mol·L-1氯离子,1.0×10-4mol·L-1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10-2mol·L-1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极上铜的电沉积行为.结果表明,铜的电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.烟酸的加入对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.沉积层的X射线衍射表明Cu为面心立方结构,在烟酸存在下沉积层出现(220)高择优取向,这可能是烟酸在Cu(220)晶面上发生强烈吸附作用的结果. 展开更多
关键词 酸性硫酸盐体系 电沉积 电结晶 烟酸 积层 结构 择优取向 镀铜
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硼酸系电结晶制[Co/Pt]_n(n≥40)金属多层膜的研究 被引量:6
15
作者 印仁和 施文广 曹为民 《电化学》 CAS CSCD 1998年第3期280-285,共6页
于钝铜片及玻碳上采用双电解池恒电位结晶制取了[Co(0.5nm~2.2nm)/Pt(2.0nm)]n(n≥40)金属多层膜.低角度X射线衍射表明多层膜有良好的周期性调制结构,其Bragg峰的半幅值随着钴层电结晶电位的... 于钝铜片及玻碳上采用双电解池恒电位结晶制取了[Co(0.5nm~2.2nm)/Pt(2.0nm)]n(n≥40)金属多层膜.低角度X射线衍射表明多层膜有良好的周期性调制结构,其Bragg峰的半幅值随着钴层电结晶电位的负移和铂层电结晶电位正移而减小.中角度X射线衍射表明界面上存在CoPt3金属化合物.多层膜的磁滞回线表明该多层膜的易磁化轴平行于膜面,表现出平面磁各向异性.以低过电位镀Co(厚度约0.5nm)的多层膜的垂直方向磁滞回线形状较好,有望表现出垂直磁各向异性. 展开更多
关键词 磁记录材料 电结晶 [Co/Pt]n 金属多层膜
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金刚石粉体对Ni电结晶初期行为的影响 被引量:8
16
作者 王美娟 王日初 +2 位作者 彭超群 冯艳 张纯 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期765-772,共8页
采用循环伏安(CV)和恒电位阶跃(CA)等电化学技术,研究金刚石粉体对Ni电结晶形核/生长的影响,并通过扫描电镜观察复合镀层的表面形貌。结果表明:在Ni-金刚石复合镀液中,金刚石粉体吸附在阴极表面,对阴极产生屏蔽作用,Ni2+的有效放电面积... 采用循环伏安(CV)和恒电位阶跃(CA)等电化学技术,研究金刚石粉体对Ni电结晶形核/生长的影响,并通过扫描电镜观察复合镀层的表面形貌。结果表明:在Ni-金刚石复合镀液中,金刚石粉体吸附在阴极表面,对阴极产生屏蔽作用,Ni2+的有效放电面积减小,阻碍电荷转移,使复合镀液在循环伏安曲线中的还原电流降低;金刚石粉体缩短了Ni电结晶的形核驰豫时间(tmax),形核过电位正移,促进Ni电结晶形核;电镀时间越长,金刚石复合量越小,镀层表面越粗糙;Ni-金刚石复合镀液和纯Ni镀液的Ni电结晶形核可能为多晶沉积。 展开更多
关键词 金刚石 复合电镀 NI 电结晶 形核 生长 多晶沉积
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柠檬酸钠溶液中镍电结晶机制 被引量:8
17
作者 李超群 李新海 +1 位作者 王志兴 郭华军 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2797-2803,共7页
采用循环伏安和计时电流法研究柠檬酸钠溶液中镍在玻碳电极上电结晶初期阶段的行为。研究结果表明:镍的电结晶经历了晶核形成过程且符合Scharitker-Hill三维成核/生长机制,在低过电位下,镍结晶按三维连续成核/生长方式进行;在高过电位下... 采用循环伏安和计时电流法研究柠檬酸钠溶液中镍在玻碳电极上电结晶初期阶段的行为。研究结果表明:镍的电结晶经历了晶核形成过程且符合Scharitker-Hill三维成核/生长机制,在低过电位下,镍结晶按三维连续成核/生长方式进行;在高过电位下,镍结晶遵循瞬时成核/生长机制。沉积过电位增加,成核时间缩短,晶核数密度增大,生长速率增加,在2种成核/生长机制下镍离子的扩散系数分别为(1.63±0.48)×10-7和(1.07±0.09)×10-6cm2/s;柠檬酸钠对镍垂直于基体表面的生长速率有阻碍作用,增大硫酸镍质量浓度对生长速率有一定促进作用,但溶液中柠檬酸钠和硫酸镍质量浓度变化并不改变镍电结晶过程的成核/生长机制。 展开更多
关键词 电结晶 镍沉积 柠檬酸盐溶液 玻碳电极 机制
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某些添加剂对锌在玻碳电极上电结晶的影响 被引量:6
18
作者 喻敬贤 陈永言 黄清安 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第6期686-692,共7页
用电位阶跃法研究了氯化钾镀锌溶液中添加剂(OP-10,苄叉丙酮,NNO和CH-1光亮剂)对锌在玻碳电极上电结晶行为的影响.在本实验条件下,晶核的生长受溶液中Zn2+的扩散步骤控制,而晶核的形成机理与加入的添加剂的品种... 用电位阶跃法研究了氯化钾镀锌溶液中添加剂(OP-10,苄叉丙酮,NNO和CH-1光亮剂)对锌在玻碳电极上电结晶行为的影响.在本实验条件下,晶核的生长受溶液中Zn2+的扩散步骤控制,而晶核的形成机理与加入的添加剂的品种有关.在不含任何添加剂的基础溶液中,或分别含NNO,苄叉丙酮时呈现瞬时成核机理,在OP-10。 展开更多
关键词 镀锌 添加剂 电结晶 玻碳电极
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电解银粉的制备及其电结晶 被引量:6
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作者 任同兴 曹华珍 +1 位作者 王志伟 郑国渠 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2010年第3期206-211,共6页
采用恒电流电解法,以HNO3+AgNO3体系为电解液制备银粉。通过X射线衍射(XRD)分析和电化学测试,研究电解液组份、沉积电位、电解温度以及添加剂等因素对银粉电结晶过程的影响。结果表明,电解液中HNO3浓度过大或过小都不利于获得细小晶粒,... 采用恒电流电解法,以HNO3+AgNO3体系为电解液制备银粉。通过X射线衍射(XRD)分析和电化学测试,研究电解液组份、沉积电位、电解温度以及添加剂等因素对银粉电结晶过程的影响。结果表明,电解液中HNO3浓度过大或过小都不利于获得细小晶粒,在硝酸质量浓度为10g/L时可制备晶粒尺寸相对较小(56.4 nm)的银粉;AgNO3质量浓度在10~20 g/L范围内,对晶核的形成速率和晶粒尺寸影响不大;较低的沉积电位和较高的电解温度均有利于提高银粉的电沉积速率;在电解液中加入含酸性基团的烷烃基铵盐添加剂(质量浓度0.5 g/L),可大大促进新的晶核形成速率,有利于制备更细的电解银粉。 展开更多
关键词 枝状银粉 电化学制备 电结晶 添加剂
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新型整平剂TS-L对铜电沉积的影响 被引量:6
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作者 丁辛城 彭代明 +1 位作者 陈梓侠 程骄 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期556-559,共4页
通过极化曲线、电化学阻抗谱、计时电流等电化学测量方法研究了整平剂TS-L对铜电沉积的影响。基础镀液组成为:Cu SO_4·5H_2O 75 g/L,H_2SO_4 240 g/L,Cl^-60 mg/L。结果表明,TS-L会抑制铜的电沉积,有利于得到平整、光亮的镀层。随T... 通过极化曲线、电化学阻抗谱、计时电流等电化学测量方法研究了整平剂TS-L对铜电沉积的影响。基础镀液组成为:Cu SO_4·5H_2O 75 g/L,H_2SO_4 240 g/L,Cl^-60 mg/L。结果表明,TS-L会抑制铜的电沉积,有利于得到平整、光亮的镀层。随TS-L用量增大,其抑制作用增强。TS-L的用量为50 mg/L时,铜的电沉积由基础镀液的三维瞬时成核转变为三维连续成核。随TS-L质量浓度的增大,镀液的深镀能力提高。在电镀液中添加50 mg/L整平剂TS-L、10 mg/L光亮剂TS-S和600 mg/L抑制剂TS-W时,深镀能力为87%,铜镀层的延展性和可靠性满足印制线路板行业的应用要求。 展开更多
关键词 电镀铜 整平剂 深镀能力 极化 电结晶 延展性 可靠性
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