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题名InGaAs/InP材料的Zn扩散技术
被引量：4
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作者
刘英斌
陈宏泰
林琳
杨红伟
郑晓光
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期610-612,共3页
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文摘
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。
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关键词
金属有机化学气相淀积
锌扩散
退火
电化学c-v
光电探测器
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Keywords
MOcvD
Zn diffusion
anneal
electro-chemical c-v
photo detector
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分类号
TN305.4
[电子电信—物理电子学]
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