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题名Sr掺杂锆钛酸铅(PSZT)薄膜的电可调性能研究
被引量：1
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作者
邵起越
董岩
方峰
蒋建清
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机构
东南大学材料科学与工程学院
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期51-54,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(No.60276020)
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文摘
采用sol-gel工艺制备了Sr掺杂Pb(Zr,Ti)O3薄膜(Pb1-xSrxZr0.52Ti0.48O3,PSZT),研究了Sr含量(x=0.2～0.8)对PSZT薄膜的结构和性能的影响。结果表明:随Sr含量增加,PSZT由四方相转变为立方相,相变温度降低,逐渐由铁电相向顺电相转变。薄膜的εr、可调率和tanδ随Sr含量增加逐渐减小,这与Sr含量的增加导致PSZT薄膜晶格收缩有关。当x(Sr)为0.6时,PSZT薄膜具有较好的综合性能(1MHz):可调率为48%,tanδ为0.02,表明PSZT有望成为电可调微波器件的候选材料。
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关键词
无机非金属材料
锆钛酸铅
Sr掺杂
电可调性能
sol—gel法
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Keywords
non-metallic inorganic material
lead zirconate titanate
Sr doping
electrically tunable property
sol-gel method
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分类号
O484.42
[理学—固体物理]
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