ITO薄膜的光学和电学性质及其应用 被引量：30

1

作者 马勇 孔春阳 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期114-117,共4页

介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是... 介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。 展开更多

关键词 ITO薄膜 结构 能带 电学性质 氧化铟锡薄膜 光学性质

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透明导电膜ZnO:Al(ZAO)的组织结构与特性　 被引量：28

2

作者 孙超 陈猛 +3 位作者 裴志亮 曹鸿涛 黄荣芳 闻立时 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期113-120,共8页

ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）是一种简并半导体氧化物薄膜材料，具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽 度，因而具有优异的电学和光学性能，极具应用价值．对于其能级高度简并的ＺＡＯ半导体薄膜材料，在 较低的温度下，离化杂质散射占主导地... ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）是一种简并半导体氧化物薄膜材料，具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽 度，因而具有优异的电学和光学性能，极具应用价值．对于其能级高度简并的ＺＡＯ半导体薄膜材料，在 较低的温度下，离化杂质散射占主导地位；在较高的温度下，晶格振动散射将成为主要的散射机制；晶界散 射仅当晶粒尺寸较小（与电子的平均自由程相当）时才起作用， 本文介绍了ＺＡＯ薄膜的制备方法、晶体 结构特性。 展开更多

关键词 组织结构 透明导电氧化物 简并半导体 ZAO薄膜 散射机制 光学性质 氧化锌 氧化铝 电学性质

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雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能 被引量：5

3

作者 杨成兴 季振国 +2 位作者 刘坤 樊瑞新 叶志镇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1083-1087,共5页

采用超声雾化技术 ,以醋酸锌水溶液为源物质 ,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜 ,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响 .结果表明其为六方晶体 (纤锌矿 )结构 ,在适当的条件下 ,可以生长出具有较强c轴取向的ZnO薄膜 ... 采用超声雾化技术 ,以醋酸锌水溶液为源物质 ,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜 ,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响 .结果表明其为六方晶体 (纤锌矿 )结构 ,在适当的条件下 ,可以生长出具有较强c轴取向的ZnO薄膜 ,所得到的ZnO薄膜具有低达 7 6 8× 10 10 cm-3 的载流子浓度 ,这对实现ZnO的p型掺杂具有重要意义 . 展开更多

关键词 雾化热解 ZNO薄膜 X射线衍射分析 电学性能 载流子浓度 光学性能

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射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性 被引量：15

4

作者 余旭浒 马瑾 +3 位作者 计峰 王玉恒 王翠英 马洪磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期314-318,共5页

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .... 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 . 展开更多

关键词 磁控溅射 ZNO:GA 光电特性

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溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌薄膜 被引量：10

5

作者 韦美琴 张光胜 姚文杰 《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第4期34-36,共3页

采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了掺铝氧化锌薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明:用溶胶-凝胶法制得的掺铝氧化锌薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,表面均匀、致密。... 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了掺铝氧化锌薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明:用溶胶-凝胶法制得的掺铝氧化锌薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,表面均匀、致密。通过紫外-可见透射光谱(UV)和标准四探针法对薄膜的光电性能进行了研究。试验发现,当铝离子掺杂浓度为4%(摩尔分数)、溶胶物质的量浓度为0.6mol/L、前处理温度为300℃时,薄膜在可见光区的透过率超过80%,且具有较好的导电性,电阻率为8.0×10-4Ω.cm。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂 c轴择优取向 光电性能 氧化锌薄膜

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热蒸发法制备SnS薄膜及其表征 被引量：6

6

作者 程树英 钟南保 +1 位作者 黄赐昌 陈国南 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期290-292,296,共4页

用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力... 用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层. 展开更多

关键词 SnS薄膜 光电性能 热蒸发法

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偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Al透明导电膜 被引量：8

7

作者 杨田林 高绪团 韩盛浩 《曲阜师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第4期59-63,共5页

用射频偏压磁控溅射法 ,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO :Al (AluminiumdopedZincOxide ,AZO)透明导电膜 ,膜的最小电阻率为 1.11× 10 -3 Ωcm ,薄膜的透过率高于 85 % .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [0... 用射频偏压磁控溅射法 ,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO :Al (AluminiumdopedZincOxide ,AZO)透明导电膜 ,膜的最小电阻率为 1.11× 10 -3 Ωcm ,薄膜的透过率高于 85 % .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [0 0 2 ]方向的择优取向 .重点探讨了薄膜的结构、光电性质与衬底所加负偏压的关系 . 展开更多

关键词 偏压磁控溅射法 柔性衬底 制备 ZnO:A1透明导电膜 光电性质 AZO薄膜 负偏压

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磁控溅射制备柔性衬底ZnO：Ga透明导电膜微结构及性能研究 被引量：8

8

作者 李素敏 赵玉涛 张钊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1233-1238,共6页

室温条件下,采用磁控溅射法在有机柔性衬底聚酰亚胺(PI)表面制备出ZnO:Ga透明导电膜,XRD表明ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。研究了溅射功率、氩气分压、溅射时间及衬底负偏压等溅射工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响,得出最... 室温条件下,采用磁控溅射法在有机柔性衬底聚酰亚胺(PI)表面制备出ZnO:Ga透明导电膜,XRD表明ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。研究了溅射功率、氩气分压、溅射时间及衬底负偏压等溅射工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响,得出最佳溅射参数分别为:功率100W,氩气分压0.1Pa,溅射时间60min,衬底负偏压40V。结果表明:磁控溅射制备的ZnO:Ga膜附着性良好,电阻率为9.4×10^(-4)Ω·cm,可见光透过率为78%。 展开更多

关键词 光电特性 柔性衬底 磁控溅射 结构 ZnO:Ga膜

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制备过程中对VO_2薄膜热致相变光电性能的控制 被引量：5

9

作者 卢勇 林理彬 +2 位作者 邹萍 何捷 王鹏 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期19-21,共3页

本文利用真空还原V2 O5的方法制备出优质对VO2 薄膜 ;研究了不同真空还原时间VO2 薄膜热致相变过程中光电性能的影响 ;利用XPS、XRD对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达到三个数量级 ,90 0nm处的... 本文利用真空还原V2 O5的方法制备出优质对VO2 薄膜 ;研究了不同真空还原时间VO2 薄膜热致相变过程中光电性能的影响 ;利用XPS、XRD对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达到三个数量级 ,90 0nm处的光学透过率在相变前后改变了 40 %左右 ,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下VO2 薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。 展开更多

关键词 VO2薄膜 热致相变 光电性能 制备过程

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溶胶凝胶法制备Cu掺杂ZnO纳米薄膜及其表征 被引量：9

10

作者 李建昌 王博锋 +1 位作者 姜永辉 巴德纯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期236-239,共4页

采用溶胶-凝胶法制备了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究了Cu掺杂量对薄膜微观结构、表面形貌及光电特性的影响。结果表明:所得Cu掺杂ZnO薄膜为六角纤锌矿多晶结构,... 采用溶胶-凝胶法制备了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究了Cu掺杂量对薄膜微观结构、表面形貌及光电特性的影响。结果表明:所得Cu掺杂ZnO薄膜为六角纤锌矿多晶结构,有CuO杂质相生成。随Cu掺杂量的增加,薄膜晶粒长大,且样品粒度均匀,平均粒径约53 nm。Cu掺杂ZnO薄膜具有良好的透光性,在可见光范围内的平均透射率超过80%,最大可达90%以上。Cu掺杂浓度为0.001%时,所得ZnO薄膜的导电性明显优于其他掺杂条件下的样品。 展开更多

关键词 溶胶.凝胶法氧化锌薄膜Cu掺杂光电特性

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掺杂及工艺条件对室温制备ZnO∶Al性能的影响 被引量：6

11

作者 任明放 王华 +1 位作者 许积文 杨玲 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期52-56,共5页

采用直流磁控溅射工艺,在室温条件下制备了ZnO∶Al(ZAO)薄膜,研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明:Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响,在Al掺杂质量分数为3%、溅射功率为100W以及Ar压强为... 采用直流磁控溅射工艺,在室温条件下制备了ZnO∶Al(ZAO)薄膜,研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明:Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响,在Al掺杂质量分数为3%、溅射功率为100W以及Ar压强为1.5Pa的条件下,室温溅射淀积的ZAO薄膜可获得1.4×10-3Ω.cm的最小电阻率;Al掺杂量和工艺参数对薄膜的透光率均无明显的影响,薄膜的平均透光率在86～90%,但随Al掺杂量和溅射功率的增加,薄膜的截止吸收边均向短波长方向移动。对薄膜优值因子的分析表明,适合采用的Ar压强值在0.6～2.0Pa。 展开更多

关键词 氧化锌铝 透明导电薄膜 光电性能 磁控溅射

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溶胶-凝胶法制备ZnO:Sn(TZO)薄膜 被引量：7

12

作者 孙惠娜 刘静 高美珍 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期394-398,共5页

以普通玻璃为衬底,采用溶胶-凝胶旋涂法制备出c轴择优取向性、高可见光透过率以及低电阻率的ZnO：Sn（TZO）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针及紫外-可见分光光度计（UV-VIS）等手段,研究了不同Sn掺杂浓度... 以普通玻璃为衬底,采用溶胶-凝胶旋涂法制备出c轴择优取向性、高可见光透过率以及低电阻率的ZnO：Sn（TZO）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针及紫外-可见分光光度计（UV-VIS）等手段,研究了不同Sn掺杂浓度对薄膜的晶体结构、表面形貌、电学和光学特性的影响。实验结果表明,在500℃的空气中热处理,然后在低温环境快速冷却,得到的TZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,且呈c轴择优取向,薄膜在可见光范围内平均透光率超过90%,同时当Sn掺杂浓度为3 at.%时,薄膜的电阻率达到最小值8.2×10-1Ω.cm。 展开更多

关键词 TZO薄膜 Sn掺杂浓度 溶胶-凝胶法 结构与形貌 光电特性

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ITO薄膜直流反应磁控溅射制备及性能研究 被引量：5

13

作者 夏冬林 杨晟 +1 位作者 王树林 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期113-114,117,共3页

以90wt%In 和10wt%Sn 铟锡合金为靶材.采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备 ITO 透明导电薄膜。用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD 和 SEM 分别测试了 ITO 薄膜的紫外可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌。研... 以90wt%In 和10wt%Sn 铟锡合金为靶材.采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备 ITO 透明导电薄膜。用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD 和 SEM 分别测试了 ITO 薄膜的紫外可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌。研究了氧分压对 ITO 薄膜性能的影响。实验结果表明.ITO 薄膜随着氧分压的增加.薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移。随着氧分压的增大.ITO 薄膜的方块电阻增加.结晶程度变好,晶粒尺寸变大。 展开更多

关键词 直流磁控反应溅射法 ITO 光电性能 导电薄膜 紫外透射光谱 半导体材料

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磁控溅射有机聚合物衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电性能研究 被引量：4

14

作者 马瑾 张士勇 +1 位作者 郝晓涛 马洪磊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期10-13,共4页

采用射频磁控溅射法在有机薄聚合物膜衬底上制备出铝掺杂的氧化锌 (ZnO :Al)透明导电膜 ,对薄膜的低温制备 (2 5～ 180℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备薄膜为多晶膜 ,具有纯氧化锌的纤锌矿结构和 (0 0 2 )择优取向。制备薄膜在可... 采用射频磁控溅射法在有机薄聚合物膜衬底上制备出铝掺杂的氧化锌 (ZnO :Al)透明导电膜 ,对薄膜的低温制备 (2 5～ 180℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备薄膜为多晶膜 ,具有纯氧化锌的纤锌矿结构和 (0 0 2 )择优取向。制备薄膜在可见光区透过率达到 74 % ,最低电阻率为 8.5× 10 -4Ω·cm。 展开更多

关键词 有机衬底 ZNO:AL 光电性质

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掺杂浓度对AZO薄膜结构和性能的影响 被引量：5

15

作者 葛春桥 夏志林 郭爱云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期31-33,共3页

采用溶胶-凝胶工艺在玻璃基片上制备Al3+掺杂型的ZnO(AZO)透明导电薄膜,对薄膜进行了XRD和SEM分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明:薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;薄膜的可见光透过率可达80%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明... 采用溶胶-凝胶工艺在玻璃基片上制备Al3+掺杂型的ZnO(AZO)透明导电薄膜,对薄膜进行了XRD和SEM分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明:薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;薄膜的可见光透过率可达80%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率为1.5×10-2～8.2×10-2 Ω·cm. 展开更多

关键词 掺杂浓度 AZO薄膜 溶胶-凝胶 SEM XRD 电阻率

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掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响 被引量：8

16

作者 王立坤 郁建元 +5 位作者 王丽 牛孝友 付晨 邱茹蒙 晏伟静 赵洪力 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期590-597,共8页

二氧化锡（SnO2）是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料，掺杂可使其光电性能得到显著改善，拓展其应用领域。分析了SnO2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO2薄膜的研究。掺杂引入的缺陷能级增... 二氧化锡（SnO2）是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料，掺杂可使其光电性能得到显著改善，拓展其应用领域。分析了SnO2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO2薄膜的研究。掺杂引入的缺陷能级增加了载流子浓度，提高了薄膜的导电性。杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制。光电性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量，多元共掺杂是极具发展潜力的方法。 展开更多

关键词 二氧化锡薄膜 掺杂 导电机制 散射机理 光电性能

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近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性 被引量：6

17

作者 李茜 郑毓峰 +2 位作者 周向玲 孙言飞 简基康 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3880-3886,共7页

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性... 采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大. 展开更多

关键词 近距离升华 CDTE薄膜 掺杂Cd 电学和光学特性

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掺杂浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响 被引量：7

18

作者 葛春桥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第6期676-678,共3页

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出高c轴择优取向性、高可见光透过率和低电阻率的Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜,对这种薄膜进行了X-射线衍射和扫描电镜分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明,制备的薄膜为... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出高c轴择优取向性、高可见光透过率和低电阻率的Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜,对这种薄膜进行了X-射线衍射和扫描电镜分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明,制备的薄膜为钎锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;其可见光透过率可达85%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率在1.5×10-2～8.2×10-2Ω·cm. 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 AZO薄膜 光电性能

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锑掺杂纳米SnO_2透明导电薄膜的制备与性能研究 被引量：6

19

作者 王银玲 徐雪青 +1 位作者 徐刚 何新华 《光学仪器》 2008年第3期68-72,共5页

采用溶胶-凝胶法在Si片、已镀SiO2的钠钙硅玻璃和普通钠钙硅玻璃上镀Sb掺杂摩尔分数为8%的SnO2薄膜(ATO),在450℃热处理温度下对薄膜结构,电学、光学性能进行表征。结果表明:薄膜以四方金红石结构存在,结晶完全;方阻值随镀膜层数的增加... 采用溶胶-凝胶法在Si片、已镀SiO2的钠钙硅玻璃和普通钠钙硅玻璃上镀Sb掺杂摩尔分数为8%的SnO2薄膜(ATO),在450℃热处理温度下对薄膜结构,电学、光学性能进行表征。结果表明:薄膜以四方金红石结构存在,结晶完全;方阻值随镀膜层数的增加而明显降低,12层时薄膜最低方阻值为129Ω/□,可见光平均透过率在75%以上。随着波长的增大,红外波段的反射率逐渐增大,从15%增加到55%左右。 展开更多

关键词 Sb掺杂的SnO2薄膜 溶胶-凝胶 光学电学性能

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AZO和ITO薄膜性能对比及其在太阳电池中的应用 被引量：6

20

作者 范丽琴 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期280-283,共4页

采用磁控溅射在衬底上溅射掺铝氧化锌(AZO)和掺锡氧化铟(ITO)薄膜,比较AZO薄膜和ITO薄膜的光谱响应范围及其光学与电学综合性能。在厚度为200nm左右时,AZO薄膜的品质因子(0.61×10^(-3)Ω^(-1))比ITO(2.23×10^(-3)Ω^(-1))小... 采用磁控溅射在衬底上溅射掺铝氧化锌(AZO)和掺锡氧化铟(ITO)薄膜,比较AZO薄膜和ITO薄膜的光谱响应范围及其光学与电学综合性能。在厚度为200nm左右时,AZO薄膜的品质因子(0.61×10^(-3)Ω^(-1))比ITO(2.23×10^(-3)Ω^(-1))小一个数量级,当薄膜厚度增加到390nm左右时,AZO薄膜的品质因子为2.05×10^(-3)Ω^(-1),ITO薄膜的品质因子为4.16×10^(-3)Ω^(-1),此时AZO薄膜的品质因子与213nm的ITO薄膜的品质因子数值接近,而两种薄膜的厚度差仅为182nm。在厚度可允许的条件下,选择AZO薄膜作为太阳电池的透明导电电极,可降低成本,此研究对推动廉价太阳电池的发展具有重要意义。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 光电性能 太阳电池

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