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Zn_(0.95-x)Be_(0.05)Mn_xSe稀磁半导体的光谱特性分析
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作者 付奎 娄本浊 +2 位作者 孙彦清 龙姝明 黄朝军 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期135-139,共5页
为了研究稀磁半导体Zn0.95-xBe0.05MnxSe(x分别为0.05,0.10,0.15,0.20)随温度变化的光学特性,采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术,进行了理论分析与实验验证,取得了一系列数据。结果表明,除x=0.1的样品外... 为了研究稀磁半导体Zn0.95-xBe0.05MnxSe(x分别为0.05,0.10,0.15,0.20)随温度变化的光学特性,采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术,进行了理论分析与实验验证,取得了一系列数据。结果表明,除x=0.1的样品外,其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大,这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致;温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动,则是晶格-声子散射效应增加所致。 展开更多
关键词 光谱学 光学特性 电场调制反射光谱 表面光电压光谱 激发荧光光谱 稀磁半导体 硒化锌铍锰 温度
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