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提高压电微探针表面信息读取电荷灵敏度的方法 被引量：1
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作者 吴绍勇 许晓慧 +2 位作者 吴亚雷 赵钢 褚家如 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2008年第4期249-253,共5页
分析了基于原子力显微镜(AFM)探针阵列的超高密度信息存储中压电方式读取纳米数据坑的电荷灵敏度,从探针结构设计的角度指出通过改进上电极钝化层的设计可以使电荷灵敏度提高约50%;在读取电路中引入直流偏置电压,通过提高锆钛酸铅(PZT)... 分析了基于原子力显微镜(AFM)探针阵列的超高密度信息存储中压电方式读取纳米数据坑的电荷灵敏度,从探针结构设计的角度指出通过改进上电极钝化层的设计可以使电荷灵敏度提高约50%;在读取电路中引入直流偏置电压,通过提高锆钛酸铅(PZT)薄膜的等效横向压电系数d31进一步提高电荷灵敏度.利用硅片悬臂梁上溶胶-凝胶法制备的PZT薄膜,基于正压电效应实验验证了施加直流偏置电压对d31的提高作用.直流偏压从0 V增加到10 V时,等效横向压电系数d31从-48 pC/N提高到-120 pC/N. 展开更多
关键词 超高密度信息存储 压电薄膜 电荷灵敏度 等效横向压电系数
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