期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布
被引量：
3
1
作者
赵洪利
曾传滨
+3 位作者
刘魁勇
刘刚
罗家俊
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期63-67,共5页
基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函...
基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图。分别对部分耗尽的n MOS/SOI和p MOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图。结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109cm-2·e V-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011cm-2·e V-1。
展开更多
关键词
直流电流电压(DCIV)
金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI)
有效界面陷阱面密度
最小二乘拟合
U型分布
下载PDF
职称材料
题名
DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布
被引量：
3
1
作者
赵洪利
曾传滨
刘魁勇
刘刚
罗家俊
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
辽宁大学物理学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期63-67,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(11179003
61176095)
文摘
基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图。分别对部分耗尽的n MOS/SOI和p MOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图。结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109cm-2·e V-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011cm-2·e V-1。
关键词
直流电流电压(DCIV)
金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI)
有效界面陷阱面密度
最小二乘拟合
U型分布
Keywords
DC
current-voltage
（DCIV）
metal
oxide
semiconductor/silicon
on
insulator
（MOS/SOI）
effective
interface
trap
surface
density
least-squares-fit
U-shaped
distribution
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布
赵洪利
曾传滨
刘魁勇
刘刚
罗家俊
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
