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稀疏气泡流动的粒子跟踪测速技术研究 被引量：7
1
作者 许联锋 廖伟丽 +1 位作者 陈刚 李建中 《水利学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第7期825-829,共5页
采用动态阈值技术实现了对气泡图像的正确分割,利用灰度加权方法提高了气泡颗粒的定位精度。根据稀疏气泡流动图像的特点,提出了一种新的基于相关的粒子跟踪测速算法(2HPTV)。通过进行两时刻中围绕待研究气泡所取的两个小的诊断窗口的... 采用动态阈值技术实现了对气泡图像的正确分割,利用灰度加权方法提高了气泡颗粒的定位精度。根据稀疏气泡流动图像的特点,提出了一种新的基于相关的粒子跟踪测速算法(2HPTV)。通过进行两时刻中围绕待研究气泡所取的两个小的诊断窗口的相关运算,成功实现了气泡颗粒的轨迹追踪。实验表明本文算法较传统的PIV技术在测速精度上有很大程度的提高,与4帧粒子跟踪测速算法相比,降低了对摄像机帧频的要求,具有较强的实用性。 展开更多
关键词 稀疏气泡流 图像处理 粒子跟踪测速 动态阈值技术 灰度加权法
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一种0.6 V低压两级时间数字转换器 被引量：2
2
作者 武建平 张聪 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期521-526,共6页
研究了用于超低功耗全数字锁相环(ADPLL)的时间数字转换器(TDC)在近阈值电源电压下的工作原理,提出了一种近阈值电压时间转换器。采用两级量化的TDC,通过时间放大器对量化余量进行放大,实现二次量化。针对TDC低压下的功耗、速度问题,实... 研究了用于超低功耗全数字锁相环(ADPLL)的时间数字转换器(TDC)在近阈值电源电压下的工作原理,提出了一种近阈值电压时间转换器。采用两级量化的TDC,通过时间放大器对量化余量进行放大,实现二次量化。针对TDC低压下的功耗、速度问题,实现了一种增益可扩展的时间放大器,提高了时间分辨率。基于130 nm CMOS工艺的仿真结果表明,两级量化时间数字转换器的分辨率为2.5 ps,动态范围为640 ps,微分非线性(DNL)最大值为0.9 LSB,积分非线性(INL)最大值为2.3 LSB。4倍时间放大器的增益误差为8.2%。 展开更多
关键词 近阈值电源电压 时间数字转换器 动态阈值技术 时间放大器
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SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)
3
作者 Kim C S Burke F +3 位作者 Rambhatla A 赵阳 Zahurak J Parke S A 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2003年第4期59-62,共4页
描述了n 沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性 ,该器件制造采用了低功耗CMOSSOC工艺 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性能优于本体接地 (GB)和本体浮地 (FB)的MOSFET器件 .本器件... 描述了n 沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性 ,该器件制造采用了低功耗CMOSSOC工艺 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性能优于本体接地 (GB)和本体浮地 (FB)的MOSFET器件 .本器件具有无特性曲线缠绕、gm=93 6μS/ μm ,gout=3 6μS/ μm ,Ion/Ioff=2 10 μA/ 0 .1pA ,在Vdd=1V时fmax=3 2GHz的良好特性 ,特别适用于低电压嵌入式基频电路并具有对射频RF前端电路的极佳性能 ,因此可以使嵌入式DRAM、数字电路、模拟电路和RF射频电路混合于一体 ,用在超低功耗、低成本的SOC(系统集成 ) 展开更多
关键词 动态钳制电位DTMOS器件 系统集成芯片 嵌入式DRAM技术
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基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)
4
作者 Burke F Rambhatla A +1 位作者 Zahurak J Parke S A 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2003年第4期63-65,共3页
描述了用以进行n 沟道动态电位DTMOS半导体器件源极 /漏极载流子注入优化设计的实验结果 ,该器件制造采用了低成本 0 .15微米SOI和SOC(system on chip ,系统集成芯片 )技术 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .实验结果表明 ,本器件可... 描述了用以进行n 沟道动态电位DTMOS半导体器件源极 /漏极载流子注入优化设计的实验结果 ,该器件制造采用了低成本 0 .15微米SOI和SOC(system on chip ,系统集成芯片 )技术 ,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术 .实验结果表明 ,本器件可用来作为嵌入式超低压模拟电路和射频前端电路的混合电路芯片 ,并与嵌入式DRAM核心技术一起 ,作为超低压、低成本SOC(系统集成芯片 ) 展开更多
关键词 动态钳制电位DTMOS器件 嵌入式DRAM技术 系统集成芯片
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