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源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响
被引量：
13
1
作者
张冰
柴常春
杨银堂
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期8063-8070,共8页
基于对静电放电(electrostatic discharge,ESD)应力下高电压、大电流特性的研究,本文通过优化晶格自加热漂移-扩散模型和热力学模型,并应用优化模型建立了全新的0.6μm CSMC6S06DPDM-CT02CMOS工艺下栅接地NMOS(gate grounded NMOS,ggNMO...
基于对静电放电(electrostatic discharge,ESD)应力下高电压、大电流特性的研究,本文通过优化晶格自加热漂移-扩散模型和热力学模型,并应用优化模型建立了全新的0.6μm CSMC6S06DPDM-CT02CMOS工艺下栅接地NMOS(gate grounded NMOS,ggNMOS)ESD保护电路3D模型,对所建模型中漏接触孔到栅距离(drain contact togate spacing,DCGS)与源接触孔到栅距离(source contact to gate spacing,SCGS)对保护电路鲁棒性指标--开启电压、击穿电压、自热峰值等参数的影响进行了系统研究.仿真结果表明,DCGS和SCGS的改变对保护电路的开启电压和热平衡没有影响,而DCGS比起SCGS对保护电路的击穿电压和器件的自热峰值敏感度更高,但持续增大DCGS和SCGS并不能单调提升保护电路的击穿电压值以及降低器件的自热峰值,因此不宜单一通过增大DCGS和SCGS的方式来改善ESD保护电路的鲁棒性.仿真结果与0.5μm和0.6μm CMOS工艺流片的传输线脉冲(transmission line pulse,TLP)测试结果对比显示,本文建立模型的仿真结果较好地反映了保护电路在ESD条件下的电、热特性趋势,其结论与测试结果符合.本文的研究结果为次亚微米ggNMOS ESD保护电路版图设计中的参数选取提供了依据.
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关键词
栅接地NMOS
静电放电
漏接触孔到栅的距离
源接触孔到栅的距离
原文传递
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
2
作者
吴晓鹏
杨银堂
+1 位作者
董刚
高海霞
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期26-30,共5页
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间...
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.
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关键词
漏极接触孔到栅间距
静电放电
栅接地N型金属氧化物半导体
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职称材料
题名
源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响
被引量：
13
1
作者
张冰
柴常春
杨银堂
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期8063-8070,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题~~
文摘
基于对静电放电(electrostatic discharge,ESD)应力下高电压、大电流特性的研究,本文通过优化晶格自加热漂移-扩散模型和热力学模型,并应用优化模型建立了全新的0.6μm CSMC6S06DPDM-CT02CMOS工艺下栅接地NMOS(gate grounded NMOS,ggNMOS)ESD保护电路3D模型,对所建模型中漏接触孔到栅距离(drain contact togate spacing,DCGS)与源接触孔到栅距离(source contact to gate spacing,SCGS)对保护电路鲁棒性指标--开启电压、击穿电压、自热峰值等参数的影响进行了系统研究.仿真结果表明,DCGS和SCGS的改变对保护电路的开启电压和热平衡没有影响,而DCGS比起SCGS对保护电路的击穿电压和器件的自热峰值敏感度更高,但持续增大DCGS和SCGS并不能单调提升保护电路的击穿电压值以及降低器件的自热峰值,因此不宜单一通过增大DCGS和SCGS的方式来改善ESD保护电路的鲁棒性.仿真结果与0.5μm和0.6μm CMOS工艺流片的传输线脉冲(transmission line pulse,TLP)测试结果对比显示,本文建立模型的仿真结果较好地反映了保护电路在ESD条件下的电、热特性趋势,其结论与测试结果符合.本文的研究结果为次亚微米ggNMOS ESD保护电路版图设计中的参数选取提供了依据.
关键词
栅接地NMOS
静电放电
漏接触孔到栅的距离
源接触孔到栅的距离
Keywords
gate
grounded
NMOS
（
ggNMOS）
electrostatic
discharge
（
ESD）
drain
contact
to
gate
spacing
（
dcgs
）
source
contact
to
gate
spacing
（SCGS）
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
2
作者
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期26-30,共5页
基金
国家部委预研究基金资助项目(9140A23060111)
陕西省科技统筹创新工程计划资助项目(2011KTCQ01-19)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051325011)
文摘
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.
关键词
漏极接触孔到栅间距
静电放电
栅接地N型金属氧化物半导体
Keywords
drain
contact
to
gate
space
（
dcgs
）
electrostatic
discharge
（ESD）
gate
grounded
NMOS（GGNMOS）
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响
张冰
柴常春
杨银堂
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
13
原文传递
2
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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