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大截面KDP晶体的生长与位错的检测 被引量:6
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作者 黄依森 赵庆兰 曾金波 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期158-164,共7页
本文介绍了大截而KDP杆晶的培养和单晶的生长以及用光学、X射线形貌术和双晶衍射方法对大截而[xy≥200×200(mm)~2]KDP晶体中位错密度的检测。并根据生长锥的形态对位错密度的影响,提出了对控制位错的看法。
关键词 磷酸二氢钾 晶体 晶体生长 位错
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REQUIREMENT OF SILICON FLATNESS FOR SILICON DIRECT BONDING TECHNOLOGY
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作者 黄庆安 付兴华 +1 位作者 陈军宁 童勤义 《Journal of Electronics(China)》 1994年第4期355-360,共6页
The influence of silicon slice flatness on bonding technology and the relation between a foreign particle and resulting bubble are quantitatively presented by the elastic theory. It is demonstrated experimentally by X... The influence of silicon slice flatness on bonding technology and the relation between a foreign particle and resulting bubble are quantitatively presented by the elastic theory. It is demonstrated experimentally by X-ray double crystal diffractometry and infrared imager. 展开更多
关键词 BONDING TECHNOLOGY SILICON material FLATNESS double crystal diffractometry
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Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体生长及结晶质量评价 被引量:1
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作者 杨波 介万奇 +1 位作者 张继军 白旭旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1220-1224,共5页
采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为+30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量,结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构,半峰宽为47.2arcsec,结晶质量良好。采用化学... 采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为+30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量,结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构,半峰宽为47.2arcsec,结晶质量良好。采用化学腐蚀方法显示了晶体中的多种缺陷,包括位错,Te夹杂和孪晶。采用光学显微镜,扫描电镜和X射线能谱仪对缺陷形态和分布进行了研究。结果表明,晶体中位错密度在10^5~10^6cm^-2之间。晶体局部存在%夹杂相,尺寸为1-5μm。晶体中孪晶主要以共格孪晶存在。并提出了缺陷形成的原因和减少缺陷的方法。 展开更多
关键词 Cd0.8Mn0.2Te X射线粉末衍射 X射线双晶摇摆曲线 位错 Te夹杂 孪晶
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