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稀土掺杂的BSTO/MgO铁电移相材料 被引量:5
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作者 杨春霞 周洪庆 +3 位作者 刘敏 吴红忠 朱海奎 蒋微波 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期6-8,共3页
为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10kHz)与高频(2.5GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明,掺杂摩... 为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10kHz)与高频(2.5GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求10kHz下,tgδ=4×10–4,T=14.6%;2.41GHz下,tgδ=6.7×10–3。 展开更多
关键词 无机陶瓷材料 钛酸锶钡/氧化镁 稀土氧化物掺杂 移相器 介电性能
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