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Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 被引量：3
1
作者 姜胜林 张海波 +1 位作者 刘梅冬 黄焱球 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期72-74,77,共4页
为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,... 为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 . 展开更多
关键词 Zno陶瓷薄膜 新型Sol-Gel方法 cr2o3掺杂 低压压敏特性
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二维钒掺杂Cr_(2)S_(3)纳米片的生长与磁性研究
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作者 杨瑞龙 张钰樱 +4 位作者 杨柯 姜琦涛 杨晓婷 郭金中 许小红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第24期100-106,共7页
二维磁性材料是近年来发展起来的新兴材料,在单层或者少层的原子厚度中以其独特的磁性特性和结构特征而备受关注.其中铁磁性材料在信息存储和处理等方面有着广泛的应用,所以当前研究主要集中在丰富二维铁磁数据库以及开发磁调制的修饰... 二维磁性材料是近年来发展起来的新兴材料,在单层或者少层的原子厚度中以其独特的磁性特性和结构特征而备受关注.其中铁磁性材料在信息存储和处理等方面有着广泛的应用,所以当前研究主要集中在丰富二维铁磁数据库以及开发磁调制的修饰策略上.本文通过常压化学气相沉积法在云母片衬底上成功生长出了二维钒掺杂Cr_(2)S_(3)纳米片,获得了钒源温度765℃和质量0.010 g为纳米片生长情况最适中条件,并通过光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、X射线能谱、X射线光电子能谱对纳米片进行表征.同时掺杂样品的磁性表征表明钒掺杂后样品居里转变温度变为105 K,由亚铁磁性变为铁磁性,矫顽力也显著增大,证明钒掺杂可以有效地调控Cr_(2)S_(3)纳米片的磁性.这些研究结果将有望推动钒掺杂Cr_(2)S_(3)材料向着实际应用的的可能性,成为下一代自旋电子应用的理想候选材料之一. 展开更多
关键词 二维磁性材料 化学气相沉积 钒掺杂cr_(2)S_(3) 铁磁性
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