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非线性光导开关中的高场畴机制
被引量:
4
1
作者
刘鸿
《成都大学学报(自然科学版)》
2007年第3期228-231,共4页
应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特征现象——电流丝与气体放电中的放电现象相比较,合理地提出了一个重要的物理模型:畴电子崩.这一概念是...
应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特征现象——电流丝与气体放电中的放电现象相比较,合理地提出了一个重要的物理模型:畴电子崩.这一概念是系统全面地描述非线性光导开关的物理机制的基础.
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关键词
空间电荷
多能谷结构
转移电子效应
高场畴
畴电子崩
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职称材料
题名
非线性光导开关中的高场畴机制
被引量:
4
1
作者
刘鸿
机构
成都大学电子信息工程学院
出处
《成都大学学报(自然科学版)》
2007年第3期228-231,共4页
文摘
应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特征现象——电流丝与气体放电中的放电现象相比较,合理地提出了一个重要的物理模型:畴电子崩.这一概念是系统全面地描述非线性光导开关的物理机制的基础.
关键词
空间电荷
多能谷结构
转移电子效应
高场畴
畴电子崩
Keywords
space
charge
multi-energy
valley
structure
transferred-
electron
effect
high-field
domain
domain
electron
avalanches
分类号
TN015 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非线性光导开关中的高场畴机制
刘鸿
《成都大学学报(自然科学版)》
2007
4
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