期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
直接带隙半导体系统中的磁相互作用
1
作者 孙放 唐政 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期31-36,共6页
运用精确的量子蒙特卡洛技术,研究了直接带隙半导体系统(Haldane-Anderson模型)中的磁相互作用.精确的数值解揭示了两种截然不同的自旋关联函数,均没有显示出明显的RKKY振荡行为;并且随着不同参数的变化,自旋关联函数呈现相当复杂的多... 运用精确的量子蒙特卡洛技术,研究了直接带隙半导体系统(Haldane-Anderson模型)中的磁相互作用.精确的数值解揭示了两种截然不同的自旋关联函数,均没有显示出明显的RKKY振荡行为;并且随着不同参数的变化,自旋关联函数呈现相当复杂的多因素控制的显著特征.这些行为对于理解一些磁性的半导体系统会有很大帮助,例如,稀磁半导体等. 展开更多
关键词 量子蒙特卡洛 直接带隙半导体 Haldane-Anderson模型 RKKY
下载PDF
薄膜太阳能电池的研究与应用进展 被引量：9
2
作者 林源 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期57-60,共4页
薄膜太阳能电池是全球光伏领域争相研发的焦点之一。介绍并探讨了目前最受瞩目的四大类薄膜太阳能电池的研究现状和应用进展。进而从产业化发展的角度,对各种薄膜太阳能电池的优缺点进行了简单评述。
关键词 薄膜太阳能 直接带隙半导体 光电能量转换 电池材料
下载PDF
二维硒化钼薄膜的研究进展 被引量：5
3
作者 张强 马锡英 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第11期719-725,共7页
少数层MoSe_2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe_2二维材料的特性,简述了MoSe_2二维纳米材料的主要制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积(CVD)法和分子束外延(MBE)法。MoSe_2材料可形成直接... 少数层MoSe_2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe_2二维材料的特性,简述了MoSe_2二维纳米材料的主要制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积(CVD)法和分子束外延(MBE)法。MoSe_2材料可形成直接带隙半导体材料,MoSe_2场效应管应用了MoSe_2材料良好的电学特性,由于MoSe_2材料具有优异的光学特性,因此可用于制作二次谐波器。介绍了MoSe_2二维材料中光二次谐波的产生及相关特性,并列举了MoSe_2二维材料在晶体管、光学探测器方面现有的研究及应用。最后指出,提升制备效率是使MoSe_2材料得到广泛应用的必备条件。 展开更多
关键词 MoSe2 直接带隙半导体 二维纳米材料 化学气相沉积(CVD)法 层状结构 光学二次谐波
下载PDF
直接带隙半导体In_(2)(PS_(3))_(3)单层结构与电子特性的第一性原理研究 被引量：1
4
作者 周德让 王冰 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第3期173-180,共8页
高载流子迁移率和可调直接带隙是低维电子器件应用的两个关键特性.但目前发现的此类二维材料稀少.鉴于此在第一性原理计算的基础上,本文系统研究了In_(2)(PS_(3))_(3)单层的稳定性、电子结构性质和机械性质.研究结果表明,In_(2)(PS_(3))... 高载流子迁移率和可调直接带隙是低维电子器件应用的两个关键特性.但目前发现的此类二维材料稀少.鉴于此在第一性原理计算的基础上,本文系统研究了In_(2)(PS_(3))_(3)单层的稳定性、电子结构性质和机械性质.研究结果表明,In_(2)(PS_(3))_(3)单层是具有直接带隙的半导体材料(1.58 eV).在-3%到3%应变下,In_(2)(PS_(3))_(3)单层的带隙是可以调节的(1.3~1.8 eV).声子谱、分子动力学和弹性常数的计算结果表明,In_(2)(PS_(3))_(3)单层是热力学、动力学和机械稳定的.此外,In_(2)(PS_(3))_(3)单层的剥离能(0.21 J m^(-2))小于石墨烯的剥离能(0.36 J m^(-2)),有望像石墨烯一样机械剥离得到.这些优异的的性能使得In_(2)(PS_(3))_(3)单层有望成为未来纳米光电子设备的候选材料之一. 展开更多
关键词 直接带隙半导体 第一性原理 剥离能 稳定性
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部