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薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响 被引量：9
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作者 朱继国 柴卫平 +4 位作者 王华林 张树旺 刘世民 张粲 汪亚辉 《光学仪器》 2008年第3期55-59,共5页
采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜，研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜的电阻率先降低后增加，在厚度284．3nm处电阻率最低，为7．3×10^-4Ω·... 采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜，研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜的电阻率先降低后增加，在厚度284．3nm处电阻率最低，为7．3×10^-4Ω·cm。不同厚度的Mo薄膜在各个波长处（200～840nm）反射率都随波长的增加而增大。随着薄膜厚度的增加，平均反射率总的呈下降趋势，在薄膜厚度284．3nm时出现一反射率高峰，其在200-840nm波长范围内的平均反射率达43．33％。 展开更多
关键词 MO薄膜 直流脉冲磁控溅射(DC-PMS) 电阻率 反射率
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