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一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器
被引量:
5
1
作者
谢媛媛
陈凤霞
高学邦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期580-585,共6页
微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设...
微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。
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关键词
微波单片集成电路(MMIC)
超小型
数字衰减器
GaAs
E/D
PHEMT
直接耦合场效应晶体管逻辑(
dcfl
)单元
下载PDF
职称材料
题名
一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器
被引量:
5
1
作者
谢媛媛
陈凤霞
高学邦
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期580-585,共6页
文摘
微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。
关键词
微波单片集成电路(MMIC)
超小型
数字衰减器
GaAs
E/D
PHEMT
直接耦合场效应晶体管逻辑(
dcfl
)单元
Keywords
microwave
monolithic
integrated
circuit(MMIC)
microminiature
digital
attenuator
Ga
As
E/D
PHEMT
direct
coupled
field
-
effect
-
transistor
logic
(
dcfl
)
unit
分类号
TN715 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器
谢媛媛
陈凤霞
高学邦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
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职称材料
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