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钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究 被引量:1
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作者 黄红伟 DONG Ming +1 位作者 YE Zuo-Guang 冯锡淇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期29-34,共6页
完成了钆离子(Gd3++)掺杂钨酸铅晶体在40~600℃、1~106Hz范围内介电性能的测量.在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰,记为α峰,其激活能为050±0,01eV,频率因子v=1.44×109.而在降... 完成了钆离子(Gd3++)掺杂钨酸铅晶体在40~600℃、1~106Hz范围内介电性能的测量.在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰,记为α峰,其激活能为050±0,01eV,频率因子v=1.44×109.而在降温过程中,除α峰外还出现了另一介电弛豫峰,记为β峰,其激活能为 0.51±0.2eV,频率因子V=2.44×106.α峰和 β 峰均可用 Debye方程来描述,而其相对强度呈此消彼长的趋势.分析了Gd:PWO中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系,并讨论了它们与PWO晶体闪烁性能变化之间的关系. 展开更多
关键词 介电驰豫 钨酸铅晶体 偶极缺陷 掺杂 介电性能 固体闪烁晶体 闪烁性能
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