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单面纳米结构金膜的制备
被引量：
1
1
作者
霍钟祺
季欣
+2 位作者
董元伟
周辉
徐伟
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期567-571,577,共6页
提出一种基于界面扩散过程制备金膜表面纳米结构的方法.采用真空热蒸发方法依次蒸镀金和铜双层膜,经过热退火处理,再用化学腐蚀方法除去铜组分来制备单面纳米孔金膜.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并比较了退火温度以及退火时间对...
提出一种基于界面扩散过程制备金膜表面纳米结构的方法.采用真空热蒸发方法依次蒸镀金和铜双层膜,经过热退火处理,再用化学腐蚀方法除去铜组分来制备单面纳米孔金膜.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并比较了退火温度以及退火时间对纳米结构的影响.研究还发现,当这种具有纳米结构的金膜吸附有单分子层的对甲基苯硫酚或者4,4′-联吡啶分子后,能观察到明显的表面拉曼增强效应.制膜方法工艺简单,成本低,能制备大面积纳米结构金膜,且这种纳米结构的金膜在分子探测方面有应用前景.
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关键词
纳米孔金膜
界面扩散
化学刻蚀
单分子层有机薄膜
表面拉曼增强
原文传递
磁控溅射沉积铝/贫铀与金/贫铀镀层的界面研究
被引量：
1
2
作者
易泰民
邢丕峰
+7 位作者
郑凤成
梅鲁生
杨蒙生
赵利平
李朝阳
谢军
杜凯
马坤全
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期392-398,共7页
采用磁控溅射技术沉积制铝/贫铀/铝(Al/DU/Al)、金/贫铀/金(Au/DU/Au)"三明治"薄膜样品.利用高分辨扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、扫描俄歇微探针对Al/DU/Al,Au/DU/Au样品的Al/DU,Au/DU界面行为进行表征与研究....
采用磁控溅射技术沉积制铝/贫铀/铝(Al/DU/Al)、金/贫铀/金(Au/DU/Au)"三明治"薄膜样品.利用高分辨扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、扫描俄歇微探针对Al/DU/Al,Au/DU/Au样品的Al/DU,Au/DU界面行为进行表征与研究.结果表明:沉积态DU层以柱状晶生长;Al/DU界面扩散明显,物理扩散过程中伴随着Al,DU化学反应形成Al2U,Al3U金属化合物;金属化合物的形成导致界面处Al2p电子结合能向高能端移动,U4f电子向低能端移动;微量O在Al/DU界面处以Al2O3及铀氧化物形式存在;DU镀层中以铀氧化形式存在;沉积态的Au/DU界面扩散为简单的物理扩散,团簇效应导致Au/DU界面处Al2p,U4f电子结合能均向高能端移动;在Au/DU界面及DU镀层中,微量O以铀氧化物形式存在;Al/DU界面扩散强于Au/DU;相同厚度的Al,Au保护镀层,Al镀层保护效果优于Au镀层.
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关键词
AL
DU界面
AU
DU界面
磁控溅射
界面扩散
原文传递
GaAs上Ge薄膜的性能研究
3
作者
杨茹
任永玲
+2 位作者
李国辉
阎凤章
朱红清
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期180-182,共3页
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行...
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 .
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关键词
Ge/GaAs
白光快速退火
再结晶
界面扩散
光纤通信
光电材料
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职称材料
题名
单面纳米结构金膜的制备
被引量：
1
1
作者
霍钟祺
季欣
董元伟
周辉
徐伟
机构
复旦大学材料科学系
出处
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期567-571,577,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60171008)
上海市科委纳米专项基金资助项目(0452nm087)
文摘
提出一种基于界面扩散过程制备金膜表面纳米结构的方法.采用真空热蒸发方法依次蒸镀金和铜双层膜,经过热退火处理,再用化学腐蚀方法除去铜组分来制备单面纳米孔金膜.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并比较了退火温度以及退火时间对纳米结构的影响.研究还发现,当这种具有纳米结构的金膜吸附有单分子层的对甲基苯硫酚或者4,4′-联吡啶分子后,能观察到明显的表面拉曼增强效应.制膜方法工艺简单,成本低,能制备大面积纳米结构金膜,且这种纳米结构的金膜在分子探测方面有应用前景.
关键词
纳米孔金膜
界面扩散
化学刻蚀
单分子层有机薄膜
表面拉曼增强
Keywords
nanoporous
gold
film
diffusion
at
interface
chemical
etching
mono-layer
organic
film
surface-enhanced
Raman
sc
at
tering
分类号
O621.23 [理学—有机化学]
O475 [理学—化学]
原文传递
题名
磁控溅射沉积铝/贫铀与金/贫铀镀层的界面研究
被引量：
1
2
作者
易泰民
邢丕峰
郑凤成
梅鲁生
杨蒙生
赵利平
李朝阳
谢军
杜凯
马坤全
机构
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期392-398,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:51006093)资助的课题~~
文摘
采用磁控溅射技术沉积制铝/贫铀/铝(Al/DU/Al)、金/贫铀/金(Au/DU/Au)"三明治"薄膜样品.利用高分辨扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、扫描俄歇微探针对Al/DU/Al,Au/DU/Au样品的Al/DU,Au/DU界面行为进行表征与研究.结果表明:沉积态DU层以柱状晶生长;Al/DU界面扩散明显,物理扩散过程中伴随着Al,DU化学反应形成Al2U,Al3U金属化合物;金属化合物的形成导致界面处Al2p电子结合能向高能端移动,U4f电子向低能端移动;微量O在Al/DU界面处以Al2O3及铀氧化物形式存在;DU镀层中以铀氧化形式存在;沉积态的Au/DU界面扩散为简单的物理扩散,团簇效应导致Au/DU界面处Al2p,U4f电子结合能均向高能端移动;在Au/DU界面及DU镀层中,微量O以铀氧化物形式存在;Al/DU界面扩散强于Au/DU;相同厚度的Al,Au保护镀层,Al镀层保护效果优于Au镀层.
关键词
AL
DU界面
AU
DU界面
磁控溅射
界面扩散
Keywords
Al/DU
interface
Au/DU
interface
magnetron
sputtering
diffusion
at
interface
分类号
TL632.1 [核科学技术—核技术及应用]
原文传递
题名
GaAs上Ge薄膜的性能研究
3
作者
杨茹
任永玲
李国辉
阎凤章
朱红清
机构
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期180-182,共3页
基金
北京市自然科学基金!资助项目 (4 992 0 0 4)
北京市科技院萌芽计划资助
文摘
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 .
关键词
Ge/GaAs
白光快速退火
再结晶
界面扩散
光纤通信
光电材料
Keywords
Ge/GaAs
RTA
recrystalize
inter-
diffusion
at
interface
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
TN929.11
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单面纳米结构金膜的制备
霍钟祺
季欣
董元伟
周辉
徐伟
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
原文传递
2
磁控溅射沉积铝/贫铀与金/贫铀镀层的界面研究
易泰民
邢丕峰
郑凤成
梅鲁生
杨蒙生
赵利平
李朝阳
谢军
杜凯
马坤全
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
原文传递
3
GaAs上Ge薄膜的性能研究
杨茹
任永玲
李国辉
阎凤章
朱红清
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
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