掺杂Bi_2O_3对钛酸锶钡铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响 被引量：5

1

作者 许春来 周和平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期178-181,共4页

BSTO铁电陶瓷材料的介电常数随外加直流偏压的变化呈现非线性特性。纯BSTO材料由于较高的介电常数和较大的介电损耗不能满足移相器介质材料的要求,通过在BSTO中添加Bi_2O_3来改善BSTO铁电陶瓷材料的介电性能。结果表明:(1)在BSTO体系中... BSTO铁电陶瓷材料的介电常数随外加直流偏压的变化呈现非线性特性。纯BSTO材料由于较高的介电常数和较大的介电损耗不能满足移相器介质材料的要求,通过在BSTO中添加Bi_2O_3来改善BSTO铁电陶瓷材料的介电性能。结果表明:(1)在BSTO体系中微量掺杂Bi_2O_3,Bi^(3+)以取代Ba^(2+)的方式存在于钙钛矿的晶格中,形成均匀的固溶体Ba_(0.5-x)Bi_xSr_(0.5)TiO_3;(2)随Bi^(3+)添加量的增加,居里峰逐渐变宽,峰高逐渐降低,相变弥散效应增强;(3)Bi^(3+)的掺杂能细化晶粒,并显著降低BSTO体系的介电常数。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 介电可调性 铁电材料 移相器

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锆钛酸钡陶瓷的制备与介电性能研究 被引量：6

2

作者 孟玲 姚国光 +4 位作者 张丹 丁兰芳 马建立 刘鹏 陈一玮 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期28-31,共4页

采用传统电子陶瓷工艺，制备了Ba（ZrxTi1-x）O3（BZT，x=0．20，0．25，0．30）铁电陶瓷，研究了不同Zr含量对陶瓷微观结构、介电性能和介电可调度的影响．结果表明，不同频率下陶瓷样品的介电温谱显示Ba（ZrxTi1-x）O3材料具有弥散相... 采用传统电子陶瓷工艺，制备了Ba（ZrxTi1-x）O3（BZT，x=0．20，0．25，0．30）铁电陶瓷，研究了不同Zr含量对陶瓷微观结构、介电性能和介电可调度的影响．结果表明，不同频率下陶瓷样品的介电温谱显示Ba（ZrxTi1-x）O3材料具有弥散相变的特征，当x=0．3时，已成为典型的弛豫型铁电体；温度为193～323K时，材料的介电可调度测量表明所有样品介电可调度均在10％以上，且在铁电态和居里温区附近介电可调度明显高于顺电态．从铁电畴、极性纳米微区的角度出发对实验结果进行了解释．发现室温（300K）时样品x=0．25的介电可调度可达49．5％，优化因子为49．11（1．5kV／mm，10kHz）． 展开更多

关键词 锆钛酸钡 相变弥散 介电可调度 优化因子

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高电场下弛豫铁电体的场致效应 被引量：5

3

作者 陈勇 卞梦云 +6 位作者 张灿灿 陈琪 骆迁 黄镇 曹万强 潘瑞琨 祁亚军 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期32-38,共7页

弛豫铁电体在热释电、介电、电场调制微波器件和电致伸缩器件方面有着广泛的应用.这些应用均涉及电场的作用.因电场会导致极化强度增大,并连续地延伸到顺电相,从而产生了电场诱导效应.用弯曲近似法对极化强度在电场作用下随温度的连续... 弛豫铁电体在热释电、介电、电场调制微波器件和电致伸缩器件方面有着广泛的应用.这些应用均涉及电场的作用.因电场会导致极化强度增大,并连续地延伸到顺电相,从而产生了电场诱导效应.用弯曲近似法对极化强度在电场作用下随温度的连续变化做近似,得到了介电系数峰值在高场下随电场2/3次方的变化规律.与介电峰在电场作用下移动的实验结果基本一致.理论数值模拟发现:存在一个与热力学参量相关的极化温度系数,其值越大,场致介电移峰效应越小,且热释电系数越大;反之,如果场致介电移峰效应越大,电场调制微波器件的介电可调性及可调性的温度稳定性会越好.上述研究结果对掺杂改性研究微波器件的介电可调性和热释电性有一定的参考作用. 展开更多

关键词 铁电体 场致效应 热释电系数 介电可调性

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溶胶-凝胶法制备的钛酸锶钡超细粉体的结构与性能 被引量：2

4

作者 许春来 周和平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期24-27,共4页

采用溶胶-凝胶法制备了不同Ba/Sr比的BST粉体,研究了粉体的热处理制度,粉体及其烧结体的微观结构,烧结体的介电性能以及居里温度与组成的关系等。研究结果表明用溶胶-凝胶法制备的BST超细粉体,由于其尺寸细小,粉体的比表面积很大,因而... 采用溶胶-凝胶法制备了不同Ba/Sr比的BST粉体,研究了粉体的热处理制度,粉体及其烧结体的微观结构,烧结体的介电性能以及居里温度与组成的关系等。研究结果表明用溶胶-凝胶法制备的BST超细粉体,由于其尺寸细小,粉体的比表面积很大,因而烧结活性更高,在1350℃烧成4h可获得结构致密的单一钙钛矿相的瓷体。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 陶瓷微粉 烧结活性 介电性能

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弛豫铁电体介电可调性的研究 被引量：2

5

作者 尚勋忠 陈威 曹万强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期449-453,共5页

无铅弛豫铁电体具有较好的介电可调性,在顺电相有较大的介电常数和极小的损耗,因较大的优值而被广泛地用于微波器件.根据现有的介电可调性理论,通过参量的适当修正,对介电可调性的表达式做了合理的探讨,结论适用于处理实验结果.比较发现... 无铅弛豫铁电体具有较好的介电可调性,在顺电相有较大的介电常数和极小的损耗,因较大的优值而被广泛地用于微波器件.根据现有的介电可调性理论,通过参量的适当修正,对介电可调性的表达式做了合理的探讨,结论适用于处理实验结果.比较发现,在电场作用下顺电相保持不变的近似得出的结论与实验结果差距较大,而转化为铁电相与实验结果完全吻合.考虑外加电场和自发极化对弹性吉布斯自由能的修正,导出了高电场对介电常数的修正关系,与实验结果相符.提出了介电可调度的概念与计算公式,能够定量表示掺杂对介电可调性的影响. 展开更多

关键词 弛豫铁电体 介电可调性 可调度

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高度(100)取向的BST薄膜及其高介电调谐率 被引量：3

6

作者 蒋力立 黄开胜 +1 位作者 唐新桂 陈王丽华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期29-31,34,共4页

用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST3... 用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST35的最大εr和调谐率分别达到810 和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的εr和调谐率最大分别达到875和63%.薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率. 展开更多

关键词 无机非金属材料 钛酸锶钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值

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纳米晶Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜的外延生长与介电特性 被引量：3

7

作者 杨中服 唐新桂 《广东工业大学学报》 CAS 2008年第1期11-14,共4页

用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.... 用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90 nm,表面均方根粗糙度为4.3 nm,说明薄膜表面平整.在室温、100 kHz和500 kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%. 展开更多

关键词 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 外延生长 介电调谐特性

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K掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能 被引量：2

8

作者 邹隽 孙小华 +1 位作者 徐晓飞 王强 《三峡大学学报（自然科学版）》 CAS 2009年第4期76-79,共4页

采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的晶型未改变,介电常数降低及介电损耗减小.1 MHz时,随K... 采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的晶型未改变,介电常数降低及介电损耗减小.1 MHz时,随K含量的从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.058,其微波介电综合性能改善. 展开更多

关键词 钛酸锶铅 K掺杂 薄膜 Sol—Gel 介电调谐

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溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响 被引量：1

9

作者 黎彬 赵华 +1 位作者 杨天应 蒋书文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期12-15,共4页

采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺... 采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。 展开更多

关键词 铌酸铋镁(BMN)薄膜 射频磁控溅射 介电调谐率 介质损耗

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粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn_(0.15)Ti_(0.85)O_3薄膜及其性能研究 被引量：1

10

作者 肖渊渊 黄玉音 朱归胜 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2013年第3期260-262,共3页

采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜。薄膜的沉积速度达到40nm/min,比采用传统陶瓷靶材射频磁控溅射技术的沉积速度高出1个数量级。在10kHz～1MHz的测试条件下,薄膜的介电常数随... 采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜。薄膜的沉积速度达到40nm/min,比采用传统陶瓷靶材射频磁控溅射技术的沉积速度高出1个数量级。在10kHz～1MHz的测试条件下,薄膜的介电常数随着频率的增加而减少,介电损耗均小于0.02;在-5～5V的偏置电压下,介电可调比达到59.3%。实验结果表明采用粉末靶材射频磁控溅射技术可以实现高品质铁电薄膜的快速沉积。 展开更多

关键词 BaSn0 15Ti0 85O3薄膜 射频磁控溅射法 粉末靶材 介电可调

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LaAlO_3(110)基片上BST薄膜的制备及性能研究 被引量：1

11

作者 王波 杨传仁 +3 位作者 陈宏伟 张继华 余桉 张瑞婷 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第1期106-108,122,共4页

采用射频磁控溅射法在LaAlO3(110)单晶基片上制备了钛酸锶钡薄膜材料。薄膜在800℃退火30 min,结晶优良,薄膜与基片匹配良好,同时由于基片的诱导作用,薄膜在(110)方向有一定的择优取向。测得薄膜的剩余极化强度Pr=1.37μC/cm2,矫顽电场... 采用射频磁控溅射法在LaAlO3(110)单晶基片上制备了钛酸锶钡薄膜材料。薄膜在800℃退火30 min,结晶优良,薄膜与基片匹配良好,同时由于基片的诱导作用,薄膜在(110)方向有一定的择优取向。测得薄膜的剩余极化强度Pr=1.37μC/cm2,矫顽电场强度EC=31.7 kV/cm。对比不同频率下的偏压特性,100 kHz时薄膜具有最高的优值因子F,为23.4。对介电损耗在1 MHz时的增大,作出了初步的解释。 展开更多

关键词 钛酸锶钡(BST) 射频磁控溅射 调谐率 优值因子

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PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜 被引量：1

12

作者 唐新桂 梁建烈 +2 位作者 农亮勤 熊惠芳 陈王丽华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期46-48,51,共4页

用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz... 用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz和3×105 V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%。薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配。 展开更多

关键词 无机非金属材料 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值

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硅片上集成高介电调谐率的柱状纳米晶BaTiO_(3)铁电薄膜 被引量：1

13

作者 赵玉垚 欧阳俊 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期596-602,共7页

钛酸钡(BaTiO_(3))具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能,在微电子机械系统和集成电路领域具有广泛的应用。降低BaTiO_(3)薄膜的制备温度使其与现有的CMOS-Si工艺兼容,已成为应用研究和技术开发中亟需解决的问题。本研究引入与BaTi... 钛酸钡(BaTiO_(3))具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能,在微电子机械系统和集成电路领域具有广泛的应用。降低BaTiO_(3)薄膜的制备温度使其与现有的CMOS-Si工艺兼容,已成为应用研究和技术开发中亟需解决的问题。本研究引入与BaTiO_(3)晶格常数相匹配的LaNiO_(3)作为缓冲层,以调控其薄膜结晶取向,在单晶Si(100)基底上450℃溅射制备了结构致密的柱状纳米晶BaTiO_(3)薄膜。研究表明:450℃溅射温度在保持连续柱状晶结构和(001)择优取向的前提下,能获得相对较大的柱状晶粒(平均晶粒直径27 nm),一定残余应变也有助于其获得较好的铁电和介电性能。剩余极化强度和最大极化强度分别达到了7和43μC·cm^(-2)。该薄膜具有良好的绝缘性,在0.8 MV·cm^(-1)电场下,漏电流密度仅为10^(-5) A·cm^(-2)。其相对介电常数εr展现了优异的频率稳定性:在1 kHz时εr为155,当测试频率升至1 MHz,εr仅轻微降低至145。薄膜的介电损耗较小,约为0.01~0.03(1 kHz~1 MHz)。通过电容-电压测试,该薄膜材料展示出高达51%的介电调谐率,品质因子亦达到17(@1 MHz)。本研究所获得的BaTiO_(3)薄膜在介电调谐器件中有着良好的应用前景。 展开更多

关键词 硅 BaTiO_(3) 铁电薄膜 柱状纳米晶 介电调谐率 品质因子

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(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3/LaNiO_3异质薄膜的介电调谐特性 被引量：1

14

作者 熊惠芳 唐新桂 +1 位作者 蒋力立 陈王丽华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期80-82,86,共4页

用脉冲激光沉积工艺制备（Ba0.5Sr0．5）TiO3（简称BST）薄膜和（Ba0.5Sr0．5）TiO3／LaNiO3（简称BST／LNO）薄膜。在650℃原位退火10min，获得了（100）和（110）择优取向生长的BST和BST／LNO薄膜，薄膜晶粒呈柱状结构，BST薄膜和BST... 用脉冲激光沉积工艺制备（Ba0.5Sr0．5）TiO3（简称BST）薄膜和（Ba0.5Sr0．5）TiO3／LaNiO3（简称BST／LNO）薄膜。在650℃原位退火10min，获得了（100）和（110）择优取向生长的BST和BST／LNO薄膜，薄膜晶粒呈柱状结构，BST薄膜和BST／LNO异质结构薄膜的晶粒尺寸分别为150～200nm和50～80nm。在室温和1MHz条件下，BST薄膜和BST／LNO异质结构薄膜的相对介电常数和介电调谐率分别达811和58．9%、986和60．1%；用LNO作底电极，可增益介电常数和介电调谐率。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 钛酸锶钡薄膜 异质结构 介电调谐率 探测优值

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Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能

15

作者 张凯 蒋书文 +2 位作者 程鹏 张鹰 齐增亮 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期33-35,共3页

用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz... 用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。 展开更多

关键词 无机非金属材料 Cd掺杂BZCN薄膜 射频磁控溅射 介电性能 介电可调率

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Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7/Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3复合薄膜介电性能的频率特性研究

16

作者 李汝冠 高莉彬 蒋书文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期26-30,共5页

采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备了Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)/Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)双层复合薄膜,并研究了该薄膜在100 kHz^6 GHz频率范围内的介电性能。研究结果表明,BZN/BST复合薄膜的介电性能具有良好的频率稳定性。该复合薄膜的... 采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备了Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)/Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)双层复合薄膜,并研究了该薄膜在100 kHz^6 GHz频率范围内的介电性能。研究结果表明,BZN/BST复合薄膜的介电性能具有良好的频率稳定性。该复合薄膜的介电常数在研究的频率范围内基本与频率无关;其介电损耗在频率低于1 GHz时与频率无关,在频率高于1 GHz时随频率的上升而略微增大;薄膜在研究的频率范围内具有稳定的介电调谐率。 展开更多

关键词 频率特性 介电调谐 介电损耗 介电常数 铌酸锌铋(BZN) 钛酸锶钡(BST)

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氟化钙掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构和介电性能的影响

17

作者 刘珊珊 赵玉珍 +1 位作者 王希林 周和平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期403-406,共4页

研究了Ca F2掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4Ti O3,BSTO)陶瓷的结构和介电性能的影响。采用传统烧结工艺制备了Ca F2掺杂的BSTO陶瓷,对其晶体结构、微观形貌和介电性能进行了研究。XRD结果显示,Ca F2掺杂BSTO陶瓷为钙钛矿结构,当掺杂量≥3%(... 研究了Ca F2掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4Ti O3,BSTO)陶瓷的结构和介电性能的影响。采用传统烧结工艺制备了Ca F2掺杂的BSTO陶瓷,对其晶体结构、微观形貌和介电性能进行了研究。XRD结果显示,Ca F2掺杂BSTO陶瓷为钙钛矿结构,当掺杂量≥3%(质量分数)时,基体中出现第二相Ba Ca Ti O4。添加少量Ca F2(0.5%)可明显减小晶粒尺寸,随掺杂量继续增加,晶粒尺寸变化不明显。Ca F2掺杂降低了BSTO陶瓷的介电常数和介电可调性,减小了其介电损耗,提高了材料的综合使用性能。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 介电常数 介电可调性 Ca F2掺杂

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溶胶-凝胶法制备(Ba,Sr,Ca)TiO_3薄膜及其介电调谐性能分析

18

作者 秦伟 吴文彪 +2 位作者 朱伟诚 程晋荣 孟中岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1343-1346,共4页

本文采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了(Ba0.6Sr0.4)1-xCaxTiO3(BSCT)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)薄膜。XRD及SEM结果表明表明,薄膜结晶良好,形成单一的钙钛矿结构,没有明显的裂缝。薄膜厚度大约为500nm。从介电常数和直流... 本文采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了(Ba0.6Sr0.4)1-xCaxTiO3(BSCT)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)薄膜。XRD及SEM结果表明表明,薄膜结晶良好,形成单一的钙钛矿结构,没有明显的裂缝。薄膜厚度大约为500nm。从介电常数和直流偏压电场的关系曲线上并没有滞后现象,这说明BSCT薄膜处于顺电相。随着x的增加,薄膜的介电常数、介电损耗和调谐率都有所下降,而优值有所提高。J-V特性表明Ca的加入显著降低了薄膜的漏电流。 展开更多

关键词 BSCT薄膜 溶胶-凝胶法 介电调谐 漏电流

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预极化对PST薄膜介电可调性的影响

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作者 郑赞 杜丕一 +2 位作者 赵冉 翁文剑 韩高荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A02期188-191,共4页

采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可... 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性大小与外加偏压施加顺序的关系。结果表明,该薄膜呈现单一的钙钛矿相结构。发现了在预先施加一个相对较高的预极化电场,薄膜在零电场下的介电常数得到了提高。预极化能更多地激发出介电薄膜中偶极子数目,增大了薄膜在零偏压处的介电常数,从而提高了薄膜的介电可调性,在不同的测试电压下可分别从提高3%到提高45%不等,测试电压越低,表现出来的这种提高就越大。 展开更多

关键词 Zn掺杂PST薄膜 预极化 介电可调

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掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能研究

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作者 邹隽 徐晓飞 +1 位作者 吴敏 张园 《山东陶瓷》 CAS 2009年第2期17-20,共4页

采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能。发现掺杂后薄膜的晶粒尺寸明显减小,介电常数降低及介电损耗减小。1MHz... 采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能。发现掺杂后薄膜的晶粒尺寸明显减小,介电常数降低及介电损耗减小。1MHz时,随K含量的从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.058,其微波介电综合性能改善。 展开更多

关键词 钛酸锶铅 K掺杂 薄膜 SOL-GEL 介电调谐

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