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直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜 被引量:20
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作者 金曾孙 姜志刚 +1 位作者 白亦真 吕宪义 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期9-12,共4页
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制... 建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm~ 5 0mm ,膜厚为~ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h~ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm~12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 。 展开更多
关键词 直流热阴极 PCVD法 制备 金刚石厚膜
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CVD金刚石厚膜的机械抛光及其残余应力的分析 被引量:20
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作者 徐锋 左敦稳 +3 位作者 王珉 黎向锋 卢文壮 彭文武 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期436-440,共5页
较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一。本文对CVD金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究。实验结果表明 ,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积。采用较大粒度的磨盘 ,适当增加转速和压力有利... 较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一。本文对CVD金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究。实验结果表明 ,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积。采用较大粒度的磨盘 ,适当增加转速和压力有利于提高抛光的效率。此外用XRD方法对机械抛光前后的膜的残余应力进行了测定和对比分析 ,结果表明 ,经过机械抛光 ,残余拉应力明显减小。 展开更多
关键词 CVD 金刚石厚膜 机械抛光技术 残余应力 XRD
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金刚石涂层刀具铣削高硅铝合金的性能研究 被引量:11
3
作者 杨小璠 李友生 +2 位作者 鄢国洪 李超 许志龙 《工具技术》 2012年第5期7-10,共4页
选用未涂层、TiAlN涂层及金刚石涂层整体硬质合金两刃平头立铣刀,在相同切削参数下进行高硅铝合金的高速铣削加工试验。试验结果表明:金刚石涂层铣刀具有良好的耐磨性,在切削过程中刀刃磨损均匀缓慢,刀具使用寿命长,加工表面粗糙度值稳... 选用未涂层、TiAlN涂层及金刚石涂层整体硬质合金两刃平头立铣刀,在相同切削参数下进行高硅铝合金的高速铣削加工试验。试验结果表明:金刚石涂层铣刀具有良好的耐磨性,在切削过程中刀刃磨损均匀缓慢,刀具使用寿命长,加工表面粗糙度值稳定性好,是铣削高硅铝合金的理想刀具。 展开更多
关键词 金刚石涂层 高硅铝合金 刀具寿命 表面粗糙度
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基于ANSYS的HFCVD金刚石厚膜的热应力分析 被引量:6
4
作者 张海余 左敦稳 +1 位作者 徐锋 闫静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期170-174,共5页
金刚石膜中的热应力会削弱金刚石薄膜与基底之间的粘结强度和金刚石膜的机械性能,更严重的会使CVD膜产生热裂纹甚至出现“炸膜”现象。本文根据HFCVD金刚石膜沉积过程中实际工作状态的边界条件,通过有限元软件ANSYS计算分析HFCVD金刚石... 金刚石膜中的热应力会削弱金刚石薄膜与基底之间的粘结强度和金刚石膜的机械性能,更严重的会使CVD膜产生热裂纹甚至出现“炸膜”现象。本文根据HFCVD金刚石膜沉积过程中实际工作状态的边界条件,通过有限元软件ANSYS计算分析HFCVD金刚石膜中的热应力分布,并通过实验进行了验证,获得了HFCVD膜中热应力的分布规律以及金刚石膜半径、厚度、沉积温度和冷却速度四项实验条件对热应力的影响。研究结果表明:热应力沿径向分布是不均匀的,在边缘部分有突变;金刚石膜的膜厚,冷却速度和沉积温度对金刚石膜中的热应力影响很大,而金刚石膜的半径对膜中热应力影响较小,从而为HFCVD金刚石膜中热应力的预测与控制提供依据。 展开更多
关键词 ANSYS 金刚石厚膜 热应力
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金刚石厚膜的制备及应用研究 被引量:4
5
作者 金曾孙 吕宪义 +5 位作者 顾长志 王春蕾 白亦真 皇甫萍 秦东 邹广田 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第8期1-4,共4页
用电子增强热灯丝CVD(化学汽相沉积)方法制备出膜厚为0.1-2mm的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的耐磨性和热导特性,用它制作了金刚石膜焊接刀具和半导体激光器用金刚石膜热沉。
关键词 CVD 金刚石薄膜 半导体薄膜 制备
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CVD金刚石刀具的研究进展与应用现状 被引量:5
6
作者 赵志岩 邓福铭 +1 位作者 卢学军 徐国军 《工具技术》 2010年第2期8-11,共4页
金刚石膜是采用化学气相沉积的方法制备出来的一种全晶质多晶纯金刚石材料,是制造刀具的理想材料。本文对CVD金刚石涂层刀具与厚膜焊接刀具的研究进展与应用现状进行了简要的综述。
关键词 化学气相沉积(CVD) 金刚石涂层 金刚石厚膜 刀具
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一种专门用于刀具的热丝CVD金刚石 被引量:3
7
作者 杨成武 刘晓 李卫 《超硬材料工程》 CAS 2018年第5期43-46,共4页
介绍了CVD金刚石厚膜的不同生长工艺的优缺点,并采用新型热丝CVD工艺生长出金刚石。新工艺生长出的热丝CVD金刚石具有成核密度高、晶粒细小、组织致密、孔洞缺陷和杂质少等优点,是CVD金刚石刀具的理想材料。
关键词 CVD 金刚石厚膜 孔洞缺陷 金刚石刀具
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金刚石厚膜表面金属化及其钎焊研究 被引量:4
8
作者 邹建英 《硬质合金》 CAS 北大核心 2011年第6期364-367,382,共5页
本文首先使用磁控溅射法在清洁的金刚石厚膜表面溅射Ti/Cu层,利用热的浓硫酸腐蚀表层的Cu和Ti层,获得具有合金TiC层的金刚石厚膜表面,实现金刚石厚膜的表面金属化;然后利用高频感应加热方法,以Ag-Cu-Ti混合粉末作为焊料进行金刚石厚膜... 本文首先使用磁控溅射法在清洁的金刚石厚膜表面溅射Ti/Cu层,利用热的浓硫酸腐蚀表层的Cu和Ti层,获得具有合金TiC层的金刚石厚膜表面,实现金刚石厚膜的表面金属化;然后利用高频感应加热方法,以Ag-Cu-Ti混合粉末作为焊料进行金刚石厚膜的钎焊实验,主要对钎焊过程中的钎焊温度、保温时间以及焊料用量等参数进行了研究。结果表明,以60℃/s的速度加热到870℃后保温15 s,焊料用量为80μg时,金刚石厚膜与硬质合金刀具之间的焊接强度可以达到125 MPa,可以满足机械加工强度要求。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 表面金属化 钎焊 剪切强度
原文传递
Preparation of Nano-Crystalline Diamond Films on Poly-Crystalline Diamond Thick Films by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
9
作者 熊礼威 汪建华 +2 位作者 满卫东 翁俊 刘长林 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期310-313,共4页
Nano-crystalline diamond (NCD) films were prepared on poly-crystalline diamond (PCD) thick flims by the microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) method. Free standing PCD thick film (50 mm in... Nano-crystalline diamond (NCD) films were prepared on poly-crystalline diamond (PCD) thick flims by the microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) method. Free standing PCD thick film (50 mm in diameter) with a thickness of 413 μm was deposited in CHn/H2 plasma. It was then abraded for 2 hours and finally cut into pieces in a size of 10×10 mm^2 by pulse laser. NCD fihns were deposited on the thick film substrates by introducing a micro-crystalline diamond (MCD) interlayer. Results showed that a higher carbon concentration (5%) and a lower substrate temperature (650℃) were feasible to obtain a highly smooth interlayer, and the appropriate addition of oxygen (2%) into the gas mixture was conducive to obtaining a smooth nano-crystalline diamond film with a tiny grain size. 展开更多
关键词 diamond thick film nano-crystalline diamond film microwave plasma en hanced chemical vapor deposition
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用EA-CVD方法制备的大尺寸金刚石厚膜的品质和膜厚均匀性的研究 被引量:3
10
作者 吕宪义 金曾孙 杨广亮 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期270-273,共4页
根据金刚石厚膜的实际应用要求,建立了EA-CVD(E lectron Assisted Chem ical Vapor Deposition)方法,制备出直径为80mm,膜厚为1mm以上的大尺寸高品质的均匀金刚石厚膜,其膜厚不均匀性小于5%,热导率不均匀性小于10%,膜片中部和边缘磨耗... 根据金刚石厚膜的实际应用要求,建立了EA-CVD(E lectron Assisted Chem ical Vapor Deposition)方法,制备出直径为80mm,膜厚为1mm以上的大尺寸高品质的均匀金刚石厚膜,其膜厚不均匀性小于5%,热导率不均匀性小于10%,膜片中部和边缘磨耗比基本相同,大约在1.5×105左右。同时研究了制备参数对膜的品质和膜厚均匀性的影响。结果表明:甲烷浓度、工作气压、偏流、灯丝与基片间距等参数对金刚石厚膜的品质和膜厚均匀性都产生影响。辉光等离子体的状态对膜的均匀生长作用明显,较低的工作气压,较大的偏流和较大的灯丝与基片间距有利于气体分解和辉光等离子体的发散,从而导致大面积金刚石厚膜不同位置的品质和膜厚趋于均匀。 展开更多
关键词 EA—CVD 金刚石厚膜 品质和膜厚均匀性
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B掺杂CVD金刚石厚膜的应力研究 被引量:3
11
作者 卢文壮 左敦稳 +1 位作者 徐锋 王珉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1010-1013,共4页
在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜,利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响。结果显示,B元素的掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,膜中非晶态碳含量随着掺杂浓度的增加而增加。在低掺杂时CVD金刚... 在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜,利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响。结果显示,B元素的掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,膜中非晶态碳含量随着掺杂浓度的增加而增加。在低掺杂时CVD金刚石厚膜成核面上的应力状态为压应力,在高掺杂时应力状态为张应力,张应力值随着掺杂浓度的增加而增加。掺杂CVD金刚石厚膜生长面的应力为张应力,在高掺杂时的张应力值较高。 展开更多
关键词 应力 B掺杂 金刚石厚膜 XRD
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CVD金刚石厚膜电加工表面粗糙度分析 被引量:2
12
作者 曹振中 左敦稳 +1 位作者 黎向锋 卢文壮 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第1期11-14,共4页
由于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)金刚石厚膜的加工极其困难,本文提出了一种金刚石厚膜精加工的新工艺,即通过掺杂使金刚石膜导电,利用电火花对掺杂金刚石膜进行加工。掺杂后金刚石厚膜电阻率范围达到0.00243-0.063... 由于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)金刚石厚膜的加工极其困难,本文提出了一种金刚石厚膜精加工的新工艺,即通过掺杂使金刚石膜导电,利用电火花对掺杂金刚石膜进行加工。掺杂后金刚石厚膜电阻率范围达到0.00243-0.0634W×cm,研究了电参数对金刚石厚膜电火花加工表面粗糙度和材料去除速率的影响,结果表明二者都随着峰值电流和脉冲宽度的增大而增大。通过回归计算得出了电火花加工表面粗糙度的经验公式,二元回归分析的相关系数达0.96,证实了经验公式的有效性。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 电加工 表面粗糙度 掺硼
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基体温度对金刚石厚膜沉积质量的影响 被引量:3
13
作者 黄树涛 刘兴文 +1 位作者 许立福 于骏一 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2003年第3期324-326,共3页
为探讨燃焰法沉积高质量金刚石厚膜的可能及其沉积速率,在反应气体流量比O2/C2H2=0 97~1范围内,研究了基体温度对燃焰法沉积金刚石厚膜的影响.结果表明,基体温度在610~730℃范围内可沉积出均匀、致密、结晶形态优良的金刚石厚膜;金刚... 为探讨燃焰法沉积高质量金刚石厚膜的可能及其沉积速率,在反应气体流量比O2/C2H2=0 97~1范围内,研究了基体温度对燃焰法沉积金刚石厚膜的影响.结果表明,基体温度在610~730℃范围内可沉积出均匀、致密、结晶形态优良的金刚石厚膜;金刚石厚膜沉积速率随基体温度的下降而下降,基体温度约为730℃时,可以约50μm/h的较高速率沉积出淡黄色透明状高质量金刚石厚膜.当基体温度在820℃左右的高温时,金刚石厚膜不均匀,晶粒间存在较大间隙,且在金刚石厚膜生长过程中,存在较多的二次成核. 展开更多
关键词 基体 温度 金刚石厚膜 沉积 质量 燃焰法 晶粒 CVD
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燃焰法沉积高质量金刚石厚膜的研究 被引量:2
14
作者 黄树涛 陈吉安 于骏一 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期102-102,106,共2页
研究了气体流量比 (O2 /C2 H2 )对燃焰法沉积金刚石厚膜的影响 ,并以约 5 0 μm /h的较高速率沉积出了均匀。
关键词 燃焰法 金刚石厚膜 沉积
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乙炔-氧气火焰沉积高质量、致密金刚石厚膜 被引量:2
15
作者 张宏志 姚英学 陈朔冬 《新技术新工艺》 北大核心 2000年第4期40-41,共2页
通过实验分析了沉积温度、乙炔
关键词 金刚石厚膜 燃焰法 CVD 金刚石刀具
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大面积自支撑CVD金刚石厚膜的应力研究 被引量:2
16
作者 卢文壮 左敦稳 +1 位作者 徐锋 王珉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1444-1447,共4页
在HFCVD系统中制备了直径为100mm的自支撑CVD金刚石厚膜,利用XRD研究了自支撑CVD金刚石厚膜的应力。结果显示制备的大面积自支撑CVD金刚石厚膜处于较低的应力水平,应力分布较均匀,生长面应力状态为压应力,成核面应力状态为张应力。
关键词 应力 金刚石厚膜 自支撑 大面积 XRD
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基体对金刚石厚膜质量的影响研究 被引量:2
17
作者 湛玉龙 马志斌 +1 位作者 翁国峰 吴建鹏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2011年第5期5-9,共5页
采用MPCVD法在钼基体上制备金刚石厚膜,测量了等离子体发射光谱,并利用XPS、Raman和SEM对金刚石厚膜进行表征。研究了Mo原子进入金刚石中的机制及其对金刚石厚膜的影响。结果表明:除了热扩散,Mo原子还会以蒸发进入等离子体的方式进入金... 采用MPCVD法在钼基体上制备金刚石厚膜,测量了等离子体发射光谱,并利用XPS、Raman和SEM对金刚石厚膜进行表征。研究了Mo原子进入金刚石中的机制及其对金刚石厚膜的影响。结果表明:除了热扩散,Mo原子还会以蒸发进入等离子体的方式进入金刚石。金刚石中的Mo原子是以Mo+4、Mo+6以及介于Mo+4-Mo+6之间的化合态存在。在沿成核面到生长面的方向上,sp2C的含量会逐渐减小;成核面的内应力表现为较小的拉应力,随着生长进入连续膜生长阶段,内应力转变为压应力并随膜厚度增加压应力大小逐渐降低,在距离成核面30μm左右处,内应力转变为拉应力,且随着膜厚度进一步增加而缓慢增大。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 内应力 sp2C含量
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掺硼CVD金刚石的电加工表面分析 被引量:1
18
作者 曹振中 褚向前 +1 位作者 黎向峰 左敦稳 《苏州大学学报(工科版)》 CAS 2004年第5期78-80,共3页
金刚石具有一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能,在高科技领域具有广阔的应用前景。普通CVD金刚石膜是高度绝缘的,不能采用如电火花等加工导电聚晶金刚石(PCD)的方法和设备对其进行加工。本文通过掺硼实现了金刚石膜的... 金刚石具有一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能,在高科技领域具有广阔的应用前景。普通CVD金刚石膜是高度绝缘的,不能采用如电火花等加工导电聚晶金刚石(PCD)的方法和设备对其进行加工。本文通过掺硼实现了金刚石膜的导电,开展了电火花成型和线切割的实验研究,并通过SEM、Raman分析和粗糙度测量对加工后的表面进行了分析。 展开更多
关键词 掺硼CVD金刚石 导电 电火花成型 线切割 粗糙度 表面质量
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热丝CVD法制备大面积金刚石厚膜 被引量:2
19
作者 熊军 汪建华 +4 位作者 王传新 邢文娟 谢鹏 皮华滨 吴斌 《武汉工程大学学报》 CAS 2008年第1期80-82,共3页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)设备与工艺,在直径为90 mm的钨基体上,以丙酮为碳源,制备了(111)取向的大面积金刚石厚膜,厚膜平均厚度达到1.2 mm.用X-ray衍射、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对金刚石厚膜的织构、形貌和成分进行... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)设备与工艺,在直径为90 mm的钨基体上,以丙酮为碳源,制备了(111)取向的大面积金刚石厚膜,厚膜平均厚度达到1.2 mm.用X-ray衍射、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对金刚石厚膜的织构、形貌和成分进行了分析,结果表明所制备的金刚石厚膜质量很好且有较高纯度. 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 金刚石厚膜 质量 纯度
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微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石 被引量:1
20
作者 唐春玖 符连社 +4 位作者 A.J.S.Fernandes M.J.Soares Gil Cabral A.J.Neves J.Grácio 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期250-258,共9页
研究了衬底温度、核化密度、衬底表面预处理等工艺参数对微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石的影响。采用扫描电镜、X-射线衍射、喇曼光谱和红外光谱对样品进行了表征。结果表明:从高核化密度生长的金刚石膜中... 研究了衬底温度、核化密度、衬底表面预处理等工艺参数对微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石的影响。采用扫描电镜、X-射线衍射、喇曼光谱和红外光谱对样品进行了表征。结果表明:从高核化密度生长的金刚石膜中探测不到碳化硅;不论对硅衬底进行抛光预处理还是未抛光预处理,从低核化密度生长的金刚石厚膜中总能探测到碳化硅。碳化硅生长在硅衬底上未被金刚石覆盖的地方,或者是在金刚石晶核之间的空洞处。碳化硅形成和金刚石生长是同时发生的两个竞争过程。此研究结果为制备金刚石和碳化硅复合材料提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 碳化硅 金刚石厚膜 红外光谱 微波等离子体气相化学沉积
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